首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 0 毫秒
1.
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管深能级.结果表明,有B陷阱的GaAS0.55P0.45红色发光二极管亮度比有C陷阱的低;并对B陷阱深能级位置的真实值进行了详细计算.  相似文献   

2.
粉末荧光粉的发光亮度与合成条件、处理方法密切相关,本文通过长期研究确定了投影电视用绿色荧光粉YAGG:Tb的最佳灼烧温度在1500℃左右,当用弱酸和有机溶剂先后处理之后,可以将发光亮度提高35%,荧光粉颗粒细小均匀,分散性和流动性均达到较高水平.  相似文献   

3.
采用X射线衍射法定量测定了不同Cd2+含量下,(Zn,Cd)S:Cu,Cl电致发光粉的晶体结构成分.发现随着Cd2+的增加,材料中立方结构的含量逐渐减少,发光光谱向长波方向移动,而且亮度逐渐降低.利用相变使材料结构由六角结构向立方结构转变,大幅度提高了材料的发光亮度.  相似文献   

4.
设计了一种新型结构的场发射碳纳米管发光管,采用热解法直接生长在钨丝上的碳纳米管作为发光管阴极,获得了新的碳纳米管生长工艺.扫描电子显微镜的表面形貌分析表明,钨丝上碳纳米管的顶端有许多分叉.在常温且真空度为10-4Pa的条件下,测试了钨丝上碳纳米管的电流-电压发射特性,测得开启电场强度为1.25V/μm左右.当电场强度为2.0V/μm时,电流密度可迭320A/m^2.测试了发光管的发光特性,当电压为300V时,亮度可达1600cd/m^2.这种低成本、低耗能、高亮度的新结构碳纳米管发光管,有效地提高了场发射效率和发光亮度,可用于交通指示和大屏幕显示器.  相似文献   

5.
采用真空热蒸发镀技术制备了双层结构的有机电致发光器件:ITO/TPD/AIq3/Al,测试Alq3发光层厚度分别为30nm、70nm、120nM的有机电致发光器件的J-V、L-I特性曲线,研究其发光强度随发光层厚度的变化影响,并解释产生影响的主要原因。  相似文献   

6.
为提高彩色等离子体显示屏的发光亮度和效率,提出了一种新型Ne Xe Kr混合气体.通过测量不同配比和压强条件下混合气体的光电特性,对放电气体进行了优化研究.经综合比较,得出以下结论:在常用放电气体Ne Xe中掺入Kr气,有助于提高显示屏的亮度、光效及获得较佳的白场色度,但充入高Kr含量混合气体的显示屏的功耗很大,因此Kr含量不能过高,其分压比应在0 1%~2%之间,典型气体配比为NeXe8Kr0 5,总的充气压强应在60~80kPa之间.实验结果表明,与NeXe8气体相比,NeXe8Kr0 5的发光亮度和发光效率分别提高了15%和21%.  相似文献   

7.
杨艳丽  石开  常玉花 《科技信息》2009,(24):84-84,86
氧化锌是宽禁带(33eV)直接带隙n型半导体材料,并具有较高的的激子束缚能(60eV)。这使其成为紫外激光器和真空荧光显示的理想材料。在荧光显示方面,人们比较关注的是ZnO薄膜蓝-绿光发射特性,以便使其作为绿色荧光材料应用于平板显示领域。本文主要探讨了ZnO的发光机理。  相似文献   

8.
利用真空蒸镀的方法制备了结构为:ITO/m-MTDATA(20 nm)/NPB(15 nm)/DPAVBi:Rub(x nm,2%)/Alq3(25 nm)/Li F(0.5 nm)/Al(100 nm)的器件.研究了掺杂层的不同厚度(x=15,25和30 nm)对器件性能的影响.结果是当掺杂层的厚度为25 nm时,器件的性能最好.当电流密度为524.22 m A/cm2时,获得最大电流效率,为4.37 cd/A;获得最大亮度,为22 890 cd/m2.器件的高亮度与高效率主要是因为主客体之间的能量转移很充分.  相似文献   

9.
赵博选 《甘肃科技》2013,(19):44-47,20
通过对国内外有机高分子电致发光显示(Polymer Light—Emitting Diode,PIED)的行业研究,及相关制作工艺技术等研究,利用自行设计分子结构、研发制备的红、绿、蓝3种颜色的高分子电致发光材料,自行研发、原理性地设计了PIED显示器件的结构,探索了PIED显示器件的制备工艺流程,成功制备出了高亮度、高效率的红、绿、蓝三色高分子电致发光显示器件,并对所研制的PIED显示器件进行了多项相关光电性能测试,结果显示,其各项光电性能指标均已达到或接近国内外同类产品的技术水平。  相似文献   

10.
以三聚磷酸钠(Na5P3O10)和稀土硝酸盐为原料,合成了具有很好发光性能的LaPO4:Ce,Tb荧光体.用XRD,TEM,PL对所合成的荧光体进行了表征,据实验结果,样品的晶体结构属四方体心结构;TEM显示荧光体颗粒分散均匀;样品荧光发射主峰位于543nm,来自于Tb^3+的^5D4-^7F5跃迁.  相似文献   

