纳米晶交换耦合稀土永磁体α—Fe／Nd2Fe14B的居里温度及 …

从铁磁材料原子中电子间静电交换相互作用出发,结合Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ铁磁性理论,从原子分子设计的角度,针对ＮｄＦｅＢ基稀土永磁材料的晶体结构及原子占位特征,提出了提高居里温度ＴＣ的三条途径,在此基础上,利用熔体快淬工艺合成了具有高ＴＣ和磁性能的高温度稳定性的纳米晶稀土永磁体材料,并对其微结构及磁性能分别进行了表征和振动样品磁强计（ＶＳＭ）的测试与讨论。     

Y2(Fe1-x-y,Coy,Crx)17化合物的结构及居里温度

通过x射线衍射及磁测量手段研究了Y2(Fe1-y-x,Coy,Crx)17化合物的结构及居里温度.研究结果表明Y2(Fe1-y-x,Coy,Crx)17化合物具有六角相的Th2Ni17型结构.随着x的增加,Y2(Fe1-y-x,Coy,Crx)17化合物的单胞体积呈现先小后大的非线性减小.通过Y2(Fe1-y-x,Coy,Crx)17化合物居里温度的变化,研究了Y2Fe17化合物中哑铃晶位上的Fe原子对之间的交换作用,从而在实验上证明了在Y2Fe17化合物中,哑铃晶位上的Fe原子对之间存在反铁磁交换作用,研究结果表明在Y2Fe17化合物中,Cr,Co同时少量替代Fe时,化合物的居里温度有显著提高.     

利用RL交流电桥测量磁性材料的居里温度

利用RL交流电桥测量了磁性材料的居里温度,并讨论了工作频率和工作电压的变化对测量结果的影响.     

非晶态Co70Cr20Zr10合金在居里温度附近的磁性

本文研究非晶态Co₇₀Cr₂₀Zr₁₀合金在居里温度附近的磁性,样品的磁特性符合二级相变规律。得到临界指数β=0.45±0.02,γ=1.9±0.1,δ=5.13±0.05。Co₇₀Cr₂₀Zr₁₀合金的居里温度为T_c=(186.7±0.2)K。临界指数β,γ,δ满足γ=β(δ-1)关系,但临界指数值都偏离三维Heisenberg模型的理论值,这种行为可能起源于非晶态合金磁的不均匀性。讨论了Kouvel-Fisher(K-F)参数γ(T)对温度T的依赖关系。 关键词：     

由电感测量铁氧体材料的居里温度

为测量铁氧体磁芯材料的居里温度，将含有铁氧体磁芯的螺绕环置于自制的可变温度的样品室中，用电感测量仪测量螺绕环在不同温度下电感量．得到电感随温度的变化曲线，从而确定磁芯的居里温度．     

La_(0.8-x)Ca_(0.2)MnO_3纳米颗粒的居里温度与磁热效应

采用溶胶 凝胶法制备了系列La0 .8-xCa0 .2 MnO3 多晶样品 ,用X射线衍射分析确定了样品的钙钛矿结构 ,用透射电子显微镜观察了样品的形貌及粒径分布情况 ,用PAR15 5型振动样品磁强计测量了样品的磁性随外场和温度的变化 ,确定样品的居里温度并计算了各样品的磁熵变 .磁测量及计算结果表明制备的各样品的居里温度在180— 2 6 0K的范围内且随焙烧温度和La3 离子空位浓度的不同而变化 ,不同温度焙烧的样品均有较大的磁熵变值 ,其中 110 0℃焙烧的La0 77Ca0 .2 MnO3,多晶样品在 2 40 5K ,H =1 0T的外场下的磁熵变达 3 76J/kg·K ,对实验结果做了定性的分析 .该材料具有较高的居里温度和较大的磁熵变 ,所需外场强度适中 ,电阻率高 ,性能稳定 ,适合做高温磁制冷材料 .     

铁磁相变和居里温度的一种直接观测方法

铁磁相变和居里温度的一种直接观测方法王魁香，陆国会，邓京川，卢杰（吉林大学物理系长春１３００２２）一、原理在物理学中，经常遇到相变的问题，日常生活里又很少有相变现象的例子，所以人们对相变的理解很抽象．而铁磁物质（铁磁相）在居里（或临界）温度Ｔｃ转变成...     

活塞圆筒容器中铁磁居里温度的一种测量方法

 本文介绍了在活塞-圆筒型装置中建立的高压下原位测量居里温度的方法。采用简单的测量电路，不需要锁相放大器等精密仪器，系统仍具有较高的灵敏度，足以满足测量小样品的要求。合理的高压组装结构保证了测量的成功率。实验结果表明，测量的重复性误差小于±1 ℃。     

居里的一家(连载)

 1 皮埃尔·居里和哥哥雅克斯(左1)于1880年共同发现压电效应.他们与父母合影2 这是皮埃尔与雅克斯研制的压电晶体3 皮埃尔研究铁磁材料磁性与温度关系,居里点以此得名4 居里夫人原名玛丽·斯克罗多夫斯卡,出生于华沙.1891年到巴黎求学.     

