36Krq+(q=1,2)与H和He碰撞的电荷剥离截面

采用二体碰撞近似和托马斯-费密近似方法计算了多电荷离子₃₆Kr^q+的势函数和电子动量分布,以及它与中性原子H和He碰撞的电荷剥离截面. 关键词：     

质子与He+,Li++高能碰撞过程中电子俘获截面的理论计算

用OBK近似和CDW近似计算了H⁺+He⁺和H⁺+Li⁺⁺碰撞过程中电子俘获到激发态的分截面与俘获到基态分截面的比值，结果发现用OBK近似给出的比值和用CDW方法所给出的相应比值在高能区符合得很好．由此提出了一种用于计算高能H⁺与任一类氢离子碰撞的电子俘获总截面及任一激发态分截面的方法 关键词：     

H+,He2+与Li原子碰撞中电子俘获总截面的程函近似计算

采用Li原子价电子的有效势对前置形式程函近似振幅公式进行了修正,提出有效势修正程函近似方法,并对H^＋和He²⁺与Li原子碰撞中的电子俘获总截面进行了计算,取得了与实验比较吻合的结果. 关键词：     

Cq+(q=1-4)与He,Ne,Ar碰撞的电子损失截面测量与研究

在中能区测量了C^q+(q=1-4)与He,Ne,Ar气体原子碰撞的电子损失截面,计算分析了入射离子损失两个电子与一个电子的总截面比 R₂₁. 单反应道分析无法完全解释所有实验结果,必须同时考虑入射离子的电子损失、电子俘获和靶原子电离各种出射道间的耦合作用. 对于不同靶原子的碰撞,入射离子损失一个电子和两个电子的速度阈值可以由屏蔽和反屏蔽理论解释. 然而,该理论不能完全解释截面比 R₂₁ 关键词： 离子-原子碰撞 截面 电子损失     

化合物和合金中离子投影射程分布矩的计算(Ⅱ)——轻离子(Z1≤10)的射程分布矩

本文根据离子在固体材料中电子阻止截面的实验资料,给出了低能Li⁺,Be⁺,B⁺,C⁺,N⁺,O⁺,F⁺,Ne⁺等离子在固体中电子阻止截面S_e的经验公式。这些经验公式既能够很好地反映电子阻止本领的Z₁和Z₂振荡、又能正确地给出S_e随离子能量E的变化关系。用这种以实验为基础的S_e经验公式和符合于WHB势的核散射函数,计数了从H⁺到Ne⁺十种轻离子在非晶Al₂O₃,SiO₂,20/25/Nb不锈钢,LiNbO₃和UO₂等材料中的投影射程分布的一次至三次矩。将计算值与近几年的实验测量及其他人的计算结果进行了比较,在低能端,我们计算的平均投影射程R_p与实验符合得更好。 关键词：     

强扰动能区非全裸C$lt;sup$gt;$lt;i$gt;q$lt;/i$gt;+$lt;/sup$gt;，O$lt;sup$gt;$lt;i$gt;q$lt;/i$gt;+$lt;/sup$gt;($lt;i$gt;q$lt;/i$gt;=1—4)与He原子碰撞过程中截面比的实验研究

利用兰州大学2×1.7 MV串列加速器离子-原子碰撞实验终端上产生的单核子能量为20—500 keV的C^q+和O^q+（q=1—4）离子与He原子碰撞.采用符合测量方法和多参数数据获取系统得到了散射离子与反冲离子电荷态的二维谱,从而分别得到直接电离、入射离子俘获电子和入射离子损失电子截面与总截面的截面比R^direct, R^capture和R^loss,并对强扰动能区的各个反应道之间竞争关系及同一反应道在不同碰撞体系中所表现出的实验规律进行了比较和定性分析. 关键词： 离子-原子碰撞 截面比 竞争关系 强扰动区     

(e,2e)反应三重微分截面的计算

给出了利用BBK模型计算电子碰撞电离H,He⁺,He和Li⁺三重微分截面的通用方法,适用于中、高入射能量下的各种几何条件。计算结果与其它理论结果和实验数据进行了比较,符合得很好。     