11.
随着荧光蛋白(fluorescent protein)被不断改进和广泛运用于生物科学的研究,近几年对荧光蛋白光学性质的结构基础越来越了解,尤其是对荧光蛋白生色机制已经基本清楚.荧光蛋白的三个生色团氨基酸经过成环氧化成熟后形成一个平面共轭结构,电子的迁跃产生荧光.基于荧光蛋白的双分子荧光互补技术(bimolecular fluorescence complementation,BiFC)由于其操作简单、对环境条件要求不高等特点而在生物学中被广泛应用,并在功能和用途上得到较大提高.这里对荧光蛋白发光性质的结构基础及在BiFC应用方面的研究进展进行了综述.  相似文献   

12.
DCM(4-二氰基甲基-2-甲基-6-(p-二甲基胺苯乙烯)H-吡喃)分子被广泛应用于激光器、有机发光二极管等器件,但针对于其在固体基质时的不同质量分数及温度下,对发光光谱和荧光寿命的研究相对较少.故而本文将不同质量的DCM溶解在PMMA(甲基丙烯酸甲脂)中,测量了在不同温度下,质量分数为1%和5%DCM样品的发光光谱及其动力学曲线.实验发现,质量分数为1%的DCM样品在温度35~295 K时基质极性无明显变化,而质量分数为5%的DCM样品,在195~295 K 时基质极性减小.实验还发现质量分数为1%和5%的DCM样品在温度下降过程中均表现出发光增强和荧光寿命增加的现象.  相似文献   

13.
在忙碌的都市生活中,有人站在地铁里半梦半醒,有人在电脑前哈欠连篇,有人在会议结束后脑子一片空白,有人甚至在朦胧中让爱车与道路护栏来了个飞吻。很多人都说:“让我好好补两天觉,就不会出这些问题了。”可事情真的是这么简单吗?  相似文献   

14.
付新华 《大自然》2009,(1):68-69
武汉一个酷热的夏夜里,出于对萤火虫的喜爱和关注,我戴着头灯,在远离城市的郊区湖畔观察萤火虫。突然,不远处的湖水巾亮起一个非常微弱的光点,持续时间不到1秒,但仍然引起了我的注意。10分钟后,在同一片水域连续出现5~10个微弱的光点,持续时间不到3秒。我走上前用双手将这个发光点捞了起来,在头灯的照射下,慢慢拿掉浮萍等杂物以后,一条黑褐色的萤火虫幼虫现身了。我将这条幼虫装入标本瓶中,将头灯关闭,  相似文献   

15.
总结稀土石榴石基荧光材料的组成结构及发光机理,概述高温固相法、沉淀法、溶胶-凝胶法、燃烧法、微波法、喷雾热解法和溶剂热法等石榴石基荧光材料的合成制备方法,对稀土石榴石荧光材料的发展前景进行展望,以期为研究高性能的新型稀土石榴石荧光材料提供理论基础和科学依据。  相似文献   

16.
Cu+对 ZnS:Cu电致发光材料光致发光光谱的影响   总被引:1,自引:2,他引:1  
以ZnS为基质材料,在其中掺入Cu+,使其质量比分别为0.05%,0.10%,0.15%,0.20%,0.25%,制得5个不同的ZnS:Cu电致发光材料样品.通过对样品材料光致发光光谱的分析和电致发光亮度的测量,发现随着Cu+含量的增加,样品材料的光致发光光谱波长由480 nm逐渐变为520 nm,即由蓝色变为绿色.当Cu+的质量比高于0.15%,虽然发光中心数目增加,但光致发光光谱的强度降低,电致发光亮度减弱.得出结论:Cu+与ZnS的质量比为0.15%时,ZnS:Cu电致发光材料的光致发光光谱峰值最大,电致发光亮度最高.  相似文献   

17.
采用生物超微弱发光探测技术对食管癌细胞的超微弱发光进行研究,获得了食管癌细胞增殖与超微弱发光强度之间的关系.研究结果表明:不同密度组细胞的超微弱发光不同;超微弱发光与细胞的增殖状态有关.  相似文献   

18.
提起光,人们便会想到热,因为光与热是相辅相成的。然而,生物光却只发光不产热,故名冷光。地球上存在哪些生物冷光?生物冷光又隐藏着什么奥秘?  相似文献   

19.
制备了Na_2O-B_2O_3-SiO_2-ZnO-BaO的基质玻璃,该基质玻璃光学性能良好,透光率高,色泽纯净透明。使用基质玻璃与荧光粉共烧结,打磨至1mm可以得到荧光玻璃样品。发现共烧结30min时荧光玻璃有最大的发光强度,烧结时间过长破坏荧光粉的物理结构,烧结时间过短无法获得较好的光学性能。荧光粉含量(质量百分比)为3%时荧光玻璃发射强度最大,荧光粉过少时光转换效率低,荧光粉过多时出现浓度猝灭效应。使用碳粉还原性气氛烧结最大可以获得425%的发光效率提升。  相似文献   

20.
系统研究稀土Eu~(3+)离子的荧光谱线的数目、位置和强度与其所处的周围环境对称性之间的关系,提出利用这种关系探测被取代离子周围晶场对称性及取代格位的方法,该方法为许多化合物的结构研究工作提供了一种简便、灵敏的实验手段。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号