铒注入Si（100）的结晶和掺杂规律研究

研究了Ｓｉ（１００）注入铒后所形成的表面非晶层在不同退火温度下的固相外延结晶以及铒的迁移和掺杂规律。结果表明，表面非晶层先以基体单晶硅为晶种固相外延结晶，铒在晶体－非晶界面偏析，但当铒偏析聚集到一定浓度时则外延结晶停止，剩余损伤层变为多晶结构。在３５０ｋｅＶ的高剂量注入下，再结晶区域内的最大掺杂浓度随退火温度的增加而降低，但对１５０ｋｅＶ的低剂量注入，观察到８５０℃退火温度下掺杂浓度的反常增强。     

Bi3+敏化的SrSiO3:Eu3+,Bi3+发光体的合成与发光

本文采用高温固相扩散法合成出一种新的发光体ＳｒＳｉＯ３：ｅＵ＾３＾＋，Ｂｉ＾３＾＋。研究了激活剂Ｅｕ＾３＾＋与敏化剂Ｂｉ＾３＾＋浓度变化与发光强度的关系。实验发现，组成为Ｓｒ０．８１７Ｌｉ０．０９１５ＳｉＯ３：Ｅｕ＾３＾＋０．０７５，Ｂｉ＾３＾＋的发光体其发光强度最大。给出了发光体ＳｒＳｉＯ３：Ｅｕ＾３＾＋，ＳｒＳｉＯ３：Ｅｕ＾３＾＋，Ｂｉ＾３＾＋的激发光谱与发光光谱；测定了发光体的Ｘ射线粉...     

CrOx/SiO2催化剂上丙烷在CO2气氛中脱氢反应的研究

采用ＸＲＤ、ＵＶ－ｖｉｓ　 ＤＲＳ、ＥＳＲ和微分吸附量热等技术,考察了铬担载量分别为２．５、５和 １０ｗｔ％的 ＣｒＯｘ／ＳｉＯ２催化剂的结构、表面性质和氧化还原性能。结果表明,催化剂表面上存在多种Ｃｒ的氧化态和聚集形式。随着Ｃｒ担载量从２．５ｗｔ％到１０ｗｔ％的逐渐增大,催化剂表面占主导地位的Ｃｒ物种由ＣｒＯ３单体转为多聚ＣｒＯ３和Ｃｒ２Ｏ３晶相。在 ＣＯ２气氛中催化剂对丙烷转化率和丙烯选择性的大小顺序为 ２． ５ｗｔ％ ＣｒＯｘ／ＳｉＯ２ ＞５ｗｔ％ ＣｒＯｘ／ＳｉＯ２＞１０ｗｔ％ ＣｒＯｘ／ＳｉＯ２,反应过程中的原位 ＥＳＲ和 ＵＶ－ｖｉｓＤＲＳ测定结果表明,催化剂表面的反应活性中心为Ｃｒ５＋, Ｃｒ５＋可由催化剂预处理过程中 Ｃｒ３＋的氧化及丙烷反应过程中 ＣｒＯ３单体的还原产生,在反应中 ＣＯ２可使Ｃｒ３＋重新氧化为Ｃｒ５＋。     

ICP—AES用于铋系超导体块材及薄膜的组分分析

本文研究了一个简便，快速的用ＩＣＰ－ＡＥＳＢｉ（Ｐｂ）ＳｒＣａＣｕＰｂＯ，Ｂｉ（Ｐｂ，Ｓｂ）Ｓｒ－ＣａＣｕＯ，Ｂｉ（Ｐｂ，Ｙ）ＳｒＣａＣｕＯ超导体块材及薄膜中Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｙ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕ含量的方法。样品溶解在５０％ＨＣｌ及５０％ＨＮＯ３的混合酸中，直接引入等离子体光谱中进行测定。对共存元素的相互干扰及基片成分的干扰进行了研究。分析了大量样品，给出了各组分的挥发情况及Ｐｂ的挥发量与烧结温度     

应用渐进因子分析法研究了SiO2／Si样品俄歇深度剖析

首次利用渐进因子分析法对ＳｉＯ２／Ｓｉ样品俄歇深度剖析过程进行研究，发现ＳｉＯ２／Ｓｉ界面处有ＳｉＯｘ成分存在，ｘ值在１．０～１．５之间，厚度约为３０ｎｍ，含量接近５０％，Ａｒ＾＋离子束的轰击使得ＳｉＯ２薄膜内分解产生亚稳态ＳｉＯ２含量在１７％左右，研究结果表明，渐进因子分析法非常适合于俄歇深度剖析的化学态分析。     

