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本文采用荧光窄化技术,对低组分的GaAs1-xPx:N(x=0.76,0.65)混晶材料中Nx束缚激子的声子伴线进行了研究.在低温下,选择激发Nx带时,我们得到了与GaP:N低温发光谱中类似的声子伴线结构.根据实验结果,给出了混晶中各种声子的能量.另外,对组分为x=0.76的GaAs1-xPx:N混晶样品,我们还首次观察并分析了多声子重现光谱. 相似文献
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对不同组分的掺FeⅢ-Ⅴ族混晶GaAs1-xPx,测量了Fe深受主中心空穴热发射的非指数恒温暗电容瞬态及DLTS谱。用混晶无序使Fe深能级展宽的模型理论拟合实验结果,得到Fe能级Gauss型展宽的半宽和中心能级的热发射率,并确定出基态空穴跃迁的中心能级的焓变与组分的关系:先是减少,而后增大,与由光电容方法得到的Gibbs自由能变量与组分x的关系明显不同。 进一步讨论表明,上述两种测量方法得到的Fe中心的激活能不同,可能反映Fe中心的键合状态和混晶无序诱导的品格弛豫的影响。 相似文献
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本文采用第一性原理平面波超软赝势方法,通过搭建混晶界面的方式计算并分析了TiO2混晶的光催化性能.从光的吸收能力、光生电子-空穴对的分离效率以及载流子的转移效率三方面,与锐铁矿相和金红石相TiO2单晶进行对比分析.结果显示TiO2混晶的电子-空穴对分离率高于锐钛矿相TiO2、金红石相TiO2单晶,TiO2混晶中吸收峰明... 相似文献
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本文报道了Ga_xIn_(1-x)P混晶的室温拉曼散射和X射线衍射的测试结果。所用的样品用MOCVD方法生长在<100>晶向的GaAs衬底上。混晶组分x值在0.54~0.95之间。实验结果表明,Ga_xIn_(1-x)P混晶的长波长光学声子谱呈现修正的双模行为,具有类GaP和类InP两个光学支。 相似文献
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采用分子动力学模拟研究了非晶Ag的等温晶化过程,通过原子轨迹逆向追踪法分析了不同类型晶体团簇的结构遗传与组态演化.在团簇类型指数法的基础上,根据基本团簇种类与联结方式不同,提出了一种可区分fcc单晶、多晶与混晶团簇的分析方法.在非晶Ag等温晶化过程中,基于团簇结构的连续遗传性特征,发展了一种可区分fcc单晶、多晶与混晶晶胚与晶核的结构分析技术.结果发现:不论临界尺寸还是几何构型,不同类型的晶核结构都存在差异,其中fcc单晶临界尺寸最小,多晶次之,混晶最大; fcc单晶与多晶壳层原子中有少量hcp和bcc原子,而混晶壳层则全部为非晶类原子,并且fcc单晶、多晶与混晶的临界晶核都不是球型结构. 相似文献
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考虑电子-声子耦合强度因维度而异,导出了描述三维、二维和一维混晶中电子-声子相互作用的哈密顿量。考虑构成三元混晶的两种二元晶体的晶格失配会使混晶体积随元素组分比改变,在推导三维、二维和一维三元混晶中极化子自陷能量和重整化有效质量时计入了离子相对位移与二元晶体原胞体积的关系。结果表明:磷化物三元混晶中极化子自陷能量和重整化有效质量随元素组分的变化关系呈明显的非线性特征,对晶格适配明显、电子-声子耦合较强的材料,体积效应不可忽略。维度越低,非线性特征和体积效应越明显。 相似文献