低能电子冲击下,混合有机分子薄膜中苯对正己烷离解的作用

本文报导了苯与正已烷二元有机混合吸附薄膜在低能电子(<50eV)轰击下正已烷的原位离解,研究了苯的加入对正已烷离解的影响及作用机制。发现苯增加了正已烷的离解,这种现象由苯与正已烷分子间的激发转移予以解释。     

低能电子在水中的弹性散射

基于平均散射截面概念,结合Mott截面,计算E≤10 keV范围低能电子在水中弹性散射的微分散射截面、总散射截面及弹性散射角概率分布,与应用Rutherford模型的计算结果及实验结果符合较好.在此基础上,给出一个低能电子在水中弹性散射的模拟方法,既严格可靠,又能够方便地应用于低能电子在水中径迹结构的模拟.     

低能电子穿越绝缘体微孔膜动力学过程研究

采用二维位置灵敏的微通道板探测器对能量为1500 eV的低能电子束穿过孔径为400 nm、未经照射过的的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)微孔膜后的全角分布以及时间演化进行了测量,同时采用自制的积分式能谱测量装置测量了穿透电子的能量分布。实验结果表明:在充电阶段,当入射电子束束流较弱时,透射电子强度随充电时间逐渐上升;充电过程中,透射电子的角分布宽度由小变大,但是角分布中心基本不随膜的倾角移动。对出射电子达到平衡态时的电子能谱的测量表明,穿透电子的能量保持着入射时的能量。对于理解电子在绝缘体微孔中的传输给出了新的实验证据,给出了可能形成“导向效应”的微孔内部电场的条件。     

低能电子与氮分子碰撞振动激发动量迁移截面的研究

采用作者改进的振动密耦合方法和基于量子力学从头计算的静电势、交换势、相关极化势,研究了低能电子与N₂振动激发散射动量迁移截面. 计算结果与试验符合较好. 关键词： 动量迁移截面 低能电子 分子碰撞 振动激发     

低能电子直线加速器的应用

本文着重介绍了能量在数十ＭｅＶ 以下的低能电子直线加速器在核物理以外领域的应用，而加速器本身仅在论述应用特点所必须时作简要说明．     

低能电子在水介质中的输运过程

考虑到低能电子(能量下限为1eV)在水中输运时的电离,激发,俘获以及超激发引起的自电离等非弹性散射机制,并且考虑到OH⁺,H⁺等自由基的产生和分布,运用Monte Carlo方法模拟了电子在水中输运的径迹结构,揭示了电子在低能情况下输运时单条轨道的空间分布结构特点(云团,团点和短径迹等空间分布实体)和包含在大量轨道中的径迹结构的统计性质,并通过对比截止能量取30和1eV两种情况,分析了30eV以下的低能电子的作用.     

低能电子入射电离He原子二重微分截面的理论研究

研究了低能电子入射单电离He原子的二重微分截面(DDCS)，通过对散射电子三重微分截面在全空间的角度积分得到敲出电子的DDCS.分别用DS3C模型和BBK模型计算了入射能为26.3，28.3，30.3，32.5，34.3，36.5和40.7eV时，低能电子入射电离He原子的DDCS；研究表明：DS3C的计算结果，除在低入射能(比如26.3eV)和小敲出角之外，均能与绝对测量的实验结果较好地符合.此外，对直接和交换效应也进行了研究，给出了交换效应对截面的贡献.     

中低能区α粒子与Li原子碰撞中电子俘获总截面的计算

采用Ｌｉ原子价电子的有效势模型和两态轨道展开方法主要计算了中低能区（３０ｋｅＶ￣２００ｋｅＶ）α粒子与Ｌｉ原子碰撞过程中价电子俘获的部分截面，提出了利用部分截面计算总截面的近似公式。计算结果表明，中低能区价电子的俘获截面对总截面有很大的贡献，理论结果与实验很好的符合。     

低能电子解离贴附质谱装置的设计

本文报道了一台低能电子解离贴附质谱装置的设计.此装置采用余摆线型电子单色器和四极质谱计等技术,用于研究低能电子与分子的解离性贴附动力学过程.与其它国外类似装置相比,本装置的设计具有高低能电子单色器能量分辨率、优化电源系统、实现计算机控制等特点.     

