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硅基波导与GeSi/Si超晶格探测器之间光电集成器件的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
用分子束外延法将GeSi/Si超晶格结构生长在n^+/n Si材料上,先后用反应离子刻蚀法形成探测器波志和硅脊波导,经适当工艺实现硅波导与PIN探测器之间的光电集成,5V偏压下PIN控制器的最小暗电流为0.8μA,最大光响应电流为2.7μA,最大总量子效率为14%,工作波长为λ=1.3μm。 相似文献
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采用LP-MOVPE方法及常规器件工艺制成了InP:Fe肖特基势垒增强InGaAsMSM光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试,测试结果表明,器件的击穿电压大于10V,2V偏压下暗电流为170nA,对应的暗电流密度约为3mA/cm2;瞬态响应中上升时间tr为21ps,半高宽FWHM为75ps. 相似文献
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高精度光电探测器的线性测量 总被引:2,自引:1,他引:2
介绍了一种高精度的光电探测器线性测量系统,讨论了线性测量的方法,确定以光束叠加法为线性测量系统的基础.设计了测量系统,以944 nm激光器为光源,测量了Si陷阱探测器和InGaAs陷阱探测器的非线性因子.实验结果表明,利用该系统在0.1~200μW的入射光功率范围内.Si陷阱探测器非线性因子平均值小于0.009%,联合不确定度小于3.18%;InGaAs陷阱探测器非线性因子平均值小于0.6%,联合不确定度小于6.87%.实验结果证明该系统可以作为高精度光电探测器线性测量装置. 相似文献
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光电探测器相对光谱灵敏度测试方法的研究 总被引:2,自引:1,他引:2
本文在全面比较了各类光电器件相对光谱灵敏度S(λ)_r的基础上,设计了用热释电探测器作参考基准,用积分球作单色光辐射接收系统的S(λ)_r测量系统.由于设计上的优点,这一系统大大减少了入射辐射的偏振性,不均匀性,探测器的温漂和杂散辐射等因素带来的误差. 相似文献
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光电探测器原理及应用 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了光电与系统的组成,阐述了光电二极管和雪崩光电二极管的工作原理及噪声问题,对雪崩光电二极管APD和光电倍增管PMT进行了比较,并以四象限探测器为例说明了光电探测器的应用问题。 相似文献
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高灵敏GaAs探测器及应用 总被引:1,自引:1,他引:1
在ICF实验研究中,我们应用新研制的经快中子辐照处理过的GaAs晶体材料做成的光导电探测器首次实验观察到各种结构的内爆靶发射的硬X光时间波形信号以及硬X光的空间角分布。这种探测器对X光有很高的灵敏度(约10~(-18)C/keV),有快的响应(约100ps),具有抗干扰能力强,灵敏度高体积小,用于ICF实验的X光诊断有独特优点。 相似文献
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本文对根据“音调相关”原理的FS-PDMP系统的接收机工作特性(ROC)曲线进行了计算,并与典型的全相干检测器和能量接收机的检测性能作了比较。 相似文献
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采用流动注射一次进样串联测定血清中磷、钙,即以串联的可见分光光度计与原子吸收分光光度计先后连续测定磷和钙。试验了流动注射系统的实验条件。结果磷、钙回收率分别为99.7%、102.0%,变异系数各为2.7%、2.5%,即与手动法结果相同或更优 相似文献
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砷化镓探测器的镉上中子辐照改性 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍反应堆镉上中子辐照改性的掺铬砷化镓(GaAs:Cr)和本征砷化镓(GaAs)光电导探测器,研究了探测器的响应时间、粒子灵敏度及输出电流随镉上中子辐照改性注量和施加偏压的变化关系。 相似文献
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Andrea Šagátová Bohumír Zaťko Katarína Sedlačková Márius Pavlovič Vladimír Nečas 《辐射效应与固体损伤》2015,170(3):192-198
The effects of electron beam irradiation on electrical and spectrometric properties of semi-insulating (SI) GaAs detectors were studied. The electric properties were monitored by reverse and forward current–voltage characteristics. In general, a breakdown voltage decrease with the dose was observed. However, some samples showed a local increase in the breakdown voltage at doses between 5 and 10?kGy. The detector spectrometric properties (the charge collection efficiency (CCE), the energy resolution and the detection efficiency) were evaluated from measured spectra of the 241Am radionuclide gamma source before and after electron irradiation. The CCE and energy resolution showed minor changes after irradiation. The detection efficiency noticed an initial increase (up to a dose of 5?kGy) followed by a permanent decrease. At 30?kGy, the overall degradation of detector functionality was observed with all samples. 相似文献
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Dong-feng Liu 《International Journal of Infrared and Millimeter Waves》2005,26(11):1513-1523
In this paper, we have numerically analyzed the ultrafast change of local fields on the surfaces of a large-aperture photoconducting
(LA-PC) antenna with GaAs and GaAs: As+ substrates. We find that the ultrafast screening of photogenerated carriers to the
externally applied electric field has different effects on the saturation of THz radiation as the function of the laser fluence
in the near and far field, respectively. Both screening effect of photocarriers and radiation effect are important in forming
the saturation phenomena in the case of near field. But in far field, only the radiation effect is important. 相似文献