0.5 eV时H++D2(v=0,j=0) 反应的微分、积分截面

基于ab initio势能面(KBNN PES)[1],用耦合通道超球坐标理论研究了碰撞能等于0.5 eV时H D2(v=0,j=0)的积分,微分截面.对于反应性碰撞,计算的积分截面表明由于深势阱的存在使得这一绝热反应产物的分布表现出一种近似的统计行为.计算的微分截面反映该体系存在着长寿命的中间络合物;对于非反应性碰撞(传能过程),平动—平动传能过程更有效,且其积分截面随着转动量子数的增大而显著减少.通过反应性碰撞和非反应性碰撞积分截面的比较,发现在低能碰撞情况,非反应性碰撞更容易进行.     

He-BH碰撞体系微分截面的理论计算

用公认精确的密耦近似方法计算了入射能量从25至150 meV时,He原子与基态BH分子碰撞的弹性微分截面、非弹性微分截面和总微分截面,进一步讨论了微分截面的变化趋势及特征.计算结果表明：He-BH碰撞体系的总微分截面具有原子与双原子分子散射的一般规律和特征;随着入射能量的增加,低转动激发态-态微分截面在大角区的散射振荡现象会更加明显. 关键词： He-BH复合物 相互作用势 密耦近似 微分截面     

He-N2碰撞体系散射截面的理论研究

本文运用量子化学从头计算MP2方法6-311 G(3df,2p)基组,计算了He-N2相互作用的势能,拟合出He原子与N2分子相互作用的各向异性势函数,其势函数参数:势能球平均势阱位置、势阱深度、势能零点位置与通过散射实验数据分析的ESMSV(Exponential-Spline-Morse-Spline-Van der waals)势比较吻合.然后,用公认精确度高的密耦方法计算了He原子与N2分子碰撞体系的总微分截面、弹性微分截面、转动激发的非弹性微分截面和积分截面,计算结果与实验数据符合得较好.     

He同位素对He-NO碰撞体系微分截面的影响

用密耦近似方法计算了同位素He原子与NO分子碰撞体系的总微分截面、弹性微分截面和非弹性微分截面,总结了同位素He原子对He-NO碰撞体系微分截面的影响. 计算结果表明：在同一入射能量下,随着入射同位素He原子质量增加,总微分截面在0°时的角分布逐渐增大;同位素He原子与NO分子碰撞发生的彩虹现象越明显. 同时,体系约化质量增加的效应大于相对碰撞速度减小的效应,使散射振荡间隔逐渐减小. 关键词： He-NO 密耦近似 微分截面 同位素效应     

He同位素原子与HBr分子碰撞的微分截面

基于作者构造的He-HBr体系的各向异性势,采用密耦方法计算了³He,⁴He,⁶He和⁷He与HBr分子在碰撞能量分别为40和75meV时的微分截面,详细讨论了入射氦同位素对微分截面的影响.结果表明：在相同碰撞能量时,随着同位素氦原子质量的增加,总微分截面在0° 时的角分布逐渐增大,同一级衍射振荡极小值位置逐渐向小散射角方向移动;弹性与总非弹性截面交界角逐渐减小,总非弹性截面逐渐增加.碰撞能量越低,入射同位素He原子的 关键词： 同位素效应 微分截面 各向异性势 He-HBr体系     

电子氢原子碰撞电离能量微分截面和总截面的理论计算

利用扭曲波玻恩交换（ＤＷＢＥ）近似方法对电子－氢原子碰撞电离截面进行了计算，计算所得总截面和能量微分截面均与最新的实验结果进行了比较，比较结果显示本计算与实验有较好的符合。还给出了能量微分截面的高斯拟合公式，文中对实验与理论计算存在的一些差距进行了讨论。 关键词：     

Ne-HCl相互作用势及微分散射截面的研究

使用Huxley解析势能函数拟合在CCSD(T)/aug-cc-pV5Z-33211理论水平下精确计算的相互作用能数据,得到了Ne-HCl复合物的相互作用势.在此基础上,我们首次完成了入射能量分别为40,60,75和100 meV时,Ne-HCl碰撞微分散射截面的密耦计算,并获得了总微分截面、弹性微分截面和转动激发微分截面随散射角变化的趋势.我们希望计算结果能对Ne-HCl散射的实验和理论研究提供参考信息.     

