共查询到10条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
本研究了利用YSZ(Y稳定的ZrO2)缓冲层在Si衬底上单靶偏轴溅射Bi-Sr-Ca-Cu-O高温超导薄膜的工艺条件,给出了YSZ和BSCCO薄膜的性能测试结果,并根据电镜分析结果,提出了BSCCO薄膜的螺旋柱状生长机理。 相似文献
2.
本文用低能离子束增强沉积技术室温下在Ni-Cr合金衬底上合成了YBCO超导膜缓冲层YSZ薄膜。XRD测试表明YSZ薄膜C轴对成取向;极力产测试表明薄膜平面织构强烈。 相似文献
3.
报道了用透射电子显微镜对单层YBCO薄膜,PZT/YBCO集成薄膜,STO/GBCO集成薄膜和STO/BTO超晶格薄膜等四种有代表性的薄膜样品的研究结果.在单层YBCO平面样品中观察到镶嵌,在生长在YBCO/STO上面生长的PZT薄膜中,观察到柱状结构.用PLD方法生长的STO/GBCO,YSZ集成薄