铁电单晶(K_xNa_(1-x))_(0.4)(Sr_yBa_(1-y))_(0.8)Nb_2O_6的光学性质和线性电光效应

本文介绍铁电单晶(K_xNa_(1-x))_(0.4)(Sr_yBa_(1-y))_(0.8)Nb_2O_6的光学性质和线性电光效应的测量。实验结果表明,这种晶体具有较大的光学双折射,透光范围由4000A到5.6μm。晶体具有低的线性电光调制的半波电压,其电光调制价值指数n_0~3·γ_c高达730×10~(-12)m/V,而激光损伤阈值为600MW/cm~2(4 pps),表明该晶体可作为较大功率激光调制使用的材料。     

Mn掺杂Pb(In_(1/2)Nb_(1/2))O_3-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3单晶微米尺度压电阵列的制备与铁电畴结构研究

超声探头是高端医学超声诊疗设备的核心元件,由弛豫型铁电单晶制备的新型压电器件可显著提高其性能.由于高阵元密度阵列技术与微机电系统迅速发展,传统切割填充法刀缝过宽,难以降低阵元尺寸,无法提高阵元密度,更不利于高分辨率及高频率的应用需求.采用紫外光刻-深反应离子刻蚀工艺的微机械制备方法,可以降低缝宽、提升阵列密度.制备了基于新型、高性能弛豫铁电单晶—Mn离子掺杂0.3Pb(In_(1/2)Nb_(1/2))O_3-0.4Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3 (Mn-PIMNT)的微米尺度压电阵列.研究了紫外光刻工艺参数、深反应离子刻蚀工艺参数对压电阵列形貌的影响规律,得到了不同沟道深度与不同压电阵元形状的形成机制以及Mn-PIMNT单晶的刻蚀速率与天线功率、偏置功率及刻蚀气体比例之间的关系规律.得到压电阵列阵元尺寸小于10μm,沟槽深度大于20μm,沟槽宽度小于5μm,侧壁角度高于87°.通过压电力显微镜研究了微米尺度压电阵元的铁电畴结构及电场效应调控.与传统切割填充法相比,本文的加工方法不存在刀缝过宽,可确保单晶晶向,促进了高频率压电单晶复合材料、高密度超声换能器阵列以及新型压电微机械系统的发展.     

(Ca_(0.9)Sr_(0.1))CuO_2和(Ca_(0.89)Sr_(0.11))_2CuO_3晶体结构分析

本文报道在制备高 T_c 氧化物材料中发现的两个新相的晶体结构.其一是(Ca_(0.9)Sr_(0.1))CuO_2,空间群属 P_(4/mmm),a=3.8644(?),C=3.2135(?);其二是(Ca_(0.89)Sr_(0.11)_2CuO_3,空间群为 I_(mmm),a=3.2826(?),b=3.7938(?),C=12.290(?).(Ca_(0.9)Sr_(0.1))CuO_2是 Bi 系和 Tl系超导氧化物结构的基本单元.     

长寿命微通道板(L~2MCP~(TM))

长寿命微通道板是一种新型的微通道板。它的玻璃结构是按特殊配方制造的,适合于作高温处理。它具有优良的电特性。其特点是:1.寿命长——带电流和增益的电稳定性明显提高;2.与标准微通道板相比具有更优良的暗噪声;3.比标准微通道板回收利用率更高;4.可在高温下真空烘烤,使管子取得最佳除气效果和更好的性能。内部微通道板寿命试验表明,在三个独立的试验周期中,长寿命微通道板比我们的标准微通道板更稳定。美国陆军夜视实验室已鉴定了两只用长寿命微通道板组装的管子。结论是:与标准微通道板的管子相比,此种微通道板的电子增益、带电流和暗噪声都好。     

On the Finite-Dimensional Quantum Group M3⊕(M2|1(Λ2))0

We describe a few properties of the nonsemisimple associative algebra =M₃ (M_2|1 (²))₀, where ² is the Grassmann algebra with two generators. We show that is not only a finite-dimensional algebra but also a (noncommutative) Hopf algebra, hence a finite-dimensional quantum group. By selecting a system of explicit generators, we show how it is related with the quantum enveloping of SL_q(2) when the parameter q is a cubic root of unity. We describe its indecomposable projective representations as well as the irreducible ones. We also comment about the relation between this object and the theory of modular representation of the group SL(2, F₃), i.e. the binary tetrahedral group. Finally, we briefly discuss its relation with the Lorentz group and, as already suggested by A.~Connes, make a few comments about the possible use of this algebra in a modification of the Standard Model of particle physics (the unitary group of the semisimple algebra associated with is U(3) × U(2) × U(1)).     