低能He原子与Li_2分子碰撞散射截面理论计算

利用Fuchs势模型和密耦方法对He-Li2碰撞体系低能散射截面进行理论计算,研究了He-Li2碰撞体系的散射总截面随能量的变化、微分截面随角度的变化、分波截面随总角动量的变化以及与入射能量之间的关系,并总结了量子效应随入射能量的变化规律.     

电磁场中光子-轴子的转化微分截面

运用费曼微扰方法分别计算了在磁偶极场、电偶极场和均匀静电场及静磁场中光子转化成轴子的非极化微分截面.在电偶极场中,沿光子传播方向及其反方向上的非极化微分截面为零;而在磁偶极场中,在上述方向上通常则具有非零的微分截面,但当光子传播方向平行于磁场偶极距矢量时,该微分截面为零.在均匀的静磁场和均匀静电场中,只有在光子传播方向及其反方向上具有非零的微分截面,但后者小于前者.在轴子质量趋于零的极限条件下,上述过程和光子转化为引力子的过程表现出某些非常类似的性质. 关键词： 轴子 光子 微分截面     

中、高能电子被SO2分子散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面

在考虑分子内成键原子间的电子云重叠效应的基础上, 提出了一种能够准确计算“中、高能电子-分子”散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面的修正势方法. 利用可加性规则、使用Hartree-Fock波函数并采用被这一方法修正过的复光学势, 在100—1000eV内对电子被SO₂分子散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面进行了计算, 并将计算结果与实验及其他理论结果进行比较. 结果表明, 利用这一修正过的复光学势及可加性规则获得的微分截面比利用未修正的复光学势及可加性规则得到的结果准 关键词： 可加性规则 微分截面 动量转移截面 电子散射     

He-NO碰撞体系微分截面的理论计算

首先用Huxley势函数形式拟合了在RCCSD(T)/aug-cc-pVTZ+bf理论水平下计算的He-NO相互作用能数据，获得了He原子与NO分子相互作用的各向异性势，然后采用密耦近似方法计算了He-NO碰撞体系的总微分截面、弹性微分截面和非弹性微分截面，并总结了微分散射截面的变化规律. 结果表明，拟合势不但表达形式简洁，而且较好地描述了He-NO系统相互作用的各向异性特征；利用碰撞体系分子间势的量子化学从头计算结果,可解决势能参数难以确定的问题，对进一步研究原子与分子碰撞机理有一定参考价值. 关键词： 各向异性势 势能参数 密耦近似 微分截面     

一种不含自由参数的正电子吸收势

在准自由电子气模型的基础上得到一种不含自由参数的正电子吸收势，把它作为光学势的虚部，计算了能量在最小非弹性阀值到１００ｅＶ范围内正电子被Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ原子散射的总截面和能量为２００ｅＶ和３００ｅＶ时的散射微分截面，计算结果与实验进行了比较。     

中高能电子和N_2（~1∑_g~＋）、CO（~1∑~＋）弹性散射全截面的计算

此文采用由原子轨道线性组合构成的自洽场分子轨道（ＳＣＦ－ＬＣＡＯ－ＭＯ），用一级玻恩近似（ＦＢＡ）计算了能量为１００－５０００ｅＶ的电子与弹性散射的微分截面和全截面。由于采用了Ｇａｕｓｓ函数的线性组合拟合Ｓｌａｔｅｒ函数的方法（ＳＴＯ－ＫＧ），得到了弹性散射微分截面的解析表达式，使计算大大简化。计算得到的电子和Ｎ２，ＣＯ散射的总截面和实验结果进行了比较，当入射电子的能量大于１ｋｅＶ时，理论值和实验值之间符合得很好。     