中低速C3+与He，Ne，Ar原子相互作用过程中单电子转移绝对截面的测量

实验测量了1.7v₀—4.2v₀(v₀为玻尔速度,v₀=2.19×10⁸cm/s)的C³⁺与He,Ne,Ar原子碰撞过程中单电子转移绝对截面.将实验结果与多体经典轨道蒙特卡罗模拟计算结果做了比较,发现测量结果与多体经典轨道蒙特卡罗模拟计算结果在趋势上相符.当入射离子速度在1.7v₀—2 关键词： 离子-原子碰撞 单电子转移 绝对截面     

BaHf0.5Ti0.5O3电子结构与光学性质的第一性原理研究

基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似（GGA）,利用第一性原理方法研究了BaHf_0.5Ti_0.5O₃的电子结构和光学性质.计算结果表明,BaHf_0.5Ti_0.5O₃是一种间接带隙半导体材料,其导带底主要由Ba、Hf和Ti的d态电子构成,价带顶则主要由O的p态、Hf和Ti的d态电子构成;理论计算的介电函数最高峰的峰位与实验结果吻合较好,相对误差小于4%;吸收系数最大峰值为2.43×10⁵cm^-1,且吸收主要集中在低能区,静态折射率为2.01,能量损失峰出现在13.24 eV处.研究结果为BaHf_0.5Ti_0.5O₃光电材料设计与应用提供了理论依据.     

反冲原子对低速离子轰击Si表面时电子发射产额的影响

在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源高电荷态原子物理实验平台上,用低能(0.75keV/u≤EP/MP≤10.5keV/u,即3.8×105m/s≤vP≤1.42×106m/s)He2+,O2+和Ne2+离子束正入射到自清洁Si表面时二次电子发射产额的实验结果.结果表明电子发射产额γ近似正比于入射离子动能EP/MP.在相同动能下,γ(O)γ(Ne)γ(He),对于原子序数ZP比较大的O2+和Ne2+离子,ZP大者反而γ小,这与较高入射能量时的结果截然不同.通过计算不同入射能量下入射离子的阻止能损S,发现反冲原子对激发二次电子的作用随入射离子能量的降低显著增大,这正是导致在较低能量范围内二次电子发射产额与较高入射能量时存在差异的主要原因.     

高电荷态离子N6+与He原子碰撞激发过程的实验研究

利用电子迴旋共振(ECR)多电荷离子源产生的高电荷态离子束和LHT-30VUV真空紫外单色仪,对N⁶⁺与He碰撞激发过程进行研究,观察到三种碰撞激发过程:(1)单电子俘获;(2)双电子俘获;(3)入射离子直接激发过程。 关键词：     

甲醛的态选择性多光子电离研究

我们在XeCl准分子激光多光子电离甲醛分子的研究中,获得了甲醛经过2+1和2+2光子共振激发过程而产生的母体离子和高能离解通道的离子CO⁺。在电子轰击和单光子电离中占优势的低能阈离解通道离子HCO⁺,由于态选择性激发的结果而未出现。 关键词：     

He+离子和Ar原子碰撞过程中激发态的研究

在He⁺离子和Ar原子碰撞过程中,同样存在着电子俘获激发和直接激发两种过程。本文把实验结果同He⁺离子和Ne原子碰撞体系进行了比较,发现:在入射离子速度较小时,实验所得到的Hel三重态发射截面要大得多;当入射离子He⁺的速度大于一个原子单位(2.2×10⁸cm/s)时,情况则相反。因此,在俘获电子过程中,势能亏损同He⁺离子的入射速度是两个非常重要的因素,而且它们之间存在一个竞争过程。入射离子He 关键词：     

低能电子离化He原子(e,2e)反应中的动力学屏蔽

在三体索末菲参量修正的基础上,进一步对(e,2e)反应的末态He⁺中核外电子的有效屏蔽给出修正-这种修正反映了末态四粒子间的动力学屏蔽-并用修正后的索末菲参量计算了入射能量为50eV时,共面不对称几何条件下电子离化He原子的三重微分截面-所得结果与convergent close-coupling理论结果及最新绝对测量的实验数据进行比较,发现当敲出电子能量为10eV时,理论曲线更接近实验数据- 关键词：     

