e+e–→ωπ0过程中初态辐射修正的计算和模拟

计算了e+e-→ωπ0 微分截面的具体形式以及ω→π+π- π0 衰变几率的微分公式,并根据G.Bonneau和F.Martin引入的初态辐射修正计算方案编写了e+e-→ωπ0 产生子.通过分析模拟产生的末态粒子的相应角分布,发现结果与理论预期的分布相一致,从而证实了公式的推导和程序实现的正确性.     

Cabbibo压制半径子衰变过程D0→π－e+ve

计算了Cabibbo压制D0→π－e+ve衰变率.利用计算结果和测得分支比来研究形状因子|fπ +(0)|及CKM矩阵元|v cd|     

低能电子碰撞He+(e,2e)反应绝对三重微分截面的理论研究

利用Berakdar和Briggs对BBK波函数Sommerfeld参数的修正结果，即考虑第三个粒子存在对两个粒子间相互作用的影响，考虑了入射道的库仑相互作用及出射粒子的交换对称性，计算了在共面等能分配几何情况下低能电子碰撞He⁺(e,2e)反应绝对三重微分截面.结果表明，入射道库仑场对较低的入射能量及小的碰撞参数的三重微分截面影响较大. 关键词：     

C42+分子的T  e系统的Jahn-Teller效应与各向异性现象

依据Jahn-Teller效应理论与量子理论,利用群论和对称性分析的方法探讨了具有Td对称性构型的C42+分子的T  e 系统的Jahn-Teller效应与各向异性问题。构建了T  e系统的电声耦合哈密顿量,借助么正平移变换求出了系统的基态与激发态及其能量。结果发现,由于电声耦合作用的缘故,系统发生了Jahn-Teller畸变,畸变导致在系统的势能面上形成了3个具有D2d对称性的势阱。无论系统处在哪一个势阱中,系统原初三重简并的能级都将分裂为两条能级。畸变还导致C42+分子从Td对称性降低到D2d对称性,同时C42+分子的振动频率发生分解,而频率的分解致使C42+分子的各向同性遭到破坏而呈现出各向异性。     

(e,2e)反应中电子的角度分布

利用修正的BBK理论模型,在共面,等能分享,固定相对角度几何条件下,计算了能量分别为58.4,68,81.6,108.8和174.4eV的入射电子碰撞He⁺(1s)(e,2e)反应三重微分截面(TDCS),并讨论了交换,关联与干涉效应及入射道库仑场对TDCS的影响。结果表明,这些效应对决定TDCS的角度分布及大小是非常重要的。     

C42+分子的T(○)e系统的Jahn-Teller效应与各向异性现象

依据Jahn-Teller效应理论与量子理论,利用群论和对称性分析的方法探讨了具有Td对称性构型的C42+分子的T(○)e系统的Jahn-Teller效应与各向异性问题.构建了T(○)e系统的电声耦合哈密顿量,借助么正平移变换求出了系统的基态与激发态及其能量.结果发现,由于电声耦合作用的缘故,系统发生了Jahn-Teller畸变,畸变导致在系统的势能面上形成了3个具有D2d对称性的势阱.无论系统处在哪一个势阱中,系统原初三重简并的能级都将分裂为两条能级.畸变还导致C42+分子从Td对称性降低到D2d对称性,同时C42+分子的振动频率发生分解,而频率的分解致使C42+分子的各向同性遭到破坏而呈现出各向异性.     

C42+分子的T  e系统的Jahn-Teller效应与各向异性现象

依据Jahn-Teller效应理论与量子理论,利用群论和对称性分析的方法探讨了具有Td对称性构型的C42+分子的T  e 系统的Jahn-Teller效应与各向异性问题。构建了T  e系统的电声耦合哈密顿量,借助么正平移变换求出了系统的基态与激发态及其能量。结果发现,由于电声耦合作用的缘故,系统发生了Jahn-Teller畸变,畸变导致在系统的势能面上形成了3个具有D2d对称性的势阱。无论系统处在哪一个势阱中,系统原初三重简并的能级都将分裂为两条能级。畸变还导致C42+分子从Td对称性降低到D2d对称性,同时C42+分子的振动频率发生分解,而频率的分解致使C42+分子的各向同性遭到破坏而呈现出各向异性。     

共面双对称几何中Li+(1s2)(e,2e)反应的理论研究

利用Berakdar理论,考虑了入射道的库仑相互作用,在共面双对称碰撞几何中,计算了能量为251eV入射电子碰撞Li⁺(1s²)(e,2e)反应的三重微分截面(TDCS),讨论了不同散射振幅对截面的贡献,分析了干涉效应及入射道库仑场对截面的影响.结果表明,它们对决定TDCS的角度分布和大小起着重要作用. 关键词：     

