低雷诺数条件下低压涡轮气动设计

本文针对低雷诺数条件下低压涡轮效率较低的问题,提出了设计过程中应如何考虑雷诺数影响的思路,给出了适应低雷诺数环境下工作的叶片表面负荷分布形式,并进行了低压涡轮的气动设计。三维粘性计算的结果表明,应用本文所提出的负荷分布形式,能够有效的控制涡轮边界层的分离,降低气动性能对雷诺数的敏感程度,从而使得低压涡轮在高空低雷诺数条件下仍能保持较好的性能。     

低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应

对金属氧化物半导体(MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究.对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较.结果表明,低剂量率辐照下,感生界面态要受到辐照时间的长短以及生成的氢离子数目的影响,辐照时间越长,生成的氢离子越多,感生界面态密度越大;温度对界面态的影响与界面态建立的时间有关,低温辐照时,界面态建立的时间要加长 关键词： 辐照效应 阈值电压漂移 低剂量率 低温 界面态     

关于GaAs的低迁移率问题

测量了5个不掺杂LPE-GaAs样品的电子迁移率温度关系,发现不同样品的诸曲线有互相交叉的现象,只用离化杂质散射一种非本征机制难于解释它。因此,假设未知散射中心(mobilitykiller)的存在看来是必要的。由于被研究的样品的纯度已相当高,Stringfellow等人所假设的杂质中心元胞势散射可以忽略不计。分析了光照对77K温度下电子浓度和迁移率的影响,认为未知散射中心可能是样品微观不均匀性造成的空间电荷区。 关键词：     

低密度硅橡胶冲击雨贡纽曲线测量

 采用阻抗匹配法测量了两种低密度（ρ₀＝0.45 g/cm³和ρ₀＝0.47 g/cm³）硅橡胶在2.5~15 GPa压力范围内的冲击雨贡纽参数，p-u_p和u_s-u_p曲线，并采用最小二乘法拟合出C₀，λ′和λ″的值。实验结果与理论预估值符合较好。     

低温低密度等离子体密度及分布函数测量

一、引言 近来,尽管等离子体诊断技术有了很大发展,古老的朗缪尔探针由于结构简单,使用方便且有较好的时间空间分辨,至今仍作为基本诊断工具而广泛使用。但是,简单的朗缪尔探针理论只适用于中等密度(L》r》λD,L是平均自由程,r是探针半径,λD是德拜长度),对于低密度等离子体(r≤λD),朗缪尔探针理论复杂得失去了实用价值。本文将给出两个适合于低密度情况下的简单公式,并介绍一种实验中所用的静电能量分析器。     

硅的低温电学性质

本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×10¹²—1×10²⁰cm^-3含硼或磷(砷)Si的电学性质。对一些p-Si样品用弱场横向磁阻法及杂质激活能法进行了补偿度的测定,并进行了比较。从霍尔系数与温度关系的分析指出,对于较纯样品,硼受主能级的电离能为0.045eV,磷施主能级为0.045eV,在载流子浓度为10¹⁸—10¹⁹cm^-3时发现了费米简并,对载流子浓度为2×10¹⁷—1×10¹⁸cm^-3的p-Si及5×10¹⁷—4×10¹⁸cm^-3的n-Si观察到了杂质电导行为。从霍尔系数与电导率计算了非本征的霍尔迁移率。在100°—300°K间,晶格散射迁移率μ满足关系式AT^-a,其中A=2.1×10⁹,α=2.7(对空穴);或A=1.2×10⁸,α=2.0(对电子)。另外,根据我们的材料(载流子浓度在5×10¹¹—5×10²⁰cm^-3间),分别建立了一条电阻率与载流子浓度及电阻率与迁移率的关系曲线,以提供制备材料时参考之用。     

低成本物理实验的研究

物理实验经费短缺,实验设备老化严重,学生达不到应有的实验效果。我校开展的低成本物理实验,通过随堂小实验、课外小制作、自制教具三个环节,达到了良好的教学效果。低成本物理实验真正的魁力是它可以做到成本低而智慧不低、技术不低、价值不低。     

Ce在纯铁中存在状态和对Fe-Sb合金的作用

采用低O,S含量的纯铁和高真空无坩埚悬浮熔炼技术制备合金。研究了微量Ce(0.1wt%)在Fe中存在形态及对Fe-Sb合金的作用。结果表明:(1)Ce加入Fe中,发现明显提高α-铁素体晶界抗腐蚀性。其晶界上没有发现Ce的存在。但在高温δ相晶界上有网状析出物,并证实该析出物由O,Ce的化合物组成,从萃取粒子的电子衍射分析发现,许多粒子是由CeAlO₃相构成。(2)Ce加入Fe-Sb合金中能起净化晶界的作用,使原先沿晶界分布的Fe₃Sb₂相不再存在,而在晶内发现有CeSb相存在。 关键词：     

高效开采低压天然气引射装置的试验研究

本文针对长庆油田陕北气田某集气站,设计加工了一套天然气引射装置,并开展了工业性试验.通过现场试验验证了天然气引射技术的可行性.试验结果表明一次气流量与一次气压力为线性关系,与二次气压力无关;二次气流量基本上与二次气压力呈线性关系,一次气压力变化对其影响很小;引射比随二次气压力的升高而升高,随一次气压力升高而降低.上述工作为天然气引射装置的结构优化和该引射技术的推广应用奠定了基础.     

SIMULATION OF FRACTAL GROWTH OF THIN FILMS AT LOW TEMPERATURE

Fractal growth of thin films at low temperature (50－175 K) is simulated by Monte Carlo method. It is shown that the thin film growth is quite different from the diffusion-limited aggregation (DLA) model when the coverage is larger than 0.1 ML. The average branch width of clusters increases with increasing temperature and it usually larger than the branch width (1.9 atom) in the classic DLA model. The average fractal dimension of clusters increases also with increasing coverage while the fractal dimension of DLA model remains constant. This difference comes from the weak screening effect during the late stage of thin film growth. The relationship between the saturation island number n_s and deposition interval Δt is described in a power law: n_s∝Δt^γ, where γ=-0.332 is very close to the theoretical value -1/3 of rate equations from nucleation theory.