低和中等电离度离子的电子碰撞电离截面的扭曲波计算

利用扭曲波Born交换近似方法计算了Ne⁺，…，Ne⁶⁺的电子碰撞电离截面，计算结果同实验和其他理论结果相一致.为满足实际应用需要，给出了高精度的拟合公式.还讨论了扭曲波Born交换近似方法对低电离度离子的适用性以及交换势的引进对计算结果的影响. 关键词：     

宏观放电参数对快原子态氮(N+,Nf)的影响

采用氮直流辉光放电等离子体中快电子和重粒子(N₂⁺,N⁺,N_f)混合的蒙特卡罗方法,模拟研究了快原子态粒子(N⁺,N_f)的产生率及轰击阴极的能量分布随宏观放电参数(P,V)的变化规律.结果表明,存在一最佳放电条件,使阴极壁处粒子(N⁺,N_f)的粒子数密度大且能量高;当电压大于800V时,轰击阴极的活性粒子(N⁺,N_f),主要由N₂⁺-N₂离解过程产生,电压小于300V时,主要由e^--N₂离解过程产生,模拟结果与实验结果相符合.     

200 keV V+注入花生种子深度-浓度分布的蒙特卡罗模拟

在对植物种子靶材料进行处理和对LSS理论进行修正的基础上,用蒙特卡罗方法模拟计算了在一维和二维近似情况下,200 keV V⁺注入花生种子的深度-浓度分布,得到了与实验结果较符合的曲线.并在同样初始条件和理论模型下,计算了200 keV N⁺注入植物种子的深度-浓度分布,为研究低能离子注入植物种子深度-浓度分布提供了一种初步的理论计算方法.     

基于多体经典轨迹蒙特卡罗方法的H+,Li3+,Be4+,O7+与He原子电荷交换过程

经典轨迹蒙特卡罗(CTMC)方法是研究离子-原子碰撞系统电荷交换过程的常用方法,广泛应用于天体物理以及实验室等离子体环境下重粒子碰撞过程的研究.本文利用四体碰撞模型(4-CTMC)研究了包括两个束缚电子的四体碰撞过程,通过数值求解四体碰撞系统的哈密顿运动方程,计算了高电荷态入射离子(Li³⁺,Be⁴⁺和O⁷⁺)同氦原子在大能量范围的单、双电子电离和俘获截面.H⁺+He碰撞截面的计算中,在50—200 keV/amu的入射能区,4-CTMC的结果几乎重复了实验结果.在高电荷态入射情形下,4-CTMC计算的单电子电离和俘获截面值相较于三体碰撞模型(3-CTMC)在100—500 keV/amu的入射能区内与实验符合更好.尽管4-CTMC和3-CTMC忽略了电子关联,均高估了双电子电离和俘获截面(与实验值相比),但4-CTMC的结果更接近实验.     

采用B样条有限基集获得等电子系列基态关联能

报导了基于组态相互作用模型对几种双电子原子(离子)系统基态电子关联能的计算方法研究,方法上属于变分法应用的范畴,技巧上采用B样条处理径向基,同时又用Goldman[3]提出的"混合L"法处理角向基,给出He,H^-,Li⁺,Be⁺⁺,B⁺⁺⁺等五种原子(离子)系统的有关计算结果,还与其它理论方法的相应结果作了对比,显示出良好的计算精度和效率     

快电子与原子分子碰撞实验

 仅由原子分子体系本身的物理量决定.1935年,Bethe证明广义振子强度与光学振子强度之间有如下关系:f（E_j,q）=f⁰（E_j）+Aq²+Bq⁴+…,df（E,q）/dE=df⁰（E）/dE+Aq²+Bq⁴+…当q→0即高入射电子能量（T>>E）和0°散射角情况下,不管玻恩近似是否成立,都有:方程右边各物理量实验上都能测量.于是用快电子碰撞测量0°散射微分截面,即通过能量损失谱测量可得光学振子强度.