D+和D0介子的φXl+υ遍举分支比上限的测定

利用北京谱仪(BES)在北京正负电子对撞机(BEPC)e+e-质心系能量为4.03GeV处采集的积分亮度为22.3pb-1的数据,从D介子的5个非轻子衰变模式中共选出2471±218组tagD+X(X可能是γ或π0或π±)和7629±251组tagD0X介子样本. 在这些样本中没有找到D+→φe+υ,φK-π+e+υ,和D0→φK-e+υ,φK-μ+υ的衰变事例,测定在90髎置信度下分支比的上限分别为B(D+→φe+υ)<1.38髎,B(D+→φK-π+e+υ)<2.01髎,B(D0→φK-e+υ)<0.53髎,和B(D0→φK-μ+υ)<0.53髎.     

用MRCI方法研究CS+同位素离子X2Σ+和A2∏态的光谱常数与分子常数

利用内收缩多参考组态相互作用方法和价态范围内的最大相关一致基aug-cc-pV6Z,在0.05-0.60 nm的核间距范围内计算了CS+离子X2Σ+和A2∏态的势能曲线.利用CS+离子的势能曲线并在同位素质量修正的基础上,拟合出了X2Σ+和A2∏态的同位素离子12C32S+,12C34S+和12C33S+等的光谱常数.对于X2Σ+态的主要同位素离子12C32S+,其光谱常数D0,De,Re,ωe,ωeχe,αe,和Be分别为6.4694,6.5542 eV,0.14975 nm,1371.89,7.5746,0.006481和0.8616 cm-1;对于A2∏态的主要同位素离子12C32S+其D0,De,Re,ωe,ωxχe,αe和Be分别为4.8460 eV,4.9084 eV,0.16449 nm,l009.31和6.4970 cm-1,0.006110和O.7134 cm-1.这些数据与已有的实验结果均符合很好.通过求解核运动的径向薛定谔方程,找到了J=0时CS+(X2Σ+)的全部68个振动态、CS+(A2∏)的全部80个振动态.对于每一振动态,还分别计算了它的振动能级、经典转折点、转动惯量及离心畸变常数,并进行了同位素质量修正.这些结果与已有的实验值也十分一致.这里,12C32S+和12C32S+的光谱常数以及12C32S+高振动态的分子常数属首次报道.     

在s=4.03GeV的e+e－湮没中Ds+单标记的研究及Ds+Ds－对产生截面的测定

利用北京正负电子对撞机(BEPC)和北京谱仪(BES),基于在质心系能量s=4.03GeV的e+e–湮没中,D+s单标记的分析结果,测定了D+s→K0K+和D+s→K0K+衰变的分支比.其结果Br(D+s→K0K+)=(3.02±0.94±0.91)%,Br(D+s→K0K+)=(3.28±1.22±0.94)%与世界平均值在误差范围内一致.用π+,K0K+,K0K+作为单标记,共观测到94±13个D+s事例,测得在e+e–湮没中D+sD–s对产生的截面为σprod D+s D–s=451±63±118pb.     

自发破坏的类μ荷对称重轻子和μ→e+γ

反常的e(?)μ(?)事例和内含μ介子产生截面反常暗示存在一个质量为1.9GeV左右的带电重轻子.特别是,一个正在进行的μ→e+γ实验很可能给出一个分枝比B=Γ(μ→eγ)/Γ(μ→evv)～10~(-9)的肯定信号.重轻子和μ→eγ的可能存在,对弱作用理论研究是巨大的推动,对我们了解包括轻子和强子在内的基本粒子内部结构将给予很深刻的影响. 弱作用电磁作用统一的Weinberg-Salam规范理论模型获得了相当的成功.如何使它容纳可能的μ→eγ现象,这是我们讨论的出发点.我们系统地研究了对Weinberg-Salam模型以下几种可能的扩充方式:     

TC2模型中的TC介子对e+e-→(t-)c过程的贡献

计算了Topcolor辅助的人工色模型中的赝标哥尔斯通玻色子对超高能正负电子对撞机上的e+e-→(t-)((c-)t)过程的修正. 发现在质心能量为(s)=200GeV时新物理对该过程的修正结果比标准模型的结果高出约1个量级. 如果选取质心能量为(s)=500GeV得到的结果为σ(e+e-→(t-)c)～10-37cm2.     

