KT—TC托卡马克上不同限制器偏压下等离子体p约束改善的实验研究

在ＫＴ－５Ｃ托卡马克上，采用多块组合的可偏压限制器控制等离子体边缘电场，进行了改善等离子体的边缘参数及其机制的研究。实验显示，限制器的正、负偏压都能改变等离子体电位，但正偏压更胶儿，能有效地建立边缘电场，进而抑制边缘扰动改善等离子体约束。利用可移动静电探针，测得正偏压期间边缘电子温度Ｔｅ（ｒ）、电子密度ｎｅ（ｒ）、空间电位Ｖｐ（ｒ）分布变陡，与计算得到的边缘粒子通量Г（ａ０）减少，整体粒子约束时间     

用偏压限制器控制KT－5C托卡马克等离子体边缘电场的实验研究

在托卡马克ＫＴ－５Ｃ上，我们首次采用可灵活组合的多块限制器进行了施加偏压以控制等离子体边缘电场的实验，结果表明，在本装置上限制器加正偏压优于加负偏压，正偏压改变等离子体边缘电场效果更明显。偏压限制器收集面积、纵场和偏置电压的大小对偏压效果的影响都是敏感的。改变限制器收集面积和偏压导致的边缘电场的变化最终将趋于饱和，另外发现，偏压限制器与等离子体柱的相对位置对等离子体边缘电场的影响也是重要的。     

用偏压限制器控制KT—5C托卡马克等离子体边缘电场的实验研究

在托卡马克ＫＴ－５Ｃ上，我们首次采用可灵活组合的多块限制器进行了施加偏压以控制等离子体边缘电场的实验。结果表明，在本装置上限制器加正偏压优于加负偏压、正偏压改变等离子体边缘电场效果更明显。偏压限制器收集面积、纵场和偏置电压的大小对偏压效果的影响都是敏感的。改变限制器收集面积和偏压导致的边缘电场的变化最终将趋于饱和。     

偏压电极对KT-5C装置等离子体边缘的影响

通过电极偏压来控制KT 5C装置边缘区等离子体的径向电场 ,发现在正偏压作用下 ,径向电场剖面由小的负阱状变成明显的山包结构 ,从而形成一个加强的E×B剪切层。剪切层附近的等离子体参数变陡 ,不仅等离子体极向流速度大大增加 ,而且其方向也由沿电子逆磁漂移方向改变为离子的逆磁漂移方向。这些变化导致等离子体边界横向输运被抑制、整体约束得到改善     

KT-5托卡马克装置及其初步实验

本文叙述KT-5小托卡马克装置的系统概况及初步实验,如脉冲充气放电、自动程序控制、等离子体电流平衡调节等,以及达到的主要放电参数。     

电子束入射改善托卡马克等离子体约束

分析了电子束入射托卡马克等离子体表面后所发生的一系列物理过程,特别是电子束注入等离子体后在边界层形成平行电流和径向负电场,使等离子体由低约束模式向高约束模式,即L H模式转换中的作用。论证了当注入电子束的密度超过一定的阀值时,L H 模转换被触发。     

电子束入射改善托卡马克等离子体约束

 分析了电子束入射托卡马克等离子体表面后所发生的一系列物理过程,特别是电子束注入等离子体后在边界层形成平行电流和径向负电场,使等离子体由低约束模式向高约束模式,即L H模式转换中的作用。论证了当注入电子束的密度超过一定的阀值时,L H 模转换被触发。     

KT-5B托卡马克装置上离子伯恩斯坦波激发条件的实验研究

本文介绍了在KT-5B托卡马克装置上,线性离子伯恩斯坦波的激发与边缘离子密度涨落、托卡马克放电参数以及发射天线位置之间关系的实验研究结果。实验表明,边缘离子密度涨落过大,将使离子伯恩斯坦波激发变得困难;正常的托卡马克运行的放电参数范围与有效激发离子伯恩斯坦波的参数范围一致;对纵环电流天线,可能存在静电模转换激发和直接激发这两种离子伯恩斯坦波激发方式共存的情况。 关键词：     

用于KT-5C托卡马克等离子体电子密度测量的多道HCN激光干涉仪

等离子体的电子密度是聚变等离子体研究中的重要参数。一般采用探测电磁波通过等离子体后产生的相移来求等离子体的电子密度,等离子体引起的相移△(?)与探测弦线上的线积分电子密度n_e有如下的关系:     

