He—H2非弹性碰撞截面理论研究

当Ｈｅ原子入射能量Ｅ＝０．０５ｅＶ时，计算了Ｈｅ－Ｈ２碰撞弹性散射（００－００）和第一激发态（００－０２）的角分布（微分散射截面）。最多计算５０个分波，使弹性散射和碰撞激发的散射截面收敛。     

氦原子与H2、D2、T2分子碰撞角分布的理论计算

采用Ｔａｎｇ－Ｔｏｅｎｎｉｅｓ势模型,用密耦法求解散射方程,计算了入射能量Ｅ＝０．０５ｅＶ时,００－００,００－０２转动激发截面,进而计算了Ｈｅ－Ｈ２,Ｈｅ－Ｄ２和Ｈｅ－Ｔ２碰撞的角分布。     

反散射理论导出极低能量下的e-He相互作用势

以入射能量为２ｅｙ的ｅ－Ｈｅ弹性散射微分截面的实验数据为基础，运用反散射方法，理论上导出了ｅ－Ｈｅ的相互作用势。用这样的相互作用势计算能量为２和５ｅｖ时的弹性微分截面。所得结果表明，ＷＫＢ反散射方法对极低能情况是失效的，但量子反散射方法仍然非常成功。在极低能情况下，量子反散射方法得到的ｅ－Ｈｅ相互作用势是实数和定域的，呈现出强Vａｎ ｄｅｒ Ｗａａｌｓ势的特征，能给出符合实验数据的结果。     

反散射理论导出极低能量下的e—He相互作用势

以入射能量为２ｅｙ的ｅ－Ｈｅ弹性散射微分截面的实验数据为基础，运用反散射方法，理论上导出了ｅ－Ｈｅ的相互作用势。用这样的相互作用势计算能量为２和５ｅｖ时的弹性微分截面。所得结果表明，ＷＫＢ反散射方法对极低能情况是失效的，但量子反散射方法仍然非常成功。在极低能情况下，量子反散射方法得到的ｅ－Ｈｅ相互作用势是实数和定域的，呈现出强Vａｎ ｄｅｒ Ｗａａｌｓ势的特征，能给出符合实验数据的结果。     

He,Ne,Ar与N2分子碰撞转动激发截面理论计算

利用ＩｎｆｉｎｉｔｅＯｒｄｅｒＳｕｄｄｅｎＡｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎ（ＩＯＳ）［１］计算了Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ与Ｎ２分子碰撞的总微分散射截面、弹性微分散射截面和积分散射截面。当入射能量Ｅ＝０．０２７３ｅＶ时，计算Ｈｅ－Ｎ２的碰撞总微分散射截面结果与ＣｌｏｓｅＣｏｕｐｌｉｎｇ（ＣＣ）［２］计算结果符合很好，说明ＩＯＳ对所研究的Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ－Ｎ２碰撞体系是一种简捷可用的方法。     

低能He-H2(D2,T2)碰撞分波截面计算

采用Tang Toennes势模型 ,当入射氦原子能量是E =0 .0 5eV时 ,计算了He -H2 (D2 ,T2 )弹性分波截面和非弹性激发分波截面随量子数的变化。     

类硼离子N^2＋的电子碰撞电离—单通道截面的共振增加

使用Ｒ－矩阵方法，在库仑－玻恩非交换近似下（ＤＣＢＮＸ）采用三态密耦图象，计算了类硼离子Ｎ２＋的电子碰撞电离截面，并给出了总的能量微分截面及分波能量微分截面。计算结果揭示了明显的Ｒｙｄｂｅｒｇ系列共振，并指出共振对截面的贡献大于直接电离过程对截面的贡献，这与Ｃｈｉｄｉｃｈｉｍｏ的结论一致。     

