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提出了金属薄膜厚度对薄膜中自由电子的平均自由程影响的物理模型,并给出了薄膜中自由电子的平均自由程的修正公式.理论研究表明:当膜厚小于自由电子的平均自由程时,薄膜中电子平均自由程随膜厚的减小而减小|当膜厚大于或等于自由电子的平均自由程时,薄膜中电子的平均自由程与块状材料一样.利用薄膜中电子平均自由程的计算公式,修正了薄膜导电率的基本理论表达式,再利用金属薄膜的反射率与薄膜导电率的关系,得出金属薄膜厚度对其光反射率的影响.计算机模拟表明:当薄膜厚度小于电子自由程时,金属薄膜反射率随薄膜厚度变化而呈非线性关系. 相似文献
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电子漂移速度中的1/2因子 总被引:2,自引:1,他引:1
由经典金属电子论可知,在外电场中,金属中的自由电子在电场力的作用下,会产生附加的定向运动,它们的平均附加速度称为漂移速度,记作v漂;由此金属导体中会形成一定的电流,其电流密度记作j。可以证明电流密度j和漂移速度v漂之间有如下关系:其中e是一个电子的电有,n是自由电子密度。 目前多数电磁学教科书给出从而导出电导率为式中F为电场力, 为平均碰撞时间, 为平均自由程, 为平均速度,m为电子质量。 美国物理学家R.费因曼指出:这个结果是错误的,差一个1/2因子。他认为,关键在于漂移速度应是而不是式(2)所示的 F。/m。他认为式 (2)的结果… 相似文献
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本文介绍自1983年开始以后美国SDI的演变,简单介绍所取得的进展.特别介绍一些关键技术,包括:动能武器,定向能武器,对抗和反对抗措施.动能武器着重介绍拦截弹、它的制导方法和最新的天基拦截弹“智能卵石”.在本世纪内它们是唯一能部署的.定向能武器着重介绍自由电子激光器和试验激光武器的两颗卫星.对于对抗和反对抗措施只略作介绍,因为公开争议尚激烈. 相似文献
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带电体具有吸引轻小物体的性貭。对这种现象用电子论、静电感应来解释是不正确的,下面就谈谈有关方面的问题。静电部分演示带电体吸引的轻小物体均属电介貭,它内部的分子结构不论是有极分子还是无极分子,都不存在能够自由移动的自由电子,只有金属导体内部才有在离子晶格中自由移动的自由电子。而静电感应是指带电体放在导体附近所产生的现象,它是由于导体内部的自由电子受带电体上的电荷推斥或吸引所引起的 相似文献
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1 电磁现象中都有功能关系电流周围的磁场所具有的能量是怎样转换来的 ?在金属导体两端加上电压 ,导体中就有电场 .自由电子在电场力的作用下 ,定向移动而形成电流 ,同时在它的周围激发磁场 .所以电流周围磁场的能量是通过电场力对定向移动的电荷做功转换来的 .当闭合回路中的 相似文献
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材料的载流子浓度和迁移率是影响器件性能的关键因素, 变温Hall测试结果证明杂质掺杂AlGaN中的载流子浓度和迁移率随温度 降低而减小.然而极化诱导掺杂的载流子浓度和迁移率不受温度变化的影响.以准绝缘 的GaN体材料作为衬底, 在组分分层渐变的AlGaN中实现的极化诱导掺杂浓度 仅仅在1017 cm-3数量级甚至更低. 本研究采用载流子浓度为1016 cm-3量级的非有意n型掺杂GaN模板为衬底, 用极化诱导掺杂技术在分子束外延生长的AlGaN薄膜材料中实现了高 达1020 cm-3 量级的超高电子浓度. 准绝缘的体材GaN半导体作衬底时, 只有表面自由电子作为极化掺杂源, 而非有意掺杂的GaN模板衬底除了提供表面自由电子外,还能为极化电场 提供更多的自由电子"源", 从而实现超高载流子浓度的n型掺杂. 相似文献
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基于磁性金属颗粒膜Kerr磁光效应的关系,结合电子跃迁和自由电子共振模型及实验数据,分析了金属颗粒膜的磁光Kerr旋转和Kerr椭偏现象,由分析研究表明:在磁性金属颗粒材料中Kerr旋转和Kerr椭偏率光谱(Kerr效应)中的共振峰不是由单一电子的跃迁引起,其中由于等离子体激化元的存在,而引起的等离子体共振行为在此产生了相当的影响. 亦即对磁光Kerr旋转和Kerr椭偏率起作用的是电子跃迁与自由电荷载流子的等离子共振相互作用共同引起的. 这一结论与对较大Kerr效应的4f 化合物的相关实验强烈的Kerr效应和明显的共振结构相一致,这在铥原子化合物(TmS,TmSe)和铈化合物(CeSb,CeSb0.75Te0.25,CeTe.)及L10FePt膜中都已观察到这一现象. 相似文献
