GaAs基谐振腔增强型光电探测器

本文报道了利用MBE和MOCVD方法生长外延材料并制作出GaAs基谐振腔增强型光电探测器，进行理论分析和实验研究的结果。     

硅基波导与GeSi／Si超晶格探测器之间光电集成器件的研制

用分子束外延法将ＧｅＳｉ／Ｓｉ超晶格结构生长在ｎ＾＋／ｎ Ｓｉ材料上，先后用反应离子刻蚀法形成探测器波志和硅脊波导，经适当工艺实现硅波导与ＰＩＮ探测器之间的光电集成，５Ｖ偏压下ＰＩＮ控制器的最小暗电流为０．８μＡ，最大光响应电流为２．７μＡ，最大总量子效率为１４％，工作波长为λ＝１．３μｍ。     

光纤到户用光电集成单纤双向器件的研究

研究了光电集成器件的耦合与封装的关键技术,首先分析光纤与PLC波导的z向偏移及角度偏移与耦合效率的关系,发布其3dB容差分别为70μm及5°以内,并分析存在8°反射角及填充折射率匹配胶时耦合情况并仿真验证。该器件采用表面贴光子技术、无源对准、非气密封装实现光与电、有无源的多功能结合。测试了器件的激光器与探测器性能,测试结果表明,该光电集成器件边模抑制比、灵敏度等参量优良。     

掺铁InP肖特基势垒增强InGaAs MSM光电探测器

采用LP-MOVPE方法及常规器件工艺制成了InP:Fe肖特基势垒增强InGaAsMSM光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试,测试结果表明,器件的击穿电压大于10V,2V偏压下暗电流为170nA,对应的暗电流密度约为3mA/cm²;瞬态响应中上升时间tr为21ps,半高宽FWHM为75ps.     

掺铁InP肖特基势垒增强InGaAs MSM光电探测器

采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ方法及常规器件工艺制成了ＩｎＰ：Ｆｅ肖特基势垒增强ＩｎＧａＡｓＭＳＭ光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于１０Ｖ，２Ｖ偏压下暗电流为１７０ｎＡ，对应的暗电流密度约为３ｍＡ／ｃｍ２；瞬态响应中上升时间ｔｒ为２１ｐｓ，半高宽ＦＷＨＭ为７５ｐｓ。     

高精度光电探测器的线性测量

介绍了一种高精度的光电探测器线性测量系统,讨论了线性测量的方法,确定以光束叠加法为线性测量系统的基础.设计了测量系统,以944 nm激光器为光源,测量了Si陷阱探测器和InGaAs陷阱探测器的非线性因子.实验结果表明,利用该系统在0.1～200μW的入射光功率范围内.Si陷阱探测器非线性因子平均值小于0.009%,联合不确定度小于3.18%;InGaAs陷阱探测器非线性因子平均值小于0.6%,联合不确定度小于6.87%.实验结果证明该系统可以作为高精度光电探测器线性测量装置.     

光电探测器相对光谱灵敏度测试方法的研究

本文在全面比较了各类光电器件相对光谱灵敏度S(λ)_r的基础上,设计了用热释电探测器作参考基准,用积分球作单色光辐射接收系统的S(λ)_r测量系统.由于设计上的优点,这一系统大大减少了入射辐射的偏振性,不均匀性,探测器的温漂和杂散辐射等因素带来的误差.     

PdSe2纳米线薄膜/Si异质结近红外集成光电探测器

提出了一种PdSe2纳米线(NWs)薄膜/Si异质结近红外集成光电探测器.采用热辅助硒化预先制备Pd NWs的方法合成大面积PdSe2 NWs,通过组装和转移NWs可制备包含8×8器件单元的集成光电探测器.光电性能测试结果表明,所设计的器件在200～1300 nm宽波段范围内均有明显的光响应,峰值位于810 nm附近.在零偏压下,器件在810 nm处的响应度(R)为166mA·W-1,当施加-2V偏压时,R值显著提高至3.24 A·W-1.此外,集成器件呈现出优异的均匀性,64个器件的电流开关比均为60左右.由于良好的性能均匀性,该集成光电探测器可应用于图像传感领域,能可靠地记录近红外光投射的"LASDOP"字母图像,展示了潜在的应用前景.     

