充氩弗兰克-赫兹实验波谷处加速电压及最佳实验参量

给出了弗兰克-赫兹管的导通电压及波谷处加速电压的表达式,并且讨论了灯丝电压、正向电压及减速电压对实验曲线的影响.通过分析实验曲线及数据得出最佳实验参量为:灯丝电压2.8V,正向电压1.6V,减速电压8.0V.在最佳参量下测得氩原子第一亚稳态的激发电位为11.59V.     

脉冲变压器锥形高压绕组电压分布实验研究

 对脉冲变压器锥形高压绕组进行了脉宽为1 μs,500 ns及100 ns三种不同脉宽的单脉冲实验,研究了不同输入条件下绕组中的电压分布特性,比较了空心、加内铁芯和加内外铁芯三种不同结构绕组中的对地电压及匝间电压的分布曲线。实验结果表明：在高频冲击电压条件下,脉冲变压器锥形高压绕组中的电压呈现非线性分布且存在明显的振荡过程,导致绕组首端的电压梯度增大,伴随脉宽减小电压波形发生明显畸变,冲击电压以波的形式在绕组中传播,从而引起匝间电压按照正弦规律起伏变化,匝间电压的极值通常出现在绕组首末端,加入铁芯有助于抑制电压谐振但同时增大了匝间电压。     

发光二极管放电实验现象分析

利用直流电源对发光二极管(LED)的结电容充电,切断直流电源后对LED的电压-时间特性进行测量。当充电电压低于LED复合发光的门槛电压,LED的电压-时间特性与普通二极管的相似。当充电电压高于LED复合发光的门槛电压,首次观察到:开始放电的瞬间会出现一个快速下降过程,快速下降到门槛电压以下;LED上的电压越高,快速下降到的电压越低。对该现象进行分析,得到一些新的结论。当LED的正偏电压高于复合发光的门槛电压后,出现了注入到扩散区的非平衡载流子随正偏电压的提高而减小的现象,即dQ/du<0。     

利用磁聚焦法测量电子比荷的误差分析

在利用磁聚焦法测量电子比荷的实验中,测量误差与示波管的加速电压和聚焦电压存在较大的相关性．通过对测量误差与电聚焦程度、加速电压和聚焦电压之间关系的分析,指出了误差产生的原因,给出了加速电压和聚焦电压的最佳取值范围．     

光纤电压传感器温度特性的研究

以半波电压较高的石英晶体为敏感材料,分析了光纤电压传感器全量程的温度特性,发现其与传感器所测电压值要关;随着待测电压的从小往大增加,其输出温度变化的灵敏度逐渐由小变大。为了实现电压传感器全量程的温度补偿,必须获取两个关键的参数：一为电压传感器在无外加电压作用下的温度输出响应参数;二是敏感材料在电压作用下的温度应参数。     

夫兰克-赫兹实验中影响板极电流因素浅析

通过公式与绘图比对实验测得的数据,研究电子与氩原子的夫兰克-赫兹实验中不同阴极电压、第一栅极电压、反向电压下,板极电流随加速电压的变化情况。分析板极电流发生变化的规律及原因,观察测得数据及其绘制的夫兰克-赫兹曲线找出对实验研究负向影响最小的阴极电压、第一栅极电压、反向电压的参考数值。     

高真空热电子发射实验研究

在真空环境下,研究了阳极电压和阴极电压对金属热发射电流强弱的影响。实验结果表明,提高阳极电压和阴极电压有利于电子从阴极逸出,使发射电流得到增强,此外,提高阳极电压能够降低阴极临界电压,增大发射电流,为提高热电子发射效率提供了实验基础和理论依据。     

探究闭合电路电压关系实验仪

自制了探究闭合电路电压关系的实验仪,测量了等效内阻的内电压,可直观显示内、外电压与电源电动势的关系,有利于学生对闭合电路电压关系的建构.     

分段保护超导螺线管磁体失超过程的过电压

超导磁体失超过程的过电压准确分析是失超保护系统设计的基础。对于分段保护的超导螺线管磁体,在传统椭球形正常区失超传播模型的基础上,将3维温度计算结果映射到1维导线方向上,确定沿导线的温度分布,进而计算出各匝电阻。将线圈看作以匝为单位的电阻和电感组成的电路,计算出沿导线的电阻电压、电感电压以及合电压瞬态分布,较准确地估计了失超过程中最大对地电压、层间电压和匝间电压。利用该方法对某分段保护的螺线管磁体进行了计算,获得了失超过程中磁体内部过电压;发现磁体内部的电压分布由方向相反的电感电压和电阻电压共同决定;以单段正常区电阻电压作为该磁体对地电压过于保守。     

基于FPGA的静止电压稳定优化器设计

基于FPGA设计的Buck-Boost型静止电压稳定优化器,直接串联于市电与敏感负荷之间,当供电电压发生电压骤升或骤降时,可快速稳定电压,确保敏感负荷不受影响。采用前端整流装置代替固定储能装置可获取更长的故障穿越时间,采用单同步旋转坐标系软件锁相环(SSRF-SPLL)技术实现电网电压同步,而采用电压双闭环控制技术改善了系统的响应速度。试验结果表明,该装置能快速稳定电压骤升骤降,并能较好的抑制谐波。