中高能电子被O2及CF4分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面

利用可加性规则，使用Roothaan-Hartree-Fock波函数，采用由束缚原子概念修正过的复光 学势，在300—1000eV内若干个能量点处计算了电子被O₂及CF₄分子 散射的微分截面、 弹性积分截面及动量转移截面，并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较. 比较的结果表明，利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算，所得微分 散射截面的精度要比利用未修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果准确得多；同 时，计算得到的弹性积分截面及动量转移截面也比较接近实验值.因此，在复光学势中采用 束缚原子概念可提高电子被分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面的计算准确 度. 关键词： 电子散射 可加性规则 微分截面 弹性积分截面     

中、高能电子被SO2分子散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面

在考虑分子内成键原子间的电子云重叠效应的基础上,提出了一种能够准确计算“中、高能电子-分子”散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面的修正势方法.利用可加性规则、使用Hartree-Fock波函数并采用被这一方法修正过的复光学势,在100—1000eV内对电子被SO2分子散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面进行了计算,并将计算结果与实验及其他理论结果进行比较.结果表明,利用这一修正过的复光学势及可加性规则获得的微分截面比利用未修正的复光学势及可加性规则得到的结果准确得多,计算得到的动量转移截面及弹性积分截面在入射电子能量不低于200eV时也都比较接近实验值.     

激光-电子康普顿散射物理特性研究

对激光-电子康普顿散射物理特性即能量特性和微分截面角分布进行了仔细的研究.计算结果显示出光子能量和微分截面角分布的简单结构.康普顿散射X射线光源具有散射光子的能量易调节、方向性好等特点.在入射电子束能量很高时,X射线近乎单向出射.光源色散度较大,但实验上可以获得色散（带宽）小的X射线.对于各种波长的激光,在很宽的电子束能量范围（1 MeV—10 GeV）内,散射X射线光子的总截面和前向发射圆锥内（半圆锥角1/γ,其中γ=E/m₀ 关键词： 康普顿散射 能量特性 微分截面 角分布     

中高能电子被O2及CF4分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面

利用可加性规则,使用Roothaan-Hartree-Fock波函数,采用由束缚原子概念修正过的复光学势,在300-1000 eV内若干个能量点处计算了电子被O2及CF4分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面,并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较.比较的结果表明,利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算,所得微分散射截面的精度要比利用未修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果准确得多;同时,计算得到的弹性积分截面及动量转移截面也比较接近实验值.因此,在复光学势中采用束缚原子概念可提高电子被分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面的计算准确度.     

不变振幅的不同投影选择对核子自能与碰撞截面的影响

本文利用Dirac-Brueckner-Hartree-Fock方法,对不同散射道的核子在核物质中的相互作用进行了细致分析,重点分析了不变振幅的不同投影选择对核物质中核子自能和核子碰撞截面的影响.计算结果显示:1)在确定的核子动量下,自旋三重态所对应的自能总是大于自旋单态的自能;同位旋三重态所对应的自能大于同位旋单态的自能值.2)在完全赝矢(CPV)选择下,不同散射道的核子自能对于动量的依赖均明显弱于在赝标(PS)选择下的相应值,而这种差别主要来自于总角动量J较小的分波态.3)在核子相对动量较小时,两种不同选择所对应的核子微分截面较大.4)在确定的入射能量下,质心系中散射角较小时,不同选择下的微分截面差别较为明显.5)在低入射能区,CPV选择下所对应的微分截面大于PS下的微分截面值.6)在CPV选择下的总截面总是大于PS选择下的总截面值.这些差别均随着随入射能量的增大而消失.     

低能氖原子与H2(D2、T2)分子碰撞微分截面的研究

用密耦方法及Tang-Toennies势模型计算了Ne-H2(D2、T2)碰撞体系的转动激发碰撞截面,得到了H2分子的对称同位素替代情形下Ne-H2(D2、T2)三碰撞体系总截面及微分截面的变化规律.     

核连续态之间的直接辐射俘获跃迁

本文推导了计算跃迁到连续终态的直接辐射俘获截面公式,跃迁振幅包括两项,分别对应势阱散射-势阱散射跃迁与势阱散射-复合核散射跃迁.以¹¹B(p,γ₁₉)为例的数值计算表明,在合理的参数范围内,仅仅考虑直接俘获机制就有可能给出这一反应实验结果的一些主要特征,并且上述两项的贡献为同一数量级.还讨论了结果的物理意义.