光电探测器原理及应用

介绍了光电与系统的组成,阐述了光电二极管和雪崩光电二极管的工作原理及噪声问题,对雪崩光电二极管ＡＰＤ和光电倍增管ＰＭＴ进行了比较,并以四象限探测器为例说明了光电探测器的应用问题。     

GaAs探测器实验标定

叙述了在闪光Ⅰ上用6MV轫致辐射实验标定快响应GaAs光电探测器的原理实验结果以及分析讨论。     

高灵敏GaAs探测器及应用

在ICF实验研究中,我们应用新研制的经快中子辐照处理过的GaAs晶体材料做成的光导电探测器首次实验观察到各种结构的内爆靶发射的硬X光时间波形信号以及硬X光的空间角分布。这种探测器对X光有很高的灵敏度(约10~(-18)C/keV),有快的响应(约100ps),具有抗干扰能力强,灵敏度高体积小,用于ICF实验的X光诊断有独特优点。     

GaAs：Cr探测器中子辐照改性研究

介绍了一种新型脉冲辐射探测器以及提高其性能的一种方法,并报告了探测器性能与中子积分通量关系的实验结果。     

FS-PDMP系统的检测特性及其与典型系统的比较

本文对根据“音调相关”原理的FS-PDMP系统的接收机工作特性(ROC)曲线进行了计算,并与典型的全相干检测器和能量接收机的检测性能作了比较。     

量热器阵列探测器

本工作研制出 5×25=125量热器阵列探测器。每个量热器单元是由石墨块与镍铬——镍铝热电偶构成。解决了热电偶丝与石墨块的粘接问题和上百条热电丝从真空室引出问题。创立了以液氮沸点温度为温度基点的新“0”点装置,它既具有温度稳定性能好又能解决各路之间的绝缘问题。为多路量热器mV级小讯号的物理测量奠定了基础。 采用Fy-1微机数据采集系统测量探测器的讯号。它性能稳定、采集速度快。测量了大面积二极管产生的电子束的均匀性,数据经过模拟处理,给出电子束空间分布的立体图像,从图可以清楚地看出电子束能量空间分布的非均匀性和轴向箍缩效应。     

流动注射－可见光与原子吸收联机测定血清中磷及钙

采用流动注射一次进样串联测定血清中磷、钙，即以串联的可见分光光度计与原子吸收分光光度计先后连续测定磷和钙。试验了流动注射系统的实验条件。结果磷、钙回收率分别为９９．７％、１０２．０％，变异系数各为２．７％、２．５％，即与手动法结果相同或更优     

砷化镓探测器的镉上中子辐照改性

介绍反应堆镉上中子辐照改性的掺铬砷化镓（ＧａＡｓ：Ｃｒ）和本征砷化镓（ＧａＡｓ）光电导探测器，研究了探测器的响应时间、粒子灵敏度及输出电流随镉上中子辐照改性注量和施加偏压的变化关系。     

Influence of electron irradiation on properties of semi-insulating GaAs detectors

The effects of electron beam irradiation on electrical and spectrometric properties of semi-insulating (SI) GaAs detectors were studied. The electric properties were monitored by reverse and forward current–voltage characteristics. In general, a breakdown voltage decrease with the dose was observed. However, some samples showed a local increase in the breakdown voltage at doses between 5 and 10?kGy. The detector spectrometric properties (the charge collection efficiency (CCE), the energy resolution and the detection efficiency) were evaluated from measured spectra of the ²⁴¹Am radionuclide gamma source before and after electron irradiation. The CCE and energy resolution showed minor changes after irradiation. The detection efficiency noticed an initial increase (up to a dose of 5?kGy) followed by a permanent decrease. At 30?kGy, the overall degradation of detector functionality was observed with all samples.     

微通道板离子探测器

本文综述微通道板作为离子探测器的应用,特别是在时间习行质谱仪中的应用,介绍了国外学者在提高低能离子探测效率方面所作的工作,最后简要描述用微能道板探测各种离子方面的研究成果。     

Numerical Comparisons of Terahertz Radiation from GaAs and GaAs: As+ Substrates

In this paper, we have numerically analyzed the ultrafast change of local fields on the surfaces of a large-aperture photoconducting (LA-PC) antenna with GaAs and GaAs: As+ substrates. We find that the ultrafast screening of photogenerated carriers to the externally applied electric field has different effects on the saturation of THz radiation as the function of the laser fluence in the near and far field, respectively. Both screening effect of photocarriers and radiation effect are important in forming the saturation phenomena in the case of near field. But in far field, only the radiation effect is important.