共查询到20条相似文献,搜索用时 50 毫秒
1.
对极低温下囚禁在Penning阱中的单个离子在受到外部扰动时出现的不稳定现象作了量子处理。首先,求解了系统的薛定谔方程,并根据所得的波函数性质,得出了阱内的量子跃迁规则,然后,在此规则下,定量描述了离子在受到扰动后的不稳定表现。 相似文献
2.
红外探测器广泛应用于夜视、热成像、通讯、制导、遥感控制等领域,在民用和军事上都有重要研究意义.本文从基本原理出发,介绍研究方法、实验设计思路及北京大学在本领域近年的研究进展,着重展示科研中遇到的困难及解决方法,力图以此引导研究性实验教学,为相关科研提供参考. 相似文献
3.
4.
5.
The energy levels of a polaron in a wurtzite nitride finite parabolic quantum well (PQW)are studied by a modified Lee-Low-Pines variational method. The ground state of the polaron, the transition energy from first exited state to the ground state and the
关键词:
氮化物抛物量子阱
电子-声子相互作用
极化子 相似文献
6.
7.
计及量子点厚度下,分别选取抛物势和高斯势描写盘型量子点中电子的横向束缚势和纵向束缚势,采用Pekar类型变分法推导出量子点中极化子的基态和第一激发态能量本征值和本征函数,以此为基础,构造了一个二能级结构,并基于二能级体系理论,讨论了极化子在外电场作用下的量子跃迁问题。结果表明,高斯束缚势比抛物束缚势更能精准反映量子点中真实的束缚势;量子点的厚度对极化子的跃迁几率Q所带来的影响有趣且有实际意义,不可忽略;电声耦合强度α、电场强度F、非对称高斯势的势垒高度V0和束缚范围L等对极化子的基态与第一激发态能量以及量子跃迁的影响显著;本文的结果有助于探讨利用这些物理量来调控量子点的输运特性和光学性质的途径和方法。 相似文献
8.
采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对In0.53Ga0.39Al0.08As/InxGa1-xAs0.9Sb0.1量子阱结构的能带进行了计算。求得了C1-HH1跃迁波长随In组分及阱宽的变化关系,并采用力学平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明,在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分和阱宽,在InP基InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱激光器中能够实现1.6~2.5 μm近中红外波段的激射波长。 相似文献
9.
处理一个一维Paul阱系统中的压缩现象与量子跃迁现象,对于阱内的最强压缩态和共振跃迁(一种极不稳定状态)之间的关系作了阐述,并对利用压缩性质在阱内进行精密测量的可能性作了讨论 相似文献
10.
11.
12.
13.
对超额Ba激活的Ag-BaO复合薄膜在外加垂直表面电场作用下的光学吸收特性进行了测量.结果显示,薄膜在可见—近红外光波段存在两个吸收峰,其中近红外光区的吸收峰强度随垂直表面电场的作用而降低.理论分析表明,可见光区的主吸收峰源于埋藏在BaO半导体中的Ag超微粒子的表面等离激元共振吸收;近红外光区的次吸收峰则由BaO半导体基质中杂质能级的光吸收引起,杂质能级的产生与超额Ba在BaO晶体中造成的氧缺位有关.在外加垂直表面电场作用下,BaO基质中的杂质发生电离,并导致杂质能级上束缚电子浓度减小,表现为薄膜在与杂质
关键词:
光吸收
金属超微粒子半导体复合薄膜
表面等离激元
杂质能级 相似文献
14.
15.
本文将包迹函数近似推广用于计算有理数近似下,垂直于超晶格轴的波矢K⊥不等于零时,准周期半导体超晶格(QSS)的电子子带和波函数,对K⊥=0的情形,分别计算了Ⅰ类的GaAs/AlxGa1-xAs和Ⅱ类的InAs/GaSb QSS的电子子带和波函数,直至代序数m=9和6。对于价带对导带影响强的InAs/GaSb QSS,分别计算了m=5和6时电子子带随K⊥的变化关系。并提出了利用本文结果计算Ⅰ类的GaAs/AlxGa1-xAs QSS带间集体激发的具体方法。 相似文献
16.
17.
18.
LINEAR AND NONLINEAR INTERSUBBAND OPTICAL PROPERTIES IN A STEP QUANTUM WELL WITH AN APPLIED ELECTRIC FIELD 下载免费PDF全文
Within the framework of the effective-mass envelope-function theory , the field-dependent intersubband optical properties of a Al0.4Ga0.6As/Al0.2Ga0.8As/GaAs step quantum well are investigated theoretic ally based on the periodic boundary condition. A very large Stark shift occurs when the lowest subband electron remains confined to the small well while the hig her subband electron confined to the big well. The optical nonlinearity in a step well due to resonant intersubband transition(ISBT) is analyzed using a density matrix approach. The second-harmonic generation coefficient χ(2)2ω and nonlinear optical rectification χ(2)0 have also been investigated theoretically. The results show that the ISBT in a step well can generate very large second order optical nonlinearities,χ(2)0 and χ(2)2ω can be tuned by the electric field over a wide range. 相似文献
19.
20.
电偶极子在均匀电场中受到力矩的作用而发生转动,但由于惯性的存在,电偶极子不会立即静止在平衡位置,而是会在平衡位置附近振动.本文从动力学和能量特征两个方面证实,初始角度较小的情况下,电偶极子做筒谐振动. 相似文献