层数变化对堆叠生长的MoS_(2(1-x))Se_(2x)电子结构的影响

二维过渡金属硫化物因其独特的光电特性在多功能光电器件方面具有广泛的应用前景.为了进一步拓展其在微纳光电子器件方面的应用范围,并提高器件性能,人们开展了通过合金手段改变端组分材料配比实现对二维半导体材料带隙调控的带隙工程以及调控生长条件改变材料形貌和结构的缺陷工程研究.本文利用光学、原子力和扫描电子显微镜等设备以及拉曼和光致发光光谱等手段对由化学气相沉积法生长出来的堆叠状MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的性质进行了研究.不同于大多数单层或少层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的情况,堆叠生长的阶梯状MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金材料在厚度从2.2 nm (约3层)一直增加到5.6 nm (约7层)时都显出了较强的发光特性,甚至在100 nm厚时,样品的发光谱线仍具有两个发光峰.两个激子发光峰分别来源于自旋轨道耦合造成的价带劈裂.随着厚度的增加,两个峰都逐渐红移,显示了合金掺杂时的能带弯曲效应.拉曼光谱给出了类MoS_2和类MoSe_2两套振动模.随着厚度的增加,拉曼峰位几乎不移动,但面内的两个振动模E_(2g(Mo-Se))和E_(2g(Mo-s))逐渐显现并增强.显然缺陷和应力是影响堆叠生长MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金样品电子结构的主要因素,这为特殊功能器件的制备和可控缺陷工程的研究提供了有益的参考.     

Toroidal Braid Group Action and an Automorphism of Toroidal Algebra Uq(sln+1,tor) (n ≥ 2)

Utilizing an action of a modification of the double affine Hecke braid group of type gl_n+1, we obtain an automorphism of the toroidal algebra U_q(sl_n+1) (n 2), which maps two central elements C and k₀ · k_n to k₀ · k_n and C^–1, respectively.     

NO(X~2∏_(1/2,3/2))v=1←0塞曼跃迁谱及其特性研究

根据塞曼效应理论和激光磁共振光谱技术（LMR）的基本原理，讨论了双原子分子2∏态的塞曼效应特性并导出了解释分子塞曼跃迁的简明代数拟合方程，用这些方程对14N16O（X2∏1/2.3/2）及15N16O（X2∏3/2）（U＝1←0）的LMR谱线进行数据拟合，得到塞曼跃迁上、下子能级的gJ因子值和二级塞曼效应因子k2.将按Hund耦合情形（a）及过渡情形（ab）的理论和拟合方程计算出的磁场位置分别与实验结果相比较，结果表明对NO分子而言，过渡情形（ab）能较真实反映它的耦合情况，且在较高强度磁场下，必须计及二级塞曼修正验证了采用上述代数拟合方程实现新分子LMR谱线标识和指认的可靠性，并提供了系统的处理方法．     

On the hopf structure of U p,q (gl(1∣1)) and the universal T-matrix of fun p,q (GL(1∣1))

The dually conjugate Hopf superalgebras Fun _p,q (GL(11)) and U _p,q (gl(11)) are studied using the Frønsdal-Galindo approach and the full Hopf structure of U _p,q (gl(11)) is extracted. A finite expression for the universal T-matrix, identified with the dual form and expressing the generalization of the exponential map of the classical groups, is obtained for Fun _p,q (GL(11)). In a representation with a colour index, the T-matrix assumes a form that satisfies a coloured graded Yang-Baxter equation.     

Ideals generated by traces or by supertraces in the symplectic reflection algebra H1,ν (I2(2m + 1))

For each complex number ν, an associative symplectic reflection algebra ? :=?H_1,ν (I₂(2m?+?1)), based on the group generated by root system I₂(2m?+?1), has an m-dimensional space of traces and an (m?+?1)-dimensional space of supertraces. A (super)trace sp is said to be degenerate if the corresponding bilinear (super)symmetric form B_sp(x, y)?=?sp(xy) is degenerate. We find all values of the parameter ν for which either the space of traces contains a degenerate nonzero trace or the space of supertraces contains a degenerate nonzero supertrace and, as a consequence, the algebra ? has a two-sided ideal of null-vectors. The analogous results for the case H_1,ν1,ν2(I₂(2m)) are also presented.     

Pb(Sc_(1/2)Nb_(1/2))O_3中有序-无序转变和铁电相变的Raman光谱研究

采用wolframite前驱物法制备了Pb(Sc1/2Nb1/2)O3陶瓷。通过调节陶瓷烧结工艺,获得了三种具有不同B位离子有序度的PSN陶瓷。测量了三种陶瓷样品在室温至160°C范围内的Raman光谱随温度变化。结果表明,随着温度的升高,三种不同B位有序度的陶瓷样品中,Raman光谱中位于530 cm-1的F2g模的峰位和半峰宽分别在100°C,85°C和80°C发生了突变,表明陶瓷分别在100°C,85°C和80°C三个温度点发生了铁电-顺电相变。上述结论得到了介电温度谱测量数据的支持。     

Cu(100)(2~(1/2)×22~(1/2))R45°-O的表面结构与电子态的密度泛函研究

用第一性原理的总能计算研究了Cu(100))面的表面结构、弛豫以及氧原子的(2×22)吸附状态.计算给出了Cu(100)(2×22)R45°-O吸附表面的结构参数,并得到了上述结构下氧吸附的Cu(100)表面氧原子和各层Cu原子的电子态密度.计算得到的吸附表面功函数为4.58eV,与清洁Cu(100)表面功函数(~4.53eV)几乎相同.吸附氧原子与最外层铜原子之间的垂直距离约为0.02nm,其能带结构体现出一定的金属性,同时由于Cu-O的杂化作用在费米能以下约6.4eV附近出现了局域的表面态.可以认为,在Cu(100)(2×22)R45°的氧吸附表面结构下,吸附氧原子和衬底之间的结合主要来源于表面最外层铜原子与氧原子的相互作用.     

