一个新的五阶超混沌电路及其研究

提出一个新的五阶超混沌电路. 该电路由三个线性电感、两个线性电容、一个线性负电阻和二个非线性元件组成,并具有π形的电路结构. 其主要特征是,利用非线性元件的作用来切换电路中的时间常数,使其电压和电流发生急剧变化. 利用负电阻可满足电路局部发散的条件,并且这种电压和电流的急剧变化以及局部发散是该电路产生混沌与超混沌的两个前提条件. 分岔和李雅普诺夫指数计算结果表明,随着分岔参数的改变,电路的振荡机理由周期态演变为混沌态,再由混沌态演变为超混沌态. 设计了五阶超混沌电路,给出了硬件实验结果. 关键词： 超混沌电路 超混沌吸引子 电路实验     

用电流源法测量非线性元件的伏安特性

本文报导了一种新的用于测量非线性元件伏安特性的实验电路，该电路采用的是以电流为信号变量的电流模式测量电路，并分析与比较了该电路与传统的以电压作为信号变量的电压模式测量电路的不同．     

非线性元件中伏安特性曲线的应用

非线性元件与其他用电器串、并联,特别是非线性元件与非线性元件串、并联组成电路时,根据电路结构建立它们的电压、电流关系,然后在同一坐标纸中利用电流、电压关系灵活建立两个坐标系,作出图像,其交点则表示满足关系的点.     

PSM高压电源系统模块的计算分析

在低杂波高压电源系统的整流模块的研究中,对含有LC滤波的三相不控整流电路的输出电压进行分析计算,得到输出电压与电路中的参数关系表达式.通过MATLAB/Simulink模块中的电路仿真元件对三相不控整流电路进行仿真,得到其输出电压的波形图,观察得到其输出波形能够满足电源系统的设计要求.     

用双向晶闸管保护霍尔元件

在霍尔元件测磁场的实验过程中,由于霍尔元件无保护电路,在线路接错和操作不正常的情况下,经常造成大电流损坏霍尔元件,严重影响正常的教学工作．我们在实践中经过电路改进,增加保护电路后,有效地防止了这种故障的发生．１工作原理 霍尔元件Ｉ 端在正常工作情况下,流过Ｉ端的电流绝对值小于６ｍＡ,Ｒ１取值为３３０ ,其两端压降小于 ２Ｖ,经 Ｄ１或 Ｄ２, Ｗ１至 Ｔｈ１的门极 Ｇ,此电压达不到 Ｔｈ１门极的导通电压 ｕｇＴｈ１不导通,流过Ｔｈ１主端子Ｔ１－Ｔ２的电流为零,所以加入保护电路后对测量结果无影响．当线路不正…     

稳压管特性曲线的双支路示波器显示方法

伏安特性曲线反映了元件在电路中的基本工作特性。利用示波器实时快速显示元件的伏安特性曲线,是示波器最好的实用例证之一。文中提出一种新的利用示波器显示稳压管伏安特性曲线的测量电路-双支路测量电路。这种双支路测量电路,是在原有测量电路的基础上,增加一个支路,使得电路中存在两个测量支路。分别在两个支路提取与待测元件的电压、电流相关的信号接入示波器,即可显示元件特性曲线。实验证明这是一种非常有效的方法,可以解决由于信号源及示波器的接地结构带来的相关问题。这种思路也可以为示波器应用于磁滞回线、三极管输出特性曲线等的显示提供借鉴。     

用霍尔集成电路演示霍尔效应

一般用霍尔元件来做霍尔效应,其电路包括供给励磁电流、供给霍尔元件工作和测量霍尔元件电压三部分。由于磁场中霍尔电压V_H较小,要用电位差计来测量,因而设备昂贵,电路复杂,操作麻烦。用霍尔集成电路来做,大为简便,非常直观。     

纵向极化与磁化叠层复合材料磁电效应理论及计算

基于纵向极化压电材料及纵向磁化磁致伸缩材料的压电和压磁方程与磁电元件运动方程,给出磁电元件开路电压表达式;鉴于压电材料高输出阻抗的特点,考虑测试仪器的有限输入阻抗和传输信号引线电缆电容,通过建立等效电路模型推出了非开路情况下磁电电压计算式,取不同材料参数对磁电电压进行了数值计算.研究表明,材料参数、电路参数对输出电压均产生影响.对磁伸材料两端面受非均匀偏置磁场产生外力的非自由边界磁电效应进行研究发现,恒外力作用使压电元件产生不可检测的稳恒电压. 关键词： 纵向极化 磁电效应 磁电元件 层叠材料     

基于双电源输入的高压电源设计

设计了低成本小型化的高压电源,先基于电感完成初步升压,并把直流输入变成交流脉冲电压,再把该交流电压倍压,进而得到期望的高压.详细地分析了电路的升压原理和过程,并给出了主要元件参量的参考计算公式.该电路在升压过程中,用电感和倍压电路作为主要升压模块,无变压器,电路结构简洁、系统稳定、易实现,且升压幅度大.     

电源电路抗γ总剂量辐射性能建模与裕量与不确定性量化评估

针对电源电路抗总剂量辐射性能评估问题,建立了元器件和电路的性能模型,并搭建测试电路对模型进行了测试。开展了辐照敏感关键元器件的总剂量辐照试验,获取了元器件关键参数随累积总剂量变化的实验数据,将参数变化规律注入模型,开展了电源电路抗辐射性能仿真,获得了电路关键特征参数输出电压随累积总剂量的变化规律。采用裕量与不确定性量化(QMU)方法对电源电路的抗辐射性能进行评估,并与电路实际辐照实验结果进行对比,结果表明,QMU评估结果与实际实验结果保持了较好的一致性。