银基带再结晶织构的EBSD分析

本文采用EBSD（电子背散射衍射）等分析手段对{110}〈110〉取向的银基带的织构形成机理进行了深入研究，发现了冷轧织构与不同退火温度下再结晶织构间的取向转变关系，研究发现，{110}面附近且非{110}〈211〉取向的冷轧织构组分，900℃退火可以转变为强的{110}〈110〉织构．织构转变中有孪晶形成，{110}〈110〉和{110}〈114〉取向互为孪晶关系．     

高温超导Ni-W基带的织构研究

涂层超导是目前国际超导界的研究热点和重点,所采用的韧性金属基带多为Ni和Ni-W合金.本文采用粉末冶金方法制备了Ni-3 at.%W和Ni-5 at.%W合金.利用轧制辅助双轴织构基带(RABiTS)技术制备了Ni-W合金基带,系统研究了Ni-W合金形变和再结晶织构转变规律.研究表明:通过大变形量的冷轧和高温再结晶退火,可以得到强立方织构的Ni-W合金基带.     

高温超导Ni—W基带的织构研究

涂层超导是目前国际超导界的研究热点和重点，所采用的韧性金属基带多为Ni和NiW合金．本文采用粉末冶金方法制备了Ni-3 at．％W和Ni-5 at．％W合金．利用轧制辅助双轴织构基带（咖TS）技术制备了Ni-W合金基带，系统研究了Ni-W合金形变和再结晶织构转变规律．研究表明：通过大变形量的冷轧和高温再结晶退火，可以得到强立方织构的Ni-W合金基带．     

在织构Ag基带上制备YBa2Cu3O7-δ超导膜

在织构Ａｇ基带上用脉冲激光方法沉积ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导膜,直流电阻法测量超导膜的临界电流密度为４×１０＾５Ａ／ｃｍ＾２。结合生成膜的结构分析,对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体在Ａｇ基带上的生长机制进行讨论。     

定向电镀—涂层导体织构化基带低成本制备的潜在途径

高昂的基带制备成本是限制涂层导体大规模应用的主要障碍。对电镀Ag中取向变化进行了研究分析。研究结果表明,当电镀电流密度较低时(趋于0),镀膜以(220)织构为主,与基片的织构基本一致;当电镀电流密度较高时,样品延密排面(111)择优取向。在此基础上,利用自主研制的定向电镀原理性装置在Cu基片上电镀出(200)取向的双轴织构的Ag层。这些结果为涂层导体织构化基带的制备提供新的可能途径。     

YBCO涂层导体用Ni5W基带的制备和立方织构的发展

为了制作能满足YBCO涂层导体（coated conductor）所需要的高强度、低磁性的立方织构基带，本工作用粉末冶金方法制作了Ni-5at％W合金基带．为评估基带中立方织构的发展，用March-Dollase函数对各种热处理样品的择优取向度进行了研究，结果与用X射线极图法和电子背散射衍射法得到的结果基本一致．研究结果表明，在实验中所用的工艺参数范围内，随总加工率和热处理温度的提高，基带中立方织构百分数明显增高．提高总加工率实际增加了冷加工样品中立方织构晶粒或立方核心的数量．实验中得到了较好的和实用的工艺制度，用这种工艺可以制作出具有99％～100％立方织构百分数，并具有很好一致取向度的Ni5W基带．     

YBCO涂层导体用Ni5W基带的制备和立方织构的发展

为了制作能满足YBCO涂层导体(coated conductor)所需要的高强度、低磁性的立方织构基带,本工作用粉末冶金方法制作了Ni-5at%W合金基带.为评估基带中立方织构的发展,用March-Dollase函数对各种热处理样品的择优取向度进行了研究,结果与用X射线极图法和电子背散射衍射法得到的结果基本一致.研究结果表明,在实验中所用的工艺参数范围内,随总加工率和热处理温度的提高,基带中立方织构百分数明显增高.提高总加工率实际增加了冷加工样品中立方织构晶粒或立方核心的数量.实验中得到了较好的和实用的工艺制度,用这种工艺可以制作出具有99%～100%立方织构百分数,并具有很好一致取向度的Ni5W基带.     

利用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni基带上外延CeO2薄膜

利用脉冲激光沉积技术在氢还原气氛下成功地在双轴织构的Ni基带上外延了高质量的CeO2薄膜.x射线衍射θ-2θ扫描和ω扫描结果表明,CeO2薄膜在Ni基带上呈c轴方向生长,存在很强的平面外织构;极图和ψ扫描显示它具有良好的平面内织构.Ni基片上织构的CeO2薄膜为进一步在其上外延高质量的YBa2Cu3O7-x超导薄膜提供了很好的模板.     

利用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni基带上外延CeO2薄膜

利用脉冲激光沉积技术在氢还原气氛下成功地在双轴织构的Ni基带上外延了高质量的CeO₂薄膜. x射线衍射θ—２θ扫描和ω扫描结果表明，CeO₂薄膜在Ni基带上呈c轴方向生长，存在很强的平面外织构；极图和φ扫描显示它具有良好的平面内织构. Ni基片上织构的CeO₂薄膜为进一步在其上外延高质量的YBa₂Cu₃O_7-x超导薄膜提供了很好的模板. 关键词： 双轴织构的Ni基带 2薄膜')" href="#">CeO₂薄膜 脉冲激光沉积     

区域熔炼NdBaCuO超导体织构的EBSD研究

电子背散射衍射技术(electron backscattered diffraction,EBSD)是一项新型的微区织构分析方法,本文介绍了EBSD技术在REBaCuO(RE=稀土元素,包括Y、Nd等)超导体织构分析上的应用.REBaCuO单位晶胞的伪立方特性导致其菊池花样易被90°误标定,识别低衍射强度的特征菊池带并正确标定菊池花样是减少自动取向误标定的有效方法.本实验利用EBSD技术实现了区域熔炼NdBaCuO超导块材微区织构的自动取向成像分析,揭示了区熔NdBaCuO样品的晶体生长特征.EBSD技术能把晶粒取向与微观结构联系起来,是晶体微区织构分析的强有力工具.     

