半导体材料的发展及现状

介绍了半导体材料近10年来的开发、研制状况及其在半导体器件和电路中的应用；对其中一些材料进行了分析比较；描述了半导体新型材料的发展前景。     

化合物半导体材料制片技术探讨

本文主要探讨化合物半导体材料磨片、抛光工艺中与表面质量有光的因素,并对一些不利因素提出了改进措施。     

半导体器件材料应力性质的研究

1　引言应力是表征微电子薄膜质量的关键指标 ,对器件的可靠性、性能和工艺成品率有着极其重要的影响。随着器件集成度的提高和新工艺的应用 ,薄膜应力对器件的影响越来越大。近几年来 ,材料应力的作用已成为国际上器件可靠性物理研究的重要领域 ,国内也已有应力引起器件失效的报道。迫切需要开展大圆片上介质薄膜应力及其分布规律的研究。国际上对器件材料应力及其与器件性能关系的研究非常重视 ,各大半导体生产厂家和仪器厂家都投入了较大的人力、物力进行研究 ,在器件材料应力的产生原理、测量方法、测量仪器、材料应力的规律性研究等方…     

导电聚合物—新型半导体器件材料

阐述了新型半导体器件材料－导电聚合物的基本特性概况，介绍它们在场效应晶体管，光发射二极管及其太阳池应用中的进展情况。     

宽禁带半导体材料及器件

以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展,然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射、耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围等都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。而以SiC、GaN、金刚石为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、     

从国际半导体设备及材料西部展览会看半导体设备发展趋势与策略

半导体设备及材料国际组织(SEMI)于1992年6月16至18日在美国旧金山举办了一年一度的国际半导体设备及材料西部展览会.展览会规模很大,参展公司约1110家,展位2800个,展馆建筑面积为120万平方英尺;参展和参观人数约7万人.展出的产品涉及超大规模集成电路的设计、制造及测试等各个方面所需的设备和材料,品种齐全多样,IC设计     

SiGe材料及其在半导体器件中的应用

介绍了SiGe材料的发展历史、特性、制备方法及其在半导体器件中的应用。     

毫米波化合物半导体材料研究进展

毫米波集成电路成为毫米波系统应用中必不可少的核心技术,化合物半导体材料砷化镓、磷化铟无疑在毫米波集成电路制造中占据重要地位,继砷化镓、磷化铟占据毫米波芯片衬底材料主流之后,以氮化镓材料为代表的第三代半导体材料逐渐成为目前国际毫米波芯片制造的材料研究热点。本文对以砷化镓、磷化铟、氮化镓为代表的毫米波化合物半导体材料技术及其发展,进行了总结与展望。     

超高速化合物半导体器件

以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例，介绍化合物半导体器件的特点，封装，测试及其应用。     

半导体材料与器件九十年代最新进展

本文分别从单晶的尺寸、质量、新型器件、微加工及其集成度和性能几方面报导半导体材料与器件九十年代的世界水平。