掠入射真空紫外摄谱仪的强度校准

为了使E-580型真空紫外摄谱仪能够运用在等离子体诊断实验中,我们用Okazaki等的实验方法,以角向箍缩等离子体为光源,对它作了强度校准。 真空紫外摄谱仪及等离子体光源的情况见文献[2,3],仪器布置同文献[1],本实验选用9对谱线,见表1。 图1是OⅥ150和OⅥ3811的示波图(第二半周內波形),全屏扫描时间约12μs。在信号     

HL-2M 真空紫外光谱初始诊断系统研制

基于 Seya-Namioka 结构 200mm 焦距可换光栅,研制了 HL-2M 真空紫外(VUV)光谱诊断光谱仪。该 系统在 300~3000Å 的真空紫外光谱范围具有较高的探测效率,时间分辨优于 1µs。经过结构设计、光谱标定和安 装调试,单通道 VUV 光谱仪已成功安装在 HL-2M 装置中平面窗口。在 HL-2M 装置初始放电实验中,利用该系 统测量到 C、O、N 等杂质的多条特征谱线,展现出优秀的信噪比和高灵敏度。      

紫外-真空紫外漫反射板的研究

选用在紫外－真空紫外波段反射率较高的铝作基底材料,通过光学研磨加工和光学镀膜处理制成漫反射板;建立了紫外－真空紫外波段漫反射特性测试研究装置,利用该系统进行漫 反射板余弦特性、双向反射比分布函数的测试。结果表明,该漫反射板反射比ρ（ｏ／ｄ）在３１５ｎｍ处为４９％;在正入射情况下,双向反射比分布函数在１５℃￣４０℃范围内偏差优于１１％。     

HL-1装置等离子体真空紫外光谱研究

本文叙述在HL-1装置上做的真空紫外区(300-2000A)光谱实验。用微通道板象增强器摄出了等离子体光谱,对光谱进行了辨认和分析;采用光电法测量了谱线随时间的变化和改变孔栏半径时杂质的变化情况,观察了等离子体发生小破裂时出现的光谱现象,对杂质的来源及某些性质作了分析研究;使用两条CⅣ谱线强度比,测出了放电初期的电子温度。     

真空紫外光栅光谱仪测量系统的改进

用一个５０ｍｍ长微通板代替光谱仪通用的电这道倍增器，若用１００μｍ出入缝，测量高离化态氖离子的真空紫外光谱，大约１０ｎｍ的波长区段，谱线分辨好于０．１ｎｍ，计数效率提高了两个量级，滤长精度可达０．０１ｎｍ。     

HL-1M装置的真空运行与质谱诊断

通过对真空运行模式、真空运行参数、辉光放电清洗和硅化壁处理手段的规范化，显著地降低了HL－1M装置的真空壁出气、本底杂质浓度、放电杂质出气比和再循环，成功地实现了高参数放电、长脉冲放电和装置暴露大气后快速恢复放电，并为验证低混杂电流驱动、离子回旋共振加热、电子回旋共振加热、中性束注入、弹丸注入和分子束注入实验及升级等离子体运行提供了良好的壁条件。描述了HL－1M装置真空系统、壁出气和再循环、质谱诊断和程序脉冲送气等方面的主要实验成果，这些结果为HL－2A装置的真空系统研制和运行提供有益的参考。     

用真空紫外光谱研究HL—1装置上氧杂质浓度和输运

本文叙述用真空紫外光谱确定HL-1装置杂质浓度的方法,详细描述了用于解释光谱测量的杂质输运模型S1TCODE。为了在每次放电结束后就容易、迅速地获得这些结果,引入了一种快速分析方法。对HL-1装置在通常放电,器壁碳化和抽气孔栏等不同特性放电情况下氧杂质浓度和输运特性进行了初步分析。     

HL-1装置MHD稳定性的研究

利用傅里叶分析和相关分析方法,研究了HL-1装置等离子体MHD不稳定性的特征和抑制不稳定性的若干方法及结果,给出了HL-1装置的稳定运行区域。     

用真空紫外谱线测量HL-1装置离子温度和观测等离子体不稳定性

本文叙述HL-1装置真空紫外光电测量。根据○Ⅵ1032A谱线多卜勒展宽的轮廓测量,估计离子温度约80—300eV。通过谱线强度的相对变化,对装置的稳定运行条件和等离子体的破裂不稳定性进行了分析。     