弱电流不守恒情况下π-→π0+e+ν过程的几率

利用色散关系研究了弱电流不守恒情况下的π^-→π⁰+e+ν衰变过程。在对π—π散射相移作了一些假定后,证明了π、π中间态的贡献很小。在N、N中间态项中出现的N、N湮灭矩阵元用Chew-Ball理论及湮灭实验估计,同时出现的核子弱作用形状因子又用色散关系计算,证明了N、N中间态对它的贡献很小,计算了π、π中间态对它的贡献。根据现有N、N湮灭实验估计,π^-→π⁰+e+ν过程的衰变几率<6×10^-4秒^-1。     

Li+低能(e,2e)反应角分布

利用修正的BBK理论，考虑入射道的库仑相互作用及出射电子的交换对称性，在共面-等能分享-垂直角度碰撞几何中，分别计算了能量为79.6，105.6，227.6和375.6eV的入射电子碰撞Li⁺(1s²)(e，2ｅ)反应三重微分截面(TDCS).结果表明：在接近阈能的碰撞中，两出射电子连线平行于入射电子方向时，TDCS最大；两出射电子连线垂直于入射电子方向时，TDCS最小；入射电子能量达5倍的电离阈能时，主要为单次双体碰撞，而且入射道库仑场对决定低能碰撞的TDCS起着重要作用. 关键词：     

Rare decays B_(s,d)~0→e+e~- in a top quark two-Higgs-doublet model

In the framework of T2HDM,we calculated the new physics contributions involving neutral Higgs bosons to the branching ratios of Bs0,d→e+e-(= e,μ) decays.Comparing the theoretical predictions with the experimental upper-limits,we found that(a) The data of Br(B0d →e+e-) give the upper bound on tanβ:tanβ 22,while Br(Bs0 →e+e-) give tanβ 12 for fixed δ = 0°,mH+= 350 GeV,mH0 = 160 GeV,mh0 = 115 GeV and mA0 = 120 GeV;(b) A light neutral Higgs boson mass mh0(mA0) less than 50 GeV(120 GeV) is excluded by the data o...     

三嵌段共聚物SEBS中自由体积行为的温度及e+辐照时间依赖性的研究

利用正电子湮没寿命谱实验手段研究了22 Na放射源的e+自辐射对三嵌段共聚物SEBS的正电子湮没参数的影响,而后结合Eldrup的经典模型,研究了SEBS的自由体积孔尺寸和自由体积分数随着温度的变化关系,给出了自由体积分数在Tg以上和在Tg以下各自区域内分别与温度呈线性关系,最后结合Williams-Landel-Ferry(WLF)自由体积理论和Eldrup的经典模型讨论了热膨胀系数和自由体积分数中的A常数.     

在s~(1/2)=4.03GeV的e~+e~-湮没中D_s~+单标记的研究及D_s~+D_s~-对产生截面的测定

利用北京正负电子对撞机 (BEPC)和北京谱仪 (BES) ,基于在质心系能量s=4.0 3GeV的e+ e-湮没中 ,D+ s 单标记的分析结果 ,测定了D+ s →K 0 K+ 和D+ s →K0 K+ 衰变的分支比。其结果Br(D+ s →K 0 K+ ) =(3.0 2± 0 .94±0 .91) % ,Br(D+ s →K0 K+ ) =(3.2 8± 1.2 2± 0 .94) %与世界平均值在误差范围内一致 .用π+ ,K 0 K+ ,K0 K+ 作为单标记 ,共观测到 94± 13个D+ s 事例 ,测得在e+ e-湮没中D+ s D-s 对产生的截面为σprodD+s D-s =45 1± 6 3± 118pb .     

e+e-实验中ψ(2S)能区连续态单光子湮没过程的贡献

研究了e+e-实验中ψ(2S)能区连续态单光子湮没过程的截面对观测总截面的贡献. 针对ψ(2S)质量处ωπ0和π+π-两个观测末态,利用唯象模型估计了单光子湮没过程贡献的大小. 分析表明,对于ψ(2S)→ωπ0和ψ(2S)→π+π-,以及其他电磁末态分支比的确定,单光子湮没过程的贡献必须认真考虑. 通过研究,我们认为对于BES实验来说,为了获得共振态电磁末态分支比的正确结果,至少需要在低于ψ(2S)共振峰的能量点采集10pb-1的数据.     

氦原子(e,3-1e)反应中未探测电子屏蔽效应的理论研究

在DS3C模型的基础上,对氦原子(e,3-1e)反应的末态He+2场中未探测电子的屏蔽效应进行了研究.计算了(e,3-1e)过程中入射能为640 eV时,电子入射双电离He原子的四重微分截面(4DCS);讨论了非一级效应对截面结构的影响.所得结果与其他理论计算进行比较发现:文中结果与最新测量的实验数据较好地吻合.