中高压铝电解电容器用电极箔腐蚀工艺研究

采用硫酸-盐酸腐蚀体系研究了中高压铝电解电容器电极箔多段腐蚀方法。通过三段腐蚀工艺和二段腐蚀工艺的比较,发现多段腐蚀能提高铝箔表面小孔成核率,减少腐蚀介质对氧化膜的进一步腐蚀,有利于小孔向纵深发展。三段腐蚀工艺制备的电极箔表面孔尺寸为0.6～1.0μm,孔深34～36μm,比容高达2.5×10–6F/cm2。     

提高铝电解电容器用腐蚀箔比容的研究

应用X射线对晶体织构度进行分析的技术和X射线极图测定方法,从金属材料的角度出发,研究了多种进口铝箔的再结晶织构,并与国产冷轧铝箔的再结晶织构进行系统的对比,研究了产生高立方织构度的铝箔热处理工艺。其次,在研究铝箔的再结晶晶粒生长时,发现国产LG5Y铝箔的异常晶粒长大,为铝箔生产厂改进轧制工艺提供了分析依据。最后,在铝箔腐蚀理论的分析基础上,结合SEM检测手段,经过大量试验对比,找到了两种较佳的高压箔腐蚀工艺。当形成电压为375V时,达到了0.45μF/cm~2的较高比容值。     

铝电解电容器腐蚀形成箔

本文就日本和西欧五家著名腐蚀形成箔制造公司腐蚀形成箔的比容量、强度、铝纯度、氯离子含量、形成质量、稳定性等性能指标的水平状况及检测方法作了评述,对国内某些状况作了对比。     

中高压铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺的研究

通过对原有的H2SO4-HCI腐蚀体系的深入研究,提出了新的发孔与扩孔工艺条件。适当地提高发孔液的浓度和温度．能提高初始蚀孔密度及分布度的均匀性;降低扩孔液的浓度,能有效地降低铝箔的表面溶解度,减少串孔现象的发生,从而提高腐蚀的比容及机械强度。脉冲精致扩孔腐蚀理论的提出,为进一步提高阳极箔比容的研究提供了更多的选择。     

铝电解电容器铝箔腐蚀工艺的进展及有关的电化学问题

介绍了日本1970年以来低压和中高压腐蚀箔静电容量增长历程以及1991年达到的水平。根据近十余年来国内外发表的有关文献,从电化学角度出发对直流电和交流电腐蚀机理进行分析、探讨。认为提高腐蚀开始时的发孔密度是提高腐蚀箔比容值的关键。讨论了提高发孔密度的一些影响因素。     

铝电解电容器用阳极箔扩面腐蚀机理的研究

研究了高纯电子铝箔在HCl溶液中的电蚀行为,提出了Cl对铝的氧空位输运侵蚀机理,指出Cl在侵蚀膜表面吸附,以及在膜内部传输的机制,并利用该机理模型很好地解释了高纯电子铝箔在HCl溶液中的电蚀行为。     

电解电容器用铝箔腐蚀工艺研究

采用正交实验方法,选择腐蚀溶液的组成、腐蚀电压、腐蚀温度和时间四因素,探索影响环保型铝电解电容器用腐蚀箔性能的工艺参数。结果表明:当ψ(H2SO4∶HCl)为3∶1,电压为8V,温度为85℃,腐蚀时间85s时,可以获得高比容(0.59)高强度(弯折次数140)兼顾的性能。腐蚀溶液的组成、电压是影响腐蚀箔性能的主要因素。     

后处理对铝电解电容器阳极箔比容的影响

采用硫酸-盐酸体系环保型铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺,硝酸溶液作后处理液,结合SEM分析,探讨了硝酸后处理在阳极箔表面的清洗机理,研究了直流电侵蚀后,硝酸后处理对阳极箔比容的影响。结果表明:在硝酸溶液温度为65℃、清洗时间为250 s的条件下,阳极箔比容随着硝酸质量浓度的增加而增加,当硝酸质量浓度增至35 g/L时,阳极箔比容达到最大值0.70×10–6 F/cm2。硝酸质量浓度继续增加,阳极箔比容逐渐减小。最佳后处理参数为:硝酸质量浓度为35 g/L,处理温度为65℃,清洗时间为250 s。     