稀土对SiMnCr和SiMnMo结构钢回火脆性的影响

研究了ＳｉＭｎＣｒ钢和ＳｉＭｎＭｏ钢低温回火过程中机械性能的变化。稀土对低温回火时的材料强度没有明显的影响。ＳｉＭｎＣｒ钢和ＳｉＭｎＭｏ钢分别在３５０和４００℃存在ＴＭＥ谷底值；稀土对谷底值的温度虽然没有影响，却可以在一定程度上改善其数值。稀土改善回火脆性是细化晶粒和抑制奥氏体晶界脆化作用的结果。     

退火对射频溅射法制备a—Si：H：Y合金薄膜结构和性质的影响

对射频溅射法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ：Ｙ薄膜进行电子衍射、红上吸收和卢瑟福级散射测试，结果表明，退火可从以下几方面摹结构和性质，使合金膜晶化，从非晶态向多晶或单晶态转化，改变原子间的键合状态，将某些Ｓｉ－Ｈ键断裂，形成更多的Ｓｉ－Ｙ键；Ｙ原子向Ｓｉ衬底方向扩散，使膜表面Ｙ的浓度降低，Ｓｉ：Ｙ的合金层厚度增大。     

应用渐进因子分析法研究SiO_2/Si样品俄歇深度剖析

首次利用渐进因子分析法对ＳｉＯ２／Ｓｉ样品俄歇深度剖析过程进行研究，发现ＳｉＯ２／Ｓｉ界面处有ＳｉＯｘ成分存在，ｘ值在１０～１５之间，厚度约为３０ｎｍ，含量接近５０％。Ａｒ＋离子束的轰击使得ＳｉＯ２薄膜内分解产生亚稳态ＳｉＯ２，含量在１７％左右。研究结果表明，渐进因子分析法非常适合于俄歇深度剖析的化学态分析。     

退火对射频溅射法制备a-Si∶H∶Y合金薄膜结构和性质的影响

对射频溅射法制备的ａＳｉ∶Ｈ∶Ｙ薄膜进行电子衍射、红外吸收和卢瑟福背散射测试，结果表明，退火可从以下几方面改变膜的结构和性质：使合金膜晶化，从非晶态向多晶或单晶态转化；改变原子间的键合状态，使某些ＳｉＨ键断裂，形成更多的ＳｉＹ键；Ｙ原子向Ｓｉ衬底方向扩散，使膜表面Ｙ的浓度降低，Ｓｉ∶Ｙ合金层厚度增大。     

Fe—RE磁性多层膜的结构稳定性研究

用真空双源蒸镀法在ＮａＣｌ和Ｓｉ单晶衬底上沉积了ＲＥ－Ｆｅ（ＲＥ：Ｄｙ、Ｙ）成分调制多层膜，借助透射电子显微镜（ＴＥＭ）热台及真空退火方式研究了多层膜受热过程中的结构变化规律。受热温度≤２００℃时，多层膜各单层的非晶结构不发生显著变化，且成分调制结构不被破坏，因此，可以认为非昌单支在多层膜在２００℃以下的结构是稳定的。     

Eu^2＋和Mn^2＋在Sr3MgSi2O8中的光致发光研究

研究了Ｅｕ＾２＋和Ｍｎ＾２＋共激活的Ｓｒ３ＭｇＳｉ２Ｏ８的荧光性质。Ｅｕ＾２＋和Ｍｎ＾２＋在４６０ｎｍ和６９０ｎｍ的发射峰分别由Ｅｕ＾２＋的５ｄ→４ｆ跃迁和Ｍｎ＾２＋的＾４Ｔ１（＾４Ｇ）→＾６Ａ１ｇ（＾６Ｓ）跃迁产生。未观察到单掺杂Ｍｎ＾２＋的Ｓｒ３ＭｇＳｉ２Ｏ８的荧光发射，而掺入Ｅｕ＾２＋后则出现了Ｍｎ＾２＋的６９０ｎｍ光致发光峰，表明Ｅｕ＾２＋对Ｍｎ＾２＋有敏化作用。Ｅｕ＾２＋的荧光寿命也受Ｍ     

SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF C_（60）NAr，THE FIRST AZIRIDINE FULLERENE DERIVATIVE

ＳＹＮＴＨＥＳＩＳＡＮＤＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＺＡＴＩＯＮＯＦＣ_（６０）ＮＡｒ，ＴＨＥＦＩＲＳＴＡＺＩＲＩＤＩＮＥＦＵＬＬＥＲＥＮＥＤＥＲＩＶＡＴＩＶＥ￥ＪｕｎＦＥＮＧ，ＪｉＳｈｅｎｇＬａ，ＧｕｏＸｉａｏＤＯＮＧ，ＧａｉＪｉａｏＪＩ（Ｉｎｓｔｉｔｕｔ?..     

三羰基环戊二烯基钼负离子与1,3—二卤丙烷的反应

三羰基环戊二烯基钼负离子与１，３－二卤丙烷在一缩二乙二醇二甲醚介质中反应，生成环卡宾配合物ＣｐＭｏＸ（ＣＯ２）ＣＯ（ＣＨ２）２ＣＨ２（Ｘ＝Ｂｒ．Ｉ）硅桥连双环戊二烯基三羰基钼负离子与１，３－二卤丙烷顺利地进行类似反应，生成相应的硅桥连双（环卡宾钼配合物）－Ｅ（Ｃ５Ｈ１ＭｏＸ（ＣＯ）２ＣＯ（ＣＨ２）２ＣＨ２）２（Ｅ＝Ｍｅ２Ｓｉ，Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２，Ｍｅ２ＳｉＯＳｉＭｅ２），化合物硅氧硅桥联二茂二钼     

用俄歇参数法研究SiO2／Si界面层硅元素过渡态

本文报道了俄歇参数法用于ＳｉＯ２／Ｓｉ界面层硅过渡态的研究。使用一种新的ＡｌＫα－ＡｇＬα混合Ｘ射线激发源，获得了界面层上Ｓｉ２Ｐ，ＳｉＫＬＬ谱峰。给出了从表面到界面硅的化学状态变化与俄歇参数值。     

Eu^3＋,Bi^3＋Me2Y8（SiO4）6O2中的发光特性与取代格位

在紫外光激发下，Ｅｕ＾３＋和Ｂｉ＾３＋在Ｍｅ２Ｙ８（ＳｉＯ４）６Ｏ２基质（Ｍｅ＝Ｍｇ，Ｚｎ，Ｃａ，Ｓｒ）中分别发射红光（＾５Ｄ０－＾７Ｆ２）和蓝光（＾３Ｐ１－＾１Ｓ０）．Ｅｕ＾３＋发光的红橙比随着激发波长和Ｍｅ＾２＋的不同而变化。荧光拉曼光谱表明，Ｅｕ＾３＋在四种基质中同时占据了４ｆ格位和６ｈ格位。依据Ｂｉ＾３＋发光的Ｓｔｏｋｅｓ位移推断，当Ｍｅ＝Ｃａ，Ｚｎ时，Ｂｉ＾３＋主要占据４ｆ格位，而当Ｍｅ     

结晶紫与卤素或卤酸根离子共吸附的近红外表面增强喇曼散射

采用近红外激光（１０６４ｎｍ）激发和扫描式双光栅单色仪研究了卤素、卤酸根离子及吡啶对结晶紫近红外表面增强喇曼散射光谱（ＮＩＲ－ＳＥＲＳ）的影响．揭示了这些离子（或分子）与结晶紫及银表面的相互作用．Ｃｌ－、Ｂｒ－、Ｉ－、ＢｒＯ－３离子及吡啶均能引起结晶紫ＮＩＲ－ＳＥＲＳ的明显增强，而ＣｌＯ－３和ＩＯ－３离子则不能．观察到ＮＩＲ－ＳＥＲＳ中化学增强的直接证据，并估算了化学增强因子．Ｃｌ－、Ｂｒ－、Ｉ－和ＢｒＯ－３离子引起结晶紫ＮＩＲ－ＳＥＲＳ的化学增强因子分别约为４９、７７、１５和３６．     