HL-1装置等离子体特性的初步研究

HL-1装置在环向磁场2.3T下运行,获得135kA平衡稳定等离子体,平顶时间160ms。实验表明,环向磁场杂散分量约为纵场的万分之一,导体壳和平衡场基本上能保证等离子体的平衡。观察到的电子温度约500eV,平均电子密度2.8×10~(13)cm~(-3),能量约束时间10ms,有效电荷数小于3,最低稳定运行安全因子2.5,最长放电持续时间1040ms。在对MHD稳定性进行观察的基础上,确定了稳定运行区域;极限密度服从Murakami定标律。     

HL—1装置几种杂质特性

本文叙述了用真空紫外光谱方法观测HL-1装置常规、器壁碳化和抽气孔栏三种放电条件下等离子体杂质的变化以及某些杂质的特性。     

HL－1M托卡马克硼化实验的杂质辐射特性

文中叙述了ＨＬ－１Ｍ托卡马克硼化真空紫外光谱区杂质辐射的观测结果。分析得出：硼化有效地控制等离子体中的杂质，其中，氧杂质减少约６５％，碳杂质减少约６０％，金属杂质减少约８５％。     

HT─6B的Z_（eff）监测及RHF对杂质约束的影响

本文通过测量ＨＴ─６Ｂ等离子体中ＯⅥ的线辐射强度随放电参数的变化，利用杂质输运分析的数值结果，给出了在等离子体参数很大的变化范围内［ｎｅ＝（０．２－２．０）×１０（１３），ｑａ＝３－８．５］Ｚ（ｅｆｆ）及杂质相对浓度随放电参数的变化规律。在外加共振螺旋磁场（ＲＨＦ）抑制外撕裂模的实验中，ＯⅢ、ＣⅢ的线辐射测量表明ＲＨＦ具有改善杂质约束的迹象，此时光谱信号中反映出的相应频率的粒子扰动也被ＲＨＦ所抑制。     

HL－1托卡马克杂质注入实验及杂质输运特性的研究

本文给出了ＨＬ－１托卡马克在通常欧姆放电和偏压诱发Ｈ模放电条件下，脉冲注入杂质气体的实验结果以及对杂质在通常欧姆等离子体和偏压诱发Ｈ模等离子体中的输运研究结果。实验结果表明，在ＨＬ－１上偏压诱发Ｈ模等离子体中对杂质的约束性能明显优于在通常欧姆等离子体中对杂质的约束性能。杂质输运的数值模拟结果说明，无论在通常欧姆等离子体中，还是在偏压诱发Ｈ模等离子体中，杂质的输运系数都比新经典理论预计的要大得多，输运是反常的。在偏压诱发的Ｈ模等离子体中引入杂质输运“位阱”概念，能够对杂质离子约束时间长的实验现象进行很好的描述。合理地解释了在偏压杂质注入实验中杂质辐射上升时间长、衰减慢的现象。     

HL—1装置低杂波驱动,靶丸注入,ECRH实验的杂质行为研究

本文叙述了在ＨＬ－１装置上利用真空紫外光谱测量系统，通过观测低杂波驱动，靶丸注入，ＥＣＲＨ和高密度氦放电的杂质辐射，研究杂质的行为，产生和输运等特性。     

软X射线层析摄影在HL—1装置上的应用

本文描述我们建立的含有22道探测器阵列及数据采集和处理系统的软X射线层析摄影诊断,并成功地应用于HL-1托卡马克装置,获得了软X射线辐射的二维层析图的时间分辨,初步观察了等离子体MHD不稳定性发展变化的局部过程。     

HL-1装置杂质成分的AES分析

HL-1装置放电期间,利用输样机构上GH39和Si收集探针的俄歇电子谱仪(AES)分析,观测了由器壁和孔栏溅射,蒸发出来的金属重杂质Mo,Cr和Ni等在刮离层中的空间分布,以及沉积层的深度分布。     

HL－1M装置杂质VUV辐射及Te观测

本文介绍了ＨＬ－１Ｍ装置等离子体杂质真空紫外辐射观测的初步结果。用类Ｌｉ离子谱线强度比法估计出Ｔｅ≈４００ｅＶ。镀膜后的ＣＥＭ探测器的灵敏度提高。杂质对装置放电有重要影响