溶剂极性对聚硅烷性质影响的理论研究

在密度泛函理论B3LYP/6-311G**水平上,通过自洽反应场(SCRF)系统研究了溶剂的极性对聚硅烷Si6H14基态分子结构、Natural电荷分布及能量性质的影响,发现溶剂效应对聚硅烷Si6H14几何结构影响不大,而Natural电荷分布、能量有不同程度的变化.     

链状聚硅烷的导电性质和电子状态

本文讨论了链状聚硅烷的导电性质，简要介绍了关于该聚合物的电子状态的一些理论研究结果，以此解释了链状聚硅烷的导电性质。     

聚硅烷高分子化学的发展及应用

本文介绍了聚硅高分子的合成方法、紫外吸收、光敏性、导电性等一系列特殊性质,聚硅烷高分子的化学反应以及聚硅烷材料的应用.     

聚硅烷的电化学合成

聚硅烷是一类链骨架中仅含硅原子的高聚物,主链的上的非定域σ键电子赋予了聚硅烷独特的光电性质,也是制备陶瓷材料的先驱体。电化学法是最近兴起且具发展前景的一种合成聚硅烷的方法,它是通过电解池中阴极还原氯硅烷来制取高聚物,反应条件温和,且能大大拓宽聚硅烷的功能化。本文就聚硅烷的电化学合成的实施方法;影响因素包括电解槽类型、电...     

聚硅烷链形状的Monte Carlo研究

用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法对θ溶液中考虑二级相互作用的聚硅烷链的形状进行了研究。结果表明聚硅烷链的形状明显偏离球形，它与链长有关，长链极限的比值＜Ｌ２１＞∶＜Ｌ２２＞∶＜Ｌ２３＞约为１∶２．７∶１２．１。还发现聚硅烷链转动惯量的最长主轴与末端距矢量之间夹角的统计平均值＜θ＞的极限值约为２７°。     

聚硅烷研究进展：（I）聚硅烷的合成及应用

聚硅烷的合成及应用因可溶性聚硅烷的发现而成为聚合物研究的又一热点。本文综述了聚硅烷合成与应用的近期发展。     

聚硅烷研究进展：（Ⅱ）聚硅烷的电子结构与电子光谱特性

聚硅烷的独特性质与其电子在主链上离域有密切关系，本文就聚硅烷的电子结构及电子光谱特性的研究作一综述。     

聚硅烷—类崭新的非线性光学材料

本文重点介绍了聚硅烷这类崭新的非线性光学材料,评述了其优点、研究现状、影响其三阶非线性光学特性的因素以及未来的发展方向.     

聚硅烷研究进展 (1)聚硅烷的合成及应用

聚硅烷的合成及应用因可溶性聚硅烷的发现而成为聚合物研究的又一热点。本文综述了聚硅烷合成与应用的近期发展。     

四苯(基)苯基聚硅烷、乙烯基聚硅烷以及二者共聚物的XPS研究

本文报道四苯(基)苯基聚硅烷、乙烯基聚硅烷以及它们的共聚物的X-射线光电子能谱(XPS)研究。由反映在C_(1s)和Si_(2p)的振起伴峰表征了分子中(P-P)_x、(P-d)_x和(d-d)_x键的存在,同时也探讨了它们各自的XPS价带谱特征。     

单分子器件电子输运性质的理论研究

对当前单分子器件的理论和实验的研究进展作了简短评述,并简要介绍电子输运理论,最后给出一个基于非平衡态格林函数电子输运理论的全自洽方法,研究单个水分子在Au(111)电极之间的输运性质的计算实例.研究结果表明由于水分子与电极之间存在较强的杂化作用,水分子的分立能级间距大,在小偏压范围内,水分子的特征已经被淹没在杂化能级之中.体系的电势变化主要发生在水分子局域区间,其电子输运行为主要是一个单通道过程.     

吡啶取代蒽衍生物电荷传输性质的理论研究

采用DFT,HF,CIS和TDDFT等方法对5个吡啶取代蒽衍生物的电子结构、光谱及电荷注入传输性能进行了计算与研究.结果表明,5种化合物的结构变化发生在相邻基团之间的二面角,电子光谱变化微小,最大发射波长约450nm.通过调节吡啶或苯的取代位置,可改变前线分子轨道能级、电离能、电子亲和势和重组能的大小,改善化合物的电荷注入传输性能.5种化合物中,DPyPA-MO的空穴和电子迁移速率较为突出,而DPyPA-OM具有最佳的电荷注入传输性能,有望成为电荷平衡性优良的蓝光材料应用于OLED.     

羧酸衍生物取代甲基苯基聚硅烷制备杂取代聚硅烷

以甲基苯基聚硅烷　(PhSiMe　) n为原料 ,在无水AlCl3 存在下 ,通过与酰氯、酸酐及酯的取代反应合成了氯代聚硅烷及一系列共聚物 .在乙酰氯的作用下 ,　(PhSiMe　) n上的苯基能够被近乎完全的取代而生成氯代聚硅烷 .一元酸酐 (乙酸酐和丙酸酐 )在用酰氧基部分取代聚硅烷上苯基的同时 ,进行得更多的还是Cl取代 .而顺丁烯二酸酐、邻苯二甲酸酐和乙酸乙酯则只进行不完全的Cl取代 ,根据分子活性的不同得到取代比率各不相同的共聚物 .初步分析了各反应的过程 ,讨论了影响反应的因素 ,同时对于各产物的荧光和紫外特性也进行了分析和讨论     