He（2^3S）与N2O（X）Penning电离中的N2O^＋（A^2Σ^＋）生成速率及相…

在分子束条件下测量了Ｈｅ（２＾３Ｓ）＋Ｎ２Ｏ（Ｘ）→Ｎ２Ｏ＾＋（Ａ＾２Σ＾＋）＋Ｈｅ（＾１Ｓｏ）＋ｅ＾－反应的Ｐｅｎｎｉｎｇ电离光学光谱，求得了Ｎ２Ｏ＾＋（Ａ＾２Σ＾＋）态的初生态相对振动布居。以Ｈｅ（２＾３Ｓ）＋Ｎ２（Ｘ）→Ｎ＾＋２（Ｂ＾２Σ＾＋ｕ）＋Ｈｅ（＾１Ｓｏ）＋ｅ＾－为参考反应，测量了Ｈｅ（２＾３Ｓ）＋ＢＮ２Ｏ＾＋（Ａ＾２Σ＾＋）＋Ｈｅ（＾１Ｓｏ）＋ｅ＾－反应的速率常数ＫＮ２Ｏ＾＋（Ａ）     

He-HI碰撞的转动激发分波截面

基于作者所发展的分子间相互作用势,采用密耦方法计算了入射He原子能量分别为40,75和100　meV时与HI分子碰撞的弹性和非弹性分波截面.研究表明：激发分波截面比弹性分波截面收敛得快;激发态越高,激发分波截面收敛得越快;能量越高,激发分波截面收敛得越慢. 关键词： 分波截面 密耦方法 He-HI复合物     

He和D2分子相互作用转动激发研究

用T.T(K.T.TangandJ.Peter.Toennies)势模型和公认精密度较高的密耦(Close-Coupling)近似方法计算了E=0.1eV和E=0.2eV时,00-00弹性碰撞及00-02、00-04、00-06非弹性碰撞,得出D2分子转动激发分波截面,并得到了原子与分子碰撞弹性分波截面和非弹性激发截面随量子数增加的变化规律.     

He和D_2分子相互作用转动激发研究

用T .T(K .T .TangandJ .Peter.Toennies)势模型和公认精密度较高的密耦 (Close Coupling)近似方法计算了E =0 .1eV和E =0 .2eV时 ,0 0— 0 0弹性碰撞及 0 0— 0 2、0 0— 0 4、0 0— 0 6非弹性碰撞 ,得出D2 分子转动激发分波截面 ,并得到了原子与分子碰撞弹性分波截面和非弹性激发截面随量子数增加的变化规律。     

基态H和Br原子的低能弹性碰撞研究

利用分波法研究了低温及极低温下基态H和Br原子沿HBr(X1Σ+)分子相互作用势发生的弹性碰撞. 在1.0×10-11-1.0×10-3 a.u.的碰撞能区内通过数值求解原子-原子碰撞的薛定鄂方程, 计算了这一弹性碰撞的总截面和各分波截面, 讨论了各分波截面对总弹性截面的贡献. 结果表明在非常低的温度下这一弹性散射的总截面值很大、且几乎为一常数. 分析指出在极低能区内总弹性截面的形状主要由s分波截面的形状决定. 在总弹性截面上存在着2个较强的形状共振, 一个位于2.276×10-4 a.u., 另一个位于4.440×10-4 a.u. 计算表明前者主要来自于f和g分波的联合贡献, 后者主要来自于l = 5和l = 7分波的联合贡献. 虽然在f分波上还存在一个形状共振、且在直到l = 8的其它分波中也都存在强度不同的形状共振, 但它们都被淹没在较强的总弹性截面中. 同时计算还表明, 高于l = 10的分波对总弹性截面已无实质贡献.     

He原子电子动量谱学实验结果的理论分析

对作者所在实验室最近完成的Ｈｅ原子电子动量谱学实验结果进行了详细的理论分析。在平面波冲量近似和扭曲波冲量近似下，利用三类典型的Ｈｅ原子基态波函数，对Ｗｅｉｇｏｌｄ几何条件下的（ｅ，２ｅ）反应的三重微分截面进行了计算，并与实验结果作了详细的比较，结果表明Ｌ（１）电子动量谱学是直接获取电子波函数信息的有用方法；（２）平面波冲量近全民族 扭曲波冲量近似得到的电子动量谱形状的差别并不大。     