单层WS2xSe(2(1-x))合金的制备及其光学性能探究

为了全面理解过渡金属硫族化合物合金成分变化对其带隙及光学性能的影响，通过调控非金属生长源S粉和Se粉的比例，采用化学气相沉积法，制备了一系列具有不同成分的大尺寸单晶WS_2xSe₍2(1-x))合金.通过扫描电子显微镜、拉曼光谱、光致发光光谱等对其形貌、结构及光学性能进行了研究.实验结果表明：单层单晶WS_2xSe₍2(1-x))合金成分均匀且具有非线性光学特性.随着合金中非金属S含量的增多，单层WS_2xSe₍2(1-x))合金的拉曼峰发生蓝移；且其带隙也随S的增多而逐渐变大，发光和吸收峰位均逐渐蓝移.     

非化学计量和掺杂对(Na_(1/2)Bi_(1/2))_(0.92)Ba_(0.08)TiO_3陶瓷电性能的影响

研究了非化学计量和掺杂对无铅压电陶瓷 (Na1 2 Bi1 2 ) 0 .92 Ba0 .0 8TiO3的压电性能及去极化温度的影响 .研究发现A位非化学计量可以提高陶瓷的压电性能 ;B位掺杂对材料电学性能的影响规律类似于Pb(Ti,Zr)O3系压电陶瓷的相关规律 ;由于非化学计量和掺杂会影响到A位离子对B位离子与氧离子形成的BO6 八面体的耦合作用 ,影响到畴的稳定性 ,从而影响到 (Na1 2 Bi1 2 ) 0 .92 Ba0 .0 8TiO3陶瓷的去极化温度 ;所研究的陶瓷样品的去极化温度越低 ,压电系数越高 .     

Ti_3(Sn_xAl_(1-x))C_2固溶体电学、力学和热学性能的理论研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法对Ti_3(Sn_xAl_(1-x))C_2(x=0,0.25,0.5,0.75,1)固溶体的晶格结构、结构稳定性、电子结构、力学和热学性质进行了系统的理论研究.研究结果表明:Ti_3(Sn_xAl_(1-x))C_2固溶体具有金属性,都是热力学和力学稳定的脆性材料;Sn原子掺杂能在一定程度上提高材料的力学性能,当Sn原子掺杂浓度为0.75时有最大的体积模量,而掺杂浓度为0.5时有最大剪切模量.此外,Ti_3(Sn_xAl_(1-x))C_2固溶体都具有较高的熔点和德拜温度,其中Ti_3AlC_2,Ti3(Sn_(0.25)Al_(0.75))C_2和Ti3(Sn_(0.5)Al_(0.5))C_2在室温下的晶格热导率均能达到40 W/(m·K)以上,是良好的导热性材料.     

高温无铅BaTiO_3-(Bi_(1/2)Na_(1/2))TiO_3正温度系数电阻陶瓷阻抗和介电谱分析

采用固相反应法制备了Y2O3施主掺杂的92 mol%BaTiO3-8 mol%(Bi1/2Na1/2)TiO3(BBNT8)高温无铅正温度系数电阻(positive temperature coe?cient resistivity,PTCR)陶瓷.利用透射电镜观察材料的显微结构,发现陶瓷的显微结构主要包括晶粒和晶界两部分,观察不到明显的壳层结构.进一步利用交流阻抗谱研究了陶瓷的宏观电学性能,发现陶瓷的总电阻是晶粒和晶界两部分的贡献,而晶粒电阻很小,在居里温度以上变化不大,材料的PTCR效应主要是晶界部分的贡献.当温度高于居里温度时,随着温度的升高,晶界介电常数逐渐减小,导致势垒增加,晶界电阻增大,从而产生正温度系数效应.最后,通过测试材料的介电频谱特性,研究计算了陶瓷的室温电阻率.     

Muon spin relaxation and susceptibility studies of the pure and diluted spin 1/2 kagomé-like lattice system (CuxZn(1-x))3V2O7(OH2) 2H2O

Muon spin relaxation and magnetic susceptibility measurements have been performed on the pure and diluted spin 1/2 kagomé system (CuxZn(1-x))3V2O7(OH)2 2H2O. In the pure x=1 system we found a slowing down of Cu spin fluctuations with decreasing temperature towards T approximately 1 K, followed by slow and nearly temperature-independent spin fluctuations persisting down to T=50 mK, indicative of quantum fluctuations. No indication of static spin freezing was detected in either of the pure (x=1.0) or diluted samples. The observed magnitude of fluctuating fields indicates that the slow spin fluctuations represent an intrinsic property of kagomé network rather than impurity spins.