低能入射电子与中性锂原子的碰撞激发截面

近耦合近似下，采用Ｒ－矩阵方法求解耦合的积分微分方程，给出低能电子与中性锂原子的碰撞激发截面，并与实验数据和其它理论计算数据进行了比较。     

低温条件下半导体材料禁带宽度的测量

介绍用硅三级管作为样品，在低温１５０Ｋ－２５０Ｋ范围内，测量其ＰＮ结正向特征，可精确求得玻耳兹曼常量及硅半导体材料禁带宽度的值。     

低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应

对金属氧化物半导体(MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究.对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较.结果表明,低剂量率辐照下,感生界面态要受到辐照时间的长短以及生成的氢离子数目的影响,辐照时间越长,生成的氢离子越多,感生界面态密度越大;温度对界面态的影响与界面态建立的时间有关,低温辐照时,界面态建立的时间要加长 关键词： 辐照效应 阈值电压漂移 低剂量率 低温 界面态     

质量分离低能离子束沉积碳膜及离子轰击效应

用质量分离的低能离子束沉积技术得到了非晶碳薄膜,X射线衍射、Raman谱以及俄歇深度谱的线形表明,此种非晶碳膜中镶嵌着金刚石颗粒.碳离子的浅注入是该碳膜SP³形成的主要机理.从一个侧面说明了化学气相沉积法中偏压预处理增加金刚石成核的主要原因是因为离子轰击效应. 关键词： 非晶碳 离子轰击 质量分离低能离子束     

Monte Carlo方法模拟低能电子在Al中的散射

基于文献[1]的工作,电子在固体中的弹性散射用Mott微分截面计算;非弹性散射分为单电子激发和等离子激发并由Streitwolf、Gryzinski及Quinn的截面描述.模拟了低能电子在Al块样及薄膜中的散射过程,对不同能量低能电子作用下Al的背散射系统、能谱又透射系数作了计算,结果与实验符合较好.也对背散射电子、低能损背散射电子表面分布作了计算,结果表明低能损背散射电子具有较好的空间分辨率.     

低能电子与类锂碳离子碰撞的共振激发

 考虑了内壳层电子激发的组态相互作用后,采用R矩阵方法计算了电子碰撞类锂碳离子的共振激发碰撞强度。对于1s²2s²s-1s²2p²p跃迁,结果介于密耦方法和Coulomb-Born交换近似结果之间,而且除了紧靠近激发阈值的 能量区域外与实验结果符合。     

HL-1托卡马克中逃逸电子的最高能量和光致中子

本文描述我们在实验观察到每次放电结束之前或大破裂之后,强烈的高能X射线出现,同时伴随着较强的光致中子辐射。其时逃逸电子的最大能量,在考虑到回旋辐射损失及逃逸电子速度的径向分量引起的回旋半径变小等情况后经计算可达50-62MeV,光致中子的强度为2.5×10~(10)s~(-1),与JET在破裂条件下的经验定标关系大致相符。     

Ar原子最外层8个电子的能级

用充氩四极管测得了夫兰克-赫兹实验的谱峰曲线,结果显示试验曲线中8个峰之间的差值各不相等,这反映出Ar原子最外层8个电子具有不同能级。同时给出了Ar原子第一激发电位的平均值为UAr=12．6V,并在分析谱峰曲线的基础上得到了各个电子相对应的能级图。     

软质聚氨酯泡沫塑料的低温热导率

讨论了软质聚氨酯泡沫塑料对流判据的低温传热机理.根据软质聚氨酯泡沫塑料结构简图,将各种参数和低温数据带入对流判据公式,得到对流判据L的计算结果.计算了软质聚氨酯泡沫塑料的低温热导率.为了与计算的低温热导率比较,采用测试硬质泡沫塑料热导率的稳态热流双试样保护热板装置,测试了软质聚氨酯泡沫塑料的低温热导率,最后给出了低温热导率与温度关系曲线.根据试验,讨论了低温热导率的影响因素如温度、密度、吸水率等.