冷轧铜板再结晶織构的形成

电解纯铜经88.7％冷轧后,所形成的轧制织构除稳定的(110)[112]舆(112)[111]外,还存在着一种(3,6,11)[533]织构。在较低温度下退火时,再结晶织构主要为(100)[001]、(358)[352]和舆(100)[001]成孪生取向的(122)[212]织构。随着退火温度的增加,(358)[352]织构逐渐减弱,立方织构(100)[001]则逐渐加强;当退火温度达到900℃时,开成了集中的(100)[001]织构。冷轧铜板在退火的过程中,具有(100)[001]再结晶晶粒首先形成,然后普遍地发生同位再结晶。其中具有(100)[001]取向的晶粒,继续发生选择性的生长,最后形成了集中的立方织构。本支中对轧制织构舆其再结晶织构取向间的关系也进行了分析,再结晶织构一般可认为是原有织构沿某一个[111]轴旋转45°,22°或38°的结果。同时,根据上述几何关系所绘出的理想极图舆实际测定的结果也是符合的。试验结果指出,不同加热速度和不同加热程序对形成最终的再结晶织构,不发生显著的影响,而退火温度对再结晶织构的形成起着主要的作用。     

绝缘层上半导体多晶膜激光再结晶临界条件

从理论的角度分析了绝缘衬底对其上面半导体多晶膜激光熔化再结晶过程的影响, 发现低导热的绝缘层使产生固一液相变的临界激光功率有明显的降低.用喇曼光谱测量了激光再结晶SOI层中的应力. 应力的出现是多晶膜内曾经发生过固一液相的佐证.从这一思想出发, 对LPCVD方法制备的大量SOI 样品进行激光再结晶临界条件的研究, 证明了忽略绝缘层低热导影响的模型不能解释实验结果, 而经过修正的公式则可以较好地拟合实验结果, 关键词：     

绝缘层上半导体多晶膜激光再结晶临界条件

从理论的角度分析了绝缘衬底对其上面半导体多晶膜激光熔化再结晶过程的影响,发现低导热的绝缘层使产生固-液相变的临界激光功率有明显的降低。用喇曼光谱测量了激光再结晶SOI层中的应力。应力的出现是多晶膜内曾经发生过固-液相变的佐证。从这一思想出发,对LPCVD方法制备的大量SOI样品进行激光再结晶临界条件的研究,证明了忽略绝缘层低热导影响的模型不能解释实验结果,而经过修正的公式则可以较好地拟合实验结果。 关键词：     

改善YBCO高温超导银基带的织构

采用部分再结晶的方法对形成{110}<110>多晶Ag织构的"领先再结晶取向"进行了研究.通过控制银的纯度及冷轧和再结晶退火过程,得到了很强{110}<110> 织构的银基带,并对织构形成过程进行了探索.     

聚合物网络稳定铁电液晶中的条纹织构的研究

对聚合物网络稳定的铁电液晶体系进行了研究.实验表明,在聚合物网络单体聚合过程中施加低频交变电场，在偏光显微镜下观察到均匀的液晶分子排列出现一新的条纹织构.从体系自由能的角度对条纹织构给出合理的解释. 关键词：     

桑色素荧光法测定痕量锗的反应机理研究

本文对桑色素荧光法测定痕量锗的反应机理进行了较为详细的研究。确定了该反应的络合比，用荧光法，紫外吸收法和红外吸收法确定了反应的位置，从而得到了桑色素荧光法测痕量锗的理论根据。     

ESR研究非晶Ag+导体的晶化

用电子自旋共振(ESR)方法对非晶Ag⁺离子导体0.85AgI~0.15Ag₄P₂O₇的热处理晶化过程进行研究,在样品中掺入微量(约1×10^-3 g/g)的Mn²⁺或V⁴⁺离子作为自旋探针离子,它们的ESR谱强度随升温线性减弱,当样品完全晶化时ESR谱消失。这样测定的样品完全晶化的温度分别为98℃(掺Mn的)和108℃(掺V的).本文还对Mn²⁺和V⁴⁺的ESR谱进行了分析。     

Ag掺杂SmBCO熔融织构单畴生长工艺研究

通过Ag掺杂降低Sm123/Sm211体系熔点,利用Nd123冷籽品技术成功制备出具有理想织构的smBCO/Ag单畴块材.研究了smBco/Ag单畴的生长过程,结果发现,相比于未掺杂坯体,掺入Ag后的smBcO坯体生长速率下降,在所考察的慢冷温区里,生长速率呈不断减小趋势,最终因自发成核而无法继续生长.实验还发现,SmBCO/Ag 单畴生长温度窗口随Ag掺量增加向低温区平移.对样品剖面的观察发现,在最高熔化温度保温阶段大量气体未能排出SmBcO/Ag坯体,这些气体在单畴慢冷生长过程中不断向外侧迁移、合并形成宏观可见的孔洞.在单畴生长过程中,这些位于生长前沿的高密度气孔,一定程度上影响了液相和sm3+离子向生长前沿的供应,是单畴生长速率较低的可能原因.微结构分析表明熔融生长过程中Sm211粒子发生二次晶粒长大现象,长大后的Sm211粒子提供Sm3+离子的能力减弱,导致慢冷生长后期阶段生长速率呈下降趋势.