电解电容器铝箔横向隧道孔的生长控制

在酸性介质中已经产生隧道孔的铝箔表面,继续在中性电解液中采取直流阳极溶解时,隧道孔密度及长度与二次侵蚀时电解质类别相关。在此基础上,通过二次侵蚀前铝箔表面的酸浸泡成膜处理,以及二次侵蚀过程中在中性氯化钠介质中添加复合有机物,达到控制此过程中隧道孔生长方向的目的,使其在原隧道孔的孔壁沿着与铝箔表面平行的方向产生新的隧道孔,这为提高铝箔表面积提出了新的途径,为进一步提高铝电解电容器比容提供了可能性。     

铝电解电容器用阳极化成箔的选用

阳极化成铝箔的质量直接影响铝电解电容器的性能。介绍化成箔的主要性能参数 ,如升压时间、氧化膜稳定耐压值、比容及散差、抗拉强度和折弯强度、表面氯离子残留量等的正确选用。正确选用阳极化成箔对提高电容器产品的质量、降低成本十分重要。     

日本铝电极箔制造技术研究的新进展

总结了日本近几年在铝电解电容器电极箔制造工艺上所取得的成果,着重分析阳极箔交流腐蚀中的多级变频复合腐蚀工艺、预处理工艺及阳极箔化成工艺的最新进展。指出目前我国电极箔生产技术在几个方面与日本的差距。     

电解电容器高压阳极用高纯铝箔织构研究

采用蚀坑法、EBSD微观取向分析法,研究了电解电容器高压阳极用高纯铝箔制备过程中的织构演变。结果表明:热轧高纯铝板织构主要类型是高斯织构、立方织构和铜织构。随着冷轧变形率的增加,冷轧织构中的立方织构含量增加,冷轧变形率为96.3%时,立方织构体积分数为14%。再结晶织构中的立方织构含量随再结晶退火温度的增加而增加,再结晶退火温度为530℃时,立方织构体积分数为86%。     

阳极铝箔隧道孔的二次生长规律

将在酸性介质中产生了隧道孔的铝箔置于中性侵蚀液中继续成长。发现中性侵蚀液的组分对铝箔隧道孔形貌的影响规律:当溶液仅含Cl–时,会有新的隧道孔产生,铝箔表面隧道孔分布密度从3.63×107cm–2增加为3.72×107cm–2,隧道孔平均孔径从0.40μm扩展到0.75μm,但隧道孔长度没有明显变化;在含Cl–电解质中添加少量有机添加剂时,铝箔表面没有新的隧道孔产生,由于出现并孔现象,隧道孔分布密度反而从3.63×107cm–2降低至3.43×107cm–2,但隧道孔的孔径从0.40μm扩展到0.80μm,长度从24μm增加到37μm。     

低压铝电解电容器用腐蚀化成箔构效关系研究

本文利用SEM表征了低压铝电解电容器用高比容腐蚀箔的结构,采用立方孔模型建立了低压腐蚀化成箔的结构-性能关系,并通过压汞仪测试对所建模型进行验证。SEM结果表明,低压腐蚀箔呈现海绵状结构,蚀坑保持立方型孔洞。在实用情况下,对于22. 4 V化成电压,最适孔径为0. 20~0. 24μm,最大比容为(185. 3~227. 6)×10^-6F·cm^-2。压汞仪测试结果表明,建立的立方孔洞模型可以反映低压腐蚀箔结构特征。     

中高压阳极铝箔直流脉冲电蚀工艺及机理研究

用直流脉冲电源对高纯铝箔进行电化学侵蚀,研究了影响腐蚀箔性能的工艺参数条件,探索了隧道孔生长机理.结果表明:在硫酸和盐酸电解质体系中,影响腐蚀箔性能的工艺参数有直流脉冲电流密度、脉冲频率、占空比以及脉冲时间等;控制直流脉冲的电流密度峰值在0.8 A/cm2以上、脉冲电流单次通电延续时间在0.53 ms左右,能使铝箔产生纵横交错的隧道孔.