HDEHP萃取Ga（Ⅲ）的动力学

用生长液滴法研究了ＨＤＥＨＰ在盐酸介质中萃取Ｇａ（Ⅲ）的动力学，结果表明，萃取反应速率取决于发生在界面区域内两步连续反应Ｇａ３＋＋Ａｉ－＝ＧａＡｉ２＋ＧａＡｉ２＋＋Ａｉ－＝ＧａＡ２＋ｉ研究了阴离子表面活性剂ＳＤＳ、ＡＢＳ对ＨＤＥＨＰ萃取Ｇａ（Ⅲ）的影响，二者均不改变ＨＤＥＨＰ萃取Ｇａ（Ⅲ）的分配比，但使其正向萃取初始速率降低，原因是表面活性剂与萃取剂在界面上发生了竞争吸附；其次是表面活性剂的加入导致了界面膜上分子排列更致密和界面膜增厚，产生了更大的传质阻力。     

负载型双氯基桥联双核钼(Ⅴ)催化剂的合成、表征及其催化合成碳酸乙烯酯的性能

用表面反应改性法合成了ＭｏＯＣｌ／ＳｉＯ２催化剂。分析测定结果表明：钼（Ⅴ）离子夺ＳｉＯ２表面以双齿配位形式与表面氧刍合;双核钼（Ⅴ）间以ｕ－双氯基桥联。用ＩＲ,ＴＰＤ,ＴＰＳＲ－ＭＳ和ＴＰＳＲ－ＩＲ研究了ＭｏＯＣｌ／ＳｉＯ２催化剂对ＣＯ２与ＥＯ（环氧乙烷）的化学吸附特性及催化合成ＥＣ（碳酸乙烯酯）的反应性能。结果表明：ＣＯ２在催化剂表面形成桥式吸附态,桥基配体是表面反应的活性中心;ＥＯ在催化剂表     

钠助剂对Fe/SiO_2催化剂结构及其催化甲烷氧化偶联反应性能的影响(英文)

以二氧化硅担载铁氧化物（１ｗｔ％ Ｆｅ／ＳｉＯ２）为探针,结合ＸＲＤ、ＸＡＮＥＳ以及ＥＸＡＦＳ分析结果首次从表面配位几何的观点讨论了钠助剂对Ｆｅ／ＳｉＯ２催化剂结构及其甲烷氧化偶联反应性能所产生的影响。ＸＲＤ分析表明,Ｆｅ／ＳｉＯ２经８００℃焙烧后仍保持无定形特征,添加钠助剂并经８００℃焙烧后,Ｎ２Ｆｅ／ＳｉＯ２已转化为α－方石英结构。Ｆｅ／ＳｉＯ２的ＥＸＡＦＳ拟合结果显示,铁中心被５个近邻氧环绕,平均Ｆｅ－Ｏ键长为０．１９４ｎｍ。与Ｆｅ／ＳｉＯ２相比,Ｎａ－Ｆｅ／ＳｉＯ２的径向结构函数谱中最强峰的相对强度提高了１／４,表明形成了一个更加密集的Ｆｅ－Ｏ壳层。拟合结果表明围绕中心铁原子０．１８９ｎｍ处平均有４．１个氧近邻。Ｆｅ－Ｋ边ＸＡＮＥＳ谱表明钠的参与使催化剂的活性组分由配位不饱和的八面体位逐渐向四配位四面体位迁移。甲烷氧化偶联反应结果显示,添加钠助剂后甲烷转化率有所下降,但是Ｃ２烃的选择性提高了近４２个百分点,ＣＯｘ的选择性则明显下降。说明钠的引入使催化剂的表面结构发生变化,所形成的多数四面体／少数八面体混合结构有效地抑制了甲烷的深度氧化,乙烯乙烷的选择性明显提高。     

Cr-AlN界面的二次离子质谱研究

采用电子束蒸发的方法在２００℃抛光的氮化铝（ＡｌＮ）陶瓷衬底上淀积２００ｎｍ的Ｃｒ膜，并在高真空中退火。利用ＭＣｓ＋－ＳＩＭＳ技术（在Ｃｓ＋一次离子轰击下检测ＭＣｓ＋型二次离子）对样品进行了深度剖析，给出了界面组分分布随退火温度与时间的变化关系。结果表明，ＭＣｓ＋－ＳＩＭＳ技术是研究金属－陶瓷界面扩散与反应的有效方法。