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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 87 毫秒
1.
用分子轨道理论推导了3d^3离子在立方晶体场中的哈密顿矩阵,并计算了V^2+在ZnS中的吸收光谱.与其他近似方法相比较,该计算结果与实验符合得好,表明V^2+在ZnS中,共价因素和Racah参量A的贡献是很大的.理论计算出的一条近红外谱线有待实验的进一步检验.  相似文献   

2.
采用双zeta d轨道模型,利用完全对角化的方法统一地解释了掺有V2+离子杂质的α-Al2O3晶体的吸收光谱和电子顺磁共振谱,所得结果与实验符合得很好.不仅考虑到了掺杂后杂质的占位,而且还研究了掺入V2+离子后对氧配体的位置的影响,结果显示氧配体将沿径向远离V2+离子移动.  相似文献   

3.
应用V^3 的Watson自洽场d-轨函计算出了Racah静电参量A0、B0、C0和用完全对角化方法计算了ZnS:V^3 的光谱和基态g因子,并比较了Racah静电参量A0对光谱能级的贡献,计算结果与实验结果符合得较好。此外,还讨论了共价因子对能级的影响。  相似文献   

4.
用对角化完全能量矩阵方法和微扰方法计算了分别由辛基胺(R3N, TOA)和辛基磷化物(R3PO, TOPO)二种物质在盐酸溶液中萃取的四角V4+离子化合物的光谱带和电子顺磁共振(EPR)参量. 计算结果表明, 由这二种微观理论方法计算的光谱带和EPR参量不仅互相非常接近, 而且也与实验值较好的符合. 这说明人们可以用这二种方法来研究固体中3d1过渡金属离子基团的光谱和EPR谱.  相似文献   

5.
Cu+对 ZnS:Cu电致发光材料光致发光光谱的影响   总被引:1,自引:2,他引:1  
以ZnS为基质材料,在其中掺入Cu+,使其质量比分别为0.05%,0.10%,0.15%,0.20%,0.25%,制得5个不同的ZnS:Cu电致发光材料样品.通过对样品材料光致发光光谱的分析和电致发光亮度的测量,发现随着Cu+含量的增加,样品材料的光致发光光谱波长由480 nm逐渐变为520 nm,即由蓝色变为绿色.当Cu+的质量比高于0.15%,虽然发光中心数目增加,但光致发光光谱的强度降低,电致发光亮度减弱.得出结论:Cu+与ZnS的质量比为0.15%时,ZnS:Cu电致发光材料的光致发光光谱峰值最大,电致发光亮度最高.  相似文献   

6.
7.
搜索引擎用短语词典能够有效地改善和提高信息检索的性能,"V+N1+N2"型结构是一种常见汉语短语结构.本文基于搜狗语料,分别从各组成要素特点、语义特征以及句法功能,对"V+N1+N2"型动词短语和名词短语进行统计分析和相关数据处理.针对不同语义关系,在不改变原语义的条件下,提出了相应的转换模式,为搜索引擎用短语词典的构建提供了理论支撑.  相似文献   

8.
通过对Mn^2+的实验值进行半经验的拟合,得到了它的3d电子波函数,并利用晶体场理论中的点电荷模型,计算也MnF2晶体的吸收光谱,计算结果与实验值吻合很好。  相似文献   

9.
采用ZnS:Cu2+应力发光粉末与聚二甲基硅氧烷(PDMS)混合制备ZnS:Cu2+-PDMS应力发光薄膜。利用数字图像相关(DIC)方法对ZnS:Cu2+-PDMS应力发光薄膜进行轴向拉伸测试,获得其全场变形、应变分布信息,证实其具有良好的柔弹性形变性能。将ZnS:Cu2+-PDMS应力发光薄膜应用于混凝土断裂监测中。监测结果表明:ZnS:Cu2+-PDMS应力发光薄膜在混凝土裂缝扩展过程中发光效果明显,可以较好地实现混凝土断裂过程的可视化监测。  相似文献   