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基于磁性金属颗粒膜Kerr磁光效应的关系,结合电子跃迁和自由电子共振模型及实验数据,分析了金属颗粒膜的磁光Kerr旋转和Kerr椭偏现象,由分析研究表明:在磁性金属颗粒材料中Kerr旋转和Kerr椭偏率光谱(Kerr效应)中的共振峰不是由单一电子的跃迁引起,其中由于等离子体激化元的存在,而引起的等离子体共振行为在此产生了相当的影响.亦即对磁光Kerr旋转和Kerr椭偏率起作用的是电子跃迁与自由电荷载流子的等离子共振相互作用共同引起的.这一结论与对较大Kerr效应的4f化合物的相关实验强烈的Kerr效应和明显的共振结构相一致,这在铥原子化合物(Tm S,Tm Se)和铈化合物(Ce Sb,Ce Sb0.75Te0.25,Ce Te.)及L10Fe Pt膜中都已观察到这一现象. 相似文献
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《物理学报》2017,(2)
本文以原子物理学中电子按能级分布理论为基础,提出一个关于金属磁性的新的巡游电子模型:在形成金属的过程中由于受到电子间泡利排斥力的作用,Fe,Ni,Co原子的大部分4s电子进入3d轨道,只有一少部分4s电子成为自由电子;最外层3d轨道的电子有一定概率在离子实间巡游,形成巡游电子;其余的3d电子为局域电子.因此,由Fe,Ni,Co金属的平均原子磁矩实验值2.22,0.62和1.72μB,计算出Fe,Ni,Co金属中平均每个原子贡献的自由电子数目为0.22,0.62和0.72,从而解释了为什么Fe,Ni,Co金属的电阻率依次减小.应用这个模型计算出的平均每个原子的3d电子数为7.78,9.38和8.28,与金属能带论计算结果 (7.4,9.4和8.3)比较接近,但是本文的方法更加简单、有效,易于理解.这为进一步澄清金属与合金的价电子结构提供了新思路. 相似文献
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拉曼型自由电子激光器作为一种兆瓦级高功率毫米波、太赫兹波辐射源, 其电子的运动稳定性对整体器件的性能至关重要.本文采用科尔莫戈罗夫熵方法, 以典型的麻省理工学院公布的实验数据为例, 比较研究拉曼型正向导引磁场和反向导引磁场两类自由电子激光器中相对论电子的运动稳定性. 结果表明:摇摆器绝热压缩磁场对电子运动的稳定性无实质性影响, 但对电子运动影响大; 电子束自身场在拉曼型正向导引磁场自由电子激光器中使电子运动稳定性变差, 而在拉曼型反向导引磁场自由电子激光器中则可改善电子运动稳定性.
关键词:
拉曼型自由电子激光器
相对论电子运动稳定性
科尔莫戈罗夫熵
电子束自身场 相似文献
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一、静电的产生摩擦起电是产生静电荷的基本原因。两种物质的表面产生摩擦时,机械能转化为内能,使某一物质结构的原子外层电子获得能量挣脱原子核的束缚成为自由电子,这一物质表面便可失去电子带正电,另一物质表面则由于得到电子而带有等量的负电荷。产生静电荷的多少与摩擦的力度即接触面的压力、接触分离的速度成正比。由此类推,一定条件下气体或液体的流动,粉状物质的输送过程同样会产生静电。静电产生的另一直接原因就是感应带电。在外电场的作用下,电场力使外层电子挣脱成为自由电子而在物体表面产生静电。外电场越强,所积累的静电荷越多。 相似文献
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物理教学中为演示静电的力效应,通常设计静电滚筒或富兰克林电动机实验.这些实验巧妙地演示带电粒子流冲击滚筒而产生的力矩作用,它将人眼观察不到的微观电荷定向运动与宏观物体的转动有机结合起来,加强了学生对电荷作用力的现象观察与深入思考. 相似文献
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电子束激发下磷光体发光的最大可能效率,首先取决于经由碰撞而产生自由电子-空穴对,或自由载流子-离化的激活剂对,或受激而未离化的激活剂原子所需的平均激发能量。我们把这种能量表达为带隙能量Eg的倍数(倍数因子记为α)。对各种磷光体所测得的α值,因基质材料及激活剂不同而分布在一宽广的范围内。在若干例子中,与半导体的自由电子-载流子倍增收集实验中所观察到的值α≈3有很大的偏离。 相似文献