MCM芯片安装互连及其相关技术

本文重点介绍了MCM芯片安装技术、三种基本的芯片互连技术(WB、TAB和FCB)、三种关键支撑技术(凸点制作、KGD、下填充)和微型凸点焊、ACA互连倒装、导电环氧互连倒装、无凸点微焊接等芯片装连新型技术途径。     

MCM中的倒装芯片互连技术

本文介绍一种实用的倒装芯片的凸点形成技术，倒装焊接芯片与基板的对准方法及倒装焊的考核结果。     

MCM—C倒装焊工艺技术研究

简要介绍了主要倒装焊技术，重点研究了实用性强、可行性好的超声热压倒装焊、导电环氧粘接倒装、ACA粘接倒装以及MCM—C基板上的芯片倒装焊区制作、倒装后芯片的下填充等工艺技术，总结了芯片倒装互连质量的主要检验要求。     

MCM与裸芯片封装技术

随着携带用的电子设备市场的迅速扩大，适于高速、高性能的MCM发展也相当惊人，在这样的发展背景下，提高裸芯片封装技术的重要性越来越明显，然而，以KGD问题为代表，在连接、检查、维修以及可靠性等方面需要解决的技术课题也相当多。因此，本文将对其中存在的一些基本问题并以此为突破口而加以探讨。由于较容易引入裸芯片，因此有必要介绍一下有关这方面的新技术开发情况。     

电迁移引起的倒装芯片互连失效

采用倒装芯片组装菊花链器件研究了高电流密度条件下Al互连的失效问题,分析了不同电迁移条件下,由于金属原子的迁移造成的Al互连微结构的变化。在9.7×105A/cm2电流密度强度条件下,钝化窗口位置的Al原子发生电迁移,在电子风力的作用下,Al原子沿电子流方向扩散进入Al互连层下方的焊料中。同时,随着电流加载时间的延长,化学位梯度和内部应力的作用致使焊料成分向Al互连金属扩散,Al互连金属层形成空洞的同时其成分发生变化。     

倒装芯片互连凸点电迁移的研究进展

电子产品向便携化、小型化、高性能方向发展,促使集成电路的集成度不断提高,体积不断缩小,采用倒装芯片互连的凸点直径和间距进一步减小和凸点中电流密度的进一步提高,由此出现电迁移失效引起的可靠性问题.本文回顾了倒装芯片互连凸点电迁移失效的研究进展,论述了电流聚集和焊料合金成分对凸点电迁移失效的影响,指出了倒装芯片互连凸点电迁移研究亟待解决的问题.     

倒装芯片各向异性导电胶互连的剪切结合强度

采用冲击试验方法研究了各向异性导电胶膜(ACF)互连的玻璃和柔性基板上倒装芯片(COG和COF)的剪切结合强度.结果表明:COF比COG的剪切强度高.ACF的固化程度达85 %时有最大的结合强度.键合温度、导电颗粒状态、缺陷等因素对ACF互连的结合强度有较大影响,而键合压力的影响不大.     

倒装芯片各向异性导电胶互连的剪切结合强度

采用冲击试验方法研究了各向异性导电胶膜(ACF)互连的玻璃和柔性基板上倒装芯片(COG和COF)的剪切结合强度.结果表明:COF比COG的剪切强度高.ACF的固化程度达85%时有最大的结合强度.键合温度、导电颗粒状态、缺陷等因素对ACF互连的结合强度有较大影响,而键合压力的影响不大.     

微波多芯片模块技术

论述了微波多芯片模块（MMCM）技术的发展历史、应用领域及工艺进展。着重从芯片互连、基板材料及封装设计等方面讨论了该技术的发展前景,并对我国微电子和MMCM封装技术提出几点建议。     

混成式焦平面阵列芯片倒装互连技术研究

介绍了为保证倒装焊接性能,设备所采取的措施.对比了不同形貌铟柱的优缺点,分析了互连可靠性与铟柱高度的关系,介绍了考核互连可靠性的方法.通过互连技术研究,我们实现了较高性能的倒装互连,互连条件选择温度在60℃～140℃范围,压力范围0.1克/铟柱～0.5克/铟柱.互连连通率＞99.9%,互连后的芯片组件在低温(77K)与常温(23℃)间不少于100次的反复冲击的情况下,测试接触性能及InSb二极管性能都无变化,满足了互连器件可靠性要求.     

多芯片组件(MCM)技术

本文概述了微电子封装技术的发展历史和多芯片组件(Multichip Module)技术的发展过 程,介绍了MCM技术的基本内容和发展现状,并分析预测了未来微电子封装的发展趋势。     

多芯片组件（MCM）技术

对日益广泛采用的多芯片组件（ＭＣＭ）技术的基本构成、基本类型、芯片安装／内连接、测试与诊断等作了较系统的介绍。     

光刻技术在多芯片模块（MCM）和高密度互连（HDI）工艺中的应用

一、引言 多芯片模块和高密度互连技术是近年来开发的新工艺、新技术。它的应用将电子技术提到了一个新的台阶。集成电路是将众多的单个器件集成在同一个芯片上,多芯片模块则是将众多的芯片集成在同一个基板上,它是集成电路的再集成。应用这种技术,新一代的电子产品将体积更小、重量更轻、性能更可靠。由于这种技术缩短了芯片和芯片之间导线的长度,所以信息处理的速度将更快。它的应用将推动电子工业的飞速发展,同时将带动其它相关工业的进步。那么什么是多芯片模块和高密度互连技术呢?这项技术对传统的半导体工艺,特别是对光刻工艺提出了什么不同的要求呢?这些问题又是如何解决的呢?本文将试着对这些问题做一回答。     

芯片互连超声键合技术连接机制探讨

超声键合是实现集成电路封装中芯片互连的关键技术之一.对于超声键合过程焊点形成机理以及超声在键合过程中发挥的作用的正确理解是实现参数优化和获得可靠焊点的关键.综述了超声键合技术连接机理,归纳总结并探讨了四种键合机制,包括:摩擦生热键合理论、位错理论、滑动摩擦及变形理论和微滑移理论.     

倒装芯片及封装技术

介绍了倒装芯片的发展过程，其中主要对制造技术、封装方法及倒装焊焊点的可靠性进行了评述。     

可控坍塌芯片互连技术及其最新发展

一、引言 可控坍塌芯片互连技术(Controlled collapse chip connection-C4)由IBM公司在本世纪六十年代开发并成功应用于大型计算机中。C4倒装技术是在芯片上制作Pb-Sn合金焊料凸点,然后将芯片凸点对准金属化陶瓷或多层陶瓷基板上的金属化焊区,在保护气体以及在适当的温度下进行再流焊,实现芯片与基板的互连,如图1所示。本世纪八十年代,Motorola公司认识     

MCM基板互连测试的单探针路径优化研究

针对MCM基板互连测试所采用的单探针技术,本文提出一种基于蚁群算法的单探针路径优化算法,通过设定合适的规则,引导探针的移动,缩短探针移动的距离,达到减少测试时间提高MCM生产效率的目的.从基于MCM标准电路的仿真结果看,采用蚁群算法得到的探针测试路径长度远远优于其它算法所得到的.