10.
苏红莲 《科技信息》2006,(10):252-253
V1+N+V2结构在汉语和英语中的表现形式有着具体的、规律性的区别,这一区别会对语言的习得过程产生一定的影响.本文在对两种语言中不同句法结构的对比中,解释了英语中的SVOC结构和汉语中的兼语式、连动式之间的异同,分析了动词本身和这种差异性的关系,从而加深学习者对这一结构的理解和学习.  相似文献   

11.
利用改进的Ginder-Epstein模型计算了翠绿亚胺聚合物在参数V4,0取值于1.8~35.8eV的自洽变分基态并通过芳环扭角的变化来估算聚合物压强,给出了V4,0、芳环扭角及能隙与理论压强之间的变化关系,并作出了不同理论压强下的理论吸收谱.结果表明,随此参数的增大芳环扭角和能隙都缩减而理论压强升高.当理论压强由零压增至饱和压强3.0GPa左右时,翠绿亚胺聚合物π-π*吸收峰由2.01eV蓝移至最小值0.87eV.此理论谱供压力定标参考.  相似文献   

12.
介绍了3d4/3扩离子在立方晶体场中动态Jahn-Teller矩阵的推导,分析了动态Jahn-Teller效应对Fe^2+在Ⅲ-Ⅴ半磁半导体InP和GaP中光谱的影响,计算结果与实验符合,表明在Fe^2+半磁半导体中,比经典晶体场理论分析多出的许多分裂谱线是Fe^2+离子与半导体晶格间的动态Jahn-Teller效应引起,还预测了其他Jahn-Teller效应分裂谱.  相似文献   

13.
介绍了3d4/3d6离子在立方晶体场中动态Jahn-Teller矩阵的推导,分析了动态Jahn-Teller效应对Fe2 在III-V半磁半导体InP和GaP中光谱的影响,计算结果与实验符合,表明在Fe2 半磁半导体中,比经典晶体场理论分析多出的许多分裂谱线是Fe2 离子与半导体晶格间的动态Jahn-Teller效应引起,还预测了其他Jahn-Teller效应分裂谱.  相似文献   

14.
该文考虑了d电子t2g轨道和eg 轨道局域性差别的影响 ,并计及Racah参量A对光谱跃迁的贡献 ,导出了 3d7电子组态在Td 对称下的哈密顿矩阵公式 .从理论上研究了Co2 + :MgGa2 Se4 中Co2 + 离子的吸收光谱 ,理论结果与实验结果吻合很好 .  相似文献   

15.
用密度泛函理论方法(DFT),优化得到了纯碳簇分子G5的基态平衡几何构型.除了已知的三个异构体[1-C5(X1∑+R),r-C5(X1A1)和t1-C5(X1A1)]外,又发现了基态势能面上两个新的异构体:t2-C5(X1A1)和b-C5(X3B2).采用全活化卒间二阶微扰理论(CASPT2)方法和cc-pVTZ基组计算了它们的垂直激发能.对于线性的C5(1-C5),相应的11Ⅱu←X1∑+R和21Ⅱu←X1∑+R的垂直激发能分别为2.91 eV和5.69 eV.理论计算值与实验结果符合得较好.  相似文献   

16.
用基团模型的3d^7离子在三角对称下的高阶微扰公式计算了CsMgCl3晶体中Co^2+杂质中心的g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥和A⊥。计算中,不仅考虑了基态和激发态间的组态相互作用效应,而且考虑了3d^7离子d轨道与配体p轨道之间的共价效应,与这两种效应相关的参数可由所研究晶体的光谱和结构数据得到。在考虑了键长与键角的微弱畸变后,理论计算值与实验观测值符合较好。  相似文献   

17.
通过溶胶-凝胶法获得块材ZnS纳米颗粒/介孔SiO2组装体系(ZnS/SiO2)样品,分别在氮气和空气气氛中做了退火处理,发现吸收边位置随复合量和退火温度不同而移动,经计算颗粒的理论值与其自由激子半径相当,说明吸收边的移动起因于量子限域效应。  相似文献   

18.
用密度泛函理论B3LYP方法和6-311 G**基函数对LiH 和LiH-分子离子进行理论计算研究.结果表明,这两个分子离子的基态均为X2∑,其势能函数可以用Murrll-Sorbie来表达.通过势能函数参数得到分子离子的光谱数据.  相似文献   

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