HT-7超导托卡马克调制电流改善等离子体约束

在HT-7超导托卡马克上进行了电流调制改善等离子体约束物理实验,获得了初步的实验结果。对电流调制时的径向电场进行了数值计算和讨论。当等离子体环向电流以适当的频率和幅值周期性调制时,低模数的磁流体不稳定性得到明显的抑制,等离子体中心电子温度增加了33%,等离子体电子密度分布明显陡化,能量约束时间增加了27%~45%。杂质辐射周期性减少,粒子约束时间增加了2倍。在等离子体边界产生更强的径向负电场。     

HT-7超导托卡马克调制电流改善等离子体约束

 在HT-7超导托卡马克上进行了电流调制改善等离子体约束物理实验，获得了初步的实验结果。对电流调制时的径向电场进行了数值计算和讨论。当等离子体环向电流以适当的频率和幅值周期性调制时，低模数的磁流体不稳定性得到明显的抑制，等离子体中心电子温度增加了33%，等离子体电子密度分布明显陡化，能量约束时间增加了27%~45%。杂质辐射周期性减少,粒子约束时间增加了2倍。在等离子体边界产生更强的径向负电场。     

托卡马克等离子体电子逃逸阈值实验研究

本文采用统计方法分析了HL-2A托卡马克装置上欧姆放电条件下的实验数据,根据硬X射线出现时刻的等离子体环电压、中心线平均等离子体电子密度等参数,计算出电子逃逸的实验阈值,并与初级产生机制下逃逸电子的理论阈值进行对比.实验数据表明逃逸电场阈值明显高于相对论碰撞理论预测,抑制电子逃逸现象的临界电子密度明显比理论预测的低.这与ITPA(International Tokamak Physics Activity)在D3D,TEXTOR,FTU,KSTAR等装置得出的实验结果吻合.针对逃逸现象出现时刻硬X射线增长率的实验研究发现初级产生机制下逃逸电子的增长率与电场强度大小成正比,与中心线平均等离子体电子密度成反比,此现象验证了通过减小环电压或提高等离子体密度的方法可以抑制电子逃逸现象.     

托卡马克等离子体电子逃逸阈值实验研究

本文采用统计方法分析了HL-2A托卡马克装置上欧姆放电条件下的实验数据,根据硬X射线出现时刻的等离子体环电压、 中心线平均等离子体电子密度等参数, 计算出电子逃逸的实验阈值, 并与初级产生机制下逃逸电子的理论阈值进行对比. 实验数据表明逃逸电场阈值明显高于相对论碰撞理论预测, 抑制电子逃逸现象的临界电子密度明显比理论预测的低. 这与ITPA（International Tokamak Physics Activity）在D3D, TEXTOR, FTU, KSTAR等装置得出的实验结果吻合. 针对逃逸现象出现时刻硬X射线增长率的实验研究发现初级产生机制下逃逸电子的增长率与电场强度大小成正比, 与中心线平均等离子体电子密度成反比, 此现象验证了通过减小环电压或提高等离子体密度的方法可以抑制电子逃逸现象.     

中国科技大学KT－5C托卡马克的实验运行

本文简述中国科技大学ＫＴ－５Ｃ托卡马克装置实验运行的主要特点──无需专职操作人员，有背景音响程序指示，使用悬浮传输隔离器，具有抗干扰和误操作保护等。     

中国科技大学KT—5C托卡马克的实验运行

本文简述中国科技大学ＫＴ－５Ｃ托卡马克装置实验运行的主要特点－无需专职操作作人员，有背景音响程序指示，使用悬浮传输隔离器，具有抗干扰和误操作保护等。     

KT—5C托卡马克离子温度及其涨落的实验研究

在ＫＴ－５Ｃ托卡马克上成功建立了一套静电离子探针诊断系统，测量了ＫＴ－５Ｃ托卡马克从芯部到边缘的离了温度及其涨落，实验结果表明，在边缘等离子体离子温度高于电子温度，在芯部二者趋于一致。在我们的实验条件下，离子温度和电子温度的相对涨落量基本一致，而且都是电子密度相对涨落量大小的５０％。     

KT-5B托卡马克等离子体中剪切Alfven波的激发特性

本文报道最近在KT-5B托卡马克装置上进行Alfven波激发特性研究的实验结果。结果表明:Alfven波存在比较宽的激发区域,耦合强度随等离子体电流、纵向磁场的上升而增强。观测到温度阈值效应,并初步得到表面静电波的实验证据。 关键词：     

托卡马克等离子体平衡的数值研究

为了计算HT-7U超导Tokamak平衡场系统物理参数,保证工程设计的可靠性,推广并改进了计算等离子体平衡的程序EQ,并与美国GA的平衡反演程序EFIT作了校核.