厚度与应变效应对La0.67 Ca0.33 MnO3薄膜电输运与居里温度的影响

在厚度为25-400nm范围内,系统地研究了(001)SrTiO3(STO),(001)LaAlO3(LAO)衬底上La0.67Ca0.33MnO3(LCMO)薄膜的电输运与居里温度TC随薄膜厚度及衬底的变化.结果表明,随薄膜变薄,电阻率ρ增加,TC降低.对于同一薄膜厚度,LCMO/STO薄膜的ρ大于LCMO/LAO基上的薄膜的ρ.TC与衬底的依赖关系则与ρ相反.分析表明,LCMO薄膜的低温区电阻温度(ρ-T)符合关系式ρ=ρ0+Bωs/sinh2(hωs/2/kBT)+CTn,其中ρ0为剩余电阻;等号右端第二项反映软光学模声子对电子散射的贡献;第三项包括其余可能散射机理在电输运过程中所起的作用;B,ωs(软光学模声子的平均频率)与C都为拟合系数.高温区的电输运则由小极化子跃迁模型ρ=DT×exp(Ea/kBT)描述(Ea为极化子激发能).根据ρ0,ωs,Ea以及TC变化,初步讨论了薄膜中的厚度与应变效应.进一步研究发现ωs,Ea的变化与TC相关,从而说明极化子效应为影响TC变化的主要因素.     

发现MM＇X合金居里温度窗口的启示

人们习惯把具有马氏体相变的合金称为形状记忆合金．20世纪发现的所有形状记忆合金基本没有磁性．     

稀磁半导体材料居里温度的极值点

以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数,对GaAs ∶ TM(Ga,TM)As (TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到:n型半导体居里温度有一个极大值,而p型掺杂是单调的递增。     

纳米晶交换耦合稀土永磁体α－Fe／Nd_2Fe_(14)B的居里温度及磁性能随温度变化关系研究

从铁磁体材料原子中电子间静电交换相互作用出发,结合Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ铁磁性理论,从原子分子设计的角度,针对ＮｄＦｅＢ基稀土永磁材料的晶体结构及原子占位特征,提出了提高居里温度ＴＣ的三条途径,在此基础上,利用熔体快淬工艺合成了具有高ＴＣ和磁性能的高温度稳定性的纳米晶稀土永磁体材料,并对其微结构及磁性能分别进行了表征和振动样品磁强计（ＶＳＭ）的测试与讨论。     

(Bi, La)4Ti3O12-Sr(Bi, La)4Ti4O15共生结构铁电材料性能研究

采用固相烧结工艺,制备了不同La掺杂量(x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25和1.50)的(Bi, La)4Ti3O12-Sr(Bi, La)4Ti4O15 (SrBi8-xLaxTi7O27)共生结构铁电陶瓷样品.用x射线衍射对其进行微结构分析,并测量铁电、介电性能.结果发现,La掺杂未改变Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15共生结构铁电材料的晶体结构.随掺杂量的增加,样品的矫顽场(Ec)略有增加,剩余极化(2Pr)先增大,后减小.在x＝0.50时,2Pr达到极大值,为25.6 μC*cm-2,与Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15相比,2Pr增加了近60%,而Ec仅增加约10%.随La掺杂量的增加,样品的居里温度TC逐渐降低,x＝0.50时,TC=556 ℃.在x=1.50时,样品出现弛豫铁电体的典型特征.     

大面积二维磁性材料的制备及居里温度调控

当前,尽管集成电路制造工艺水平不断提高,但受到量子效应的限制,器件尺寸的缩小使业界遇到了可靠性低、功耗大等瓶颈,微电子行业延续了近50年的"摩尔定律"将难以持续.2004年二维材料—石墨烯的问世,为突破集成电路的功耗瓶颈带来了新的机遇.由于低维特性,二维材料在一层或者几层原子厚度中表现出丰富多样的电学、磁学、力学和光学...     

不同方法测铁电材料的居里温度

1铁电材料的居里温度及其特性 铁电材料的一些性质总是随温度的变化而变化,而且都有一个临界温度Tc,当超过临界温度时,晶体的分子结构发生变化,自发极化消失,没有铁电性,我们称这个点为居里点,这个温度为居里温度．     

La0.8-xCa0.2MnO3纳米颗粒的居里温度与磁热效应

采用溶胶凝胶法制备了系列La_0.8-xCa_0.2MnO₃多晶样品,用X射线衍射分析确定了样品的钙钛矿结构,用透射电子显微镜观察了样品的形貌及粒径分布情况,用PAR155型振动样品磁强计测量了样品的磁性随外场和温度的变化,确定样品的居里温度并计算了各样品的磁熵变.磁测量及计算结果表明制备的各样品的居里温度在180—260K的范围内且随焙烧温度和La³⁺离子空位浓度的不同而变化,不同温度焙烧的样品均有较大的磁熵变值,其中1100℃焙烧的La_0.77Ca_0.2MnO₃,多晶样品在240.5K,H=1.0T的外场下的磁熵变达3.76J/kg·K,对实验结果做了定性的分析.该材料具有较高的居里温度和较大的磁熵变,所需外场强度适中,电阻率高,性能稳定,适合做高温磁制冷材料. 关键词： 钙钛矿 居里温度 磁热效应     

Sm2(Fe,M)17C1.5(M=Ga,Si)化合物的形成和磁性

用电弧炉熔炼方法制备了Ｓｍ₂Ｆｅ_17-xＭ_xＣ_1.5（Ｍ＝Ｇａ，Ｓｉ）化合物，研究了它们的形成、结构与磁性。实验结果表明，用Ｇａ替代Ｆｅ，当２≤ｘ≤６时，可形成Ｔｈ₂Ｚｎ₁₇型单相化合物，而Ｓｉ的替代仅在ｘ＝２时为单相结构。居里温度随Ｇａ含量的增加从ｘ＝２时的６３３Ｋ下降到ｘ＝６时的３５１Ｋ，Ｓｍ₂Ｆｅ₁₅Ｓｉ₂关键词：