Coulomb－Born近似下的He基态（e，2e）三重微分散射截面

在Ｃｏｕｌｏｍｂ－Ｂｏｒｎ近似下，利用满足一定边界条件且包括电子动量相关的库仑波近似描述ｅ－＋Ｈｅ（１ｓ２）→Ｈｅ＋（１ｓ１）＋２ｅ－两出射电子，得出了三重微分散射截面（ＴＤＣＳ）的明晰表达式，计算了入射能为６００ｅＶ和４００ｅＶ、散射角为４°和１０°条件下的ＴＤＣＳ，并与实验值和Ｂｒａｕｎｅｒ理论结果进行了比较。结果发现，电子动量相关效应对解释ｂｉｎａｒｙ峰和ｒｅｃｏｉｌ峰的大小和位置起重要作用。     

类氢离子电子碰撞电离截面的扭曲波计算

在扭曲波库仑玻恩交换似近下用编制的计算程序计算了类氢离子Ｈｅ，Ｃ，Ｎｅ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｆｅ的电子碰撞电离截面，并将结果与Ｙｏｕｎｇｅｒ的扭曲波结果作了比较。在２％以内本文的结果与Ｙｏｕｎｇｅｒ的结果一致。并详细研究了半经典交换势对电子碰撞电离截面的效应以及沿等电子数序列变化的规律     

惰性气体原子与氢的同位素分子T2碰撞分波截面计算

用密耦计算方法及T.T(Tang-Toennies)势模型分别计算了入射能量E=0.05 eV、0.15 eV、0.25 eV时He、Ne、Ar、Kr、Xe-T2碰撞体系的00-00弹性碰撞和00-02非弹性碰撞分波截面,结果表明:对00-00弹性碰撞,分波截面随量子数J的增加不断振荡, 并随入射原子的相对碰撞能量的变化,振荡极大值的位置、收敛分波数等均有不同的变化.     

氦,氖,氩气体压力对氖光谱和能级填充的影响

以＾２３８Ｐｕ为激发源，测量了不同压力下Ｎｅ、Ｈｅ－Ｎｅ、Ｈｅ－Ｎｅ－Ａｒ体系的氖光谱，并以此为基础计算了Ｎｅ的２ｐ＾５３ｐ的１０个２ｐ能级的辐射率Ⅰ、相对集居数Ｎ、填充率Ｗ，总结出相应的Ｎｅ压力、Ｈｅ压力和Ａｒ压力对Ｎｅ的５８５．２ｎｍ谱线强度和１０个２ｐ能级填充的影响规律。     

类氢离子的电荷剥离截面

使用双撞近似和托马斯－费米近似计算了类氢离子Ｌｉ＾２＋和Ｃ＾５＋与中性原子Ｈ和Ｈｅ碰撞的电荷剥离截面。计算结果表明,总截面主要处在０．３５－１０的速度范围,这些载面与ＴｏｓｈｚｏＳｈｉｒａｉ等人计算的结果符合得较好。     

He-HD（HT，DT）碰撞（E=0．3eV）分波截面理论研究

用量子力学理论研究He-HD,HT，DT,系统弹性和非弹性碰撞转动激发．当入射原子能为0．3 ev时，用密耦方法计算了收敛的分波截面，用奥本一海默近似来决定He—HD，He-HT压He—DT相互作用势能面，对非对称替代分子与氯原子碰撞分波截面进行了仔细讨论和比较。并得到比较规律的变化蛄果．     

He-NO碰撞体系分波截面的理论计算

首先用Huxley势函数拟合在RCCSD(T)/aug-cc-pVTZ bf理论水平下计算的He-NO相互作用能数据,从而得到了He原子与NO分子相互作用各向异性势;然后用密耦近似方法计算了He-NO碰撞体系的总分波截面、弹性分波截面和非弹性分波截面,并总结了分波截面的变化规律.计算结果表明,拟合势较好地描述了He-NO系统相互作用的各向异性特征,利用碰撞体系分子间势的量子化学从头计算结果,可解决势能参数难以确定的问题,对进一步研究原子与分子碰撞机理有一定参考价值.