氟代寡聚噻吩系列衍生物的载流子传输性质的理论研究

基于密度泛函理论方法, 采用Marcus电荷转移公式, 分别从几何和电子结构、 重组能、 转移积分及迁移率等方面研究了氟代寡聚噻吩系列衍生物中噻吩环个数、 全氟代苯位置的改变及F原子的引入对体系载流子传输性质的影响. 计算结果表明, 化合物1b, 1c和1d的电子迁移率随着噻吩单元个数的增加而逐渐升高, 因此可以通过增加噻吩单元个数来提高其电子迁移率; 而对于化合物1d, 2a和2b而言, 氟代苯位置的改变对传输性质产生了较大的影响, 其中化合物1d具有良好的平面性和π-π堆积, 传输性能最好, 有望成为良好的双极性传输材料; 比较化合物2b与3可以发现, F原子的引入增大了化合物2b的载流子迁移率, 为实验设计高迁移率的传输材料提供了理论依据.     

理论研究BBPQ-PC61BM体系的光伏性质

探索和制备具有高能量转换效率（PCE）的有机太阳能电池体系是有机电子学的重要领域和研究热点。本文利用量子化学和分子动力学计算结合Marcus-Hush电荷传输模型理论研究了BBPQ-PC₆₁BM（BBPQ：7,12-二（（三异丙基甲硅烷基）乙炔基）苯并（g）吡啶并（2’,3’：5,6）吡嗪并（2,3-b）喹喔啉-2（1H）-酮;PC₆₁BM：（6,6）苯基-C₆₁-丁酸甲酯）体系的光伏性质。结果表明,BBPQ-PC₆₁BM体系具有相当大的开路电压（1.22 V）、高的填充因子（0.90）和高的光电转换效率（9%-10%）。此外,本文研究还发现BBPQ-PC₆₁BM体系拥有中等大小的激子结合能（0.607 eV）,但相对较小的激子分离和电荷复合重组能（0.345和0.355 eV）。借助于一个简单的分子复合物模型,本文预测BBPQ-PC₆₁BM体系的激子解离速率常数k_dis高达1.775×10¹³ s^-1,而预测的电荷复合速率常数k_rec相当小（<1.0 s^-1）,这表明在BBPQ-PC₆₁BM相界面上,激子解离效率非常高。总之,理论研究表明,BBPQ-PC₆₁BM是一个非常有前途的有机太阳能电池候选体系,值得实验上做出进一步研究。     

烷基芳基环聚硅烷[RArSi)n,n=5,6]的合成及其波谱性质

半个多世纪前 Kipping 最先报道了二芳基环聚硅烷(Ar_2Si)(?)的合成,其中 Ar=Ph,p-MeC_6H_4,n=4,5,6。但是直到四十年后,它们的结构才由 Gilman 证明。迄今研究最     

Au原子对并五苯传输性质影响的理论探讨

并五苯作为典型的空穴传输材料一直是人们研究的热点. 本文在密度泛函理论框架下结合Marcus理论重点讨论了并五苯-Au体系四种异构体的传输性质,从分子内重组能、转移积分和空穴传输速率三个角度研究了Au原子的引入对并五苯传输性质的影响. 计算结果显示,Au原子的引入使并五苯的重组能贡献主要由C-C单双键的伸缩振动转变为Au原子与并五苯之间的拉伸振动,并且这种拉伸振动随着Au原子从中心到边缘逐渐加强. 此外,Au原子的引入对分子间的转移积分也产生了一定的影响,造成了相对小的转移积分值,分析得出是由分子构型和轨道分布两方面共同作用的结果.     

枝状聚硅烷光学及其稳定性

聚硅烷;光学性能;光热稳定性;热降解动力学     

一种超支化聚硅烷的合成和性能

近年来,光电高分子的研究由于其在发光二极管、太阳能电池、光信息材料、传感器等方面的潜在应用而得到了广泛重视[1].自从英国剑桥大学Cavendish实验室的Burroughes等首次发现聚对亚苯基亚乙烯基的电致发光现象以来[2],共轭聚合物作为发光材料的研究迅速引起了人们的注意[3~5]     

硅桥调控的聚茂钒体系电子结构和输运性质

利用密度泛函理论和非平衡格林函数的方法对硅桥调控后的聚茂钒体系（[V（Cp）₂（SiH₂）_n]_m（n=1（a）,n=2（b）,n=3（c）;m=∞;Cp=环戊二烯基））的电子结构和输运性质进行了研究。研究结果表明：随着硅桥的增长,V-V的铁磁性耦合变弱而反铁磁性耦合增强。a和b证实为铁磁性基态,而c更倾向为反铁磁性基态。a和b的铁磁性基态中的每个钒原子的磁距为3.0μ_B,超过钒-苯络合物或者纯聚茂钒体系的3倍。a-c的输运性质同它们的电子结构相一致,导电性变化规律为c > b > a。对于a和b,自旋向下状态的导电性略强于自旋向上状态。a和c都发生了明显的负微分电阻效应而b却没有,这主要是由于两个二茂钒的排列取向不同：a和c（SiH₂为奇数）中二茂钒呈V-型取向排列,进而导致了类似于离子键的量子点耦合,而b（SiH₂是偶数）中二茂钒是平行-型取向排列,从而导致了类似于共价键的量子点耦合。此外,由于散射区和两个电极之间的不对称耦合,a-c的导电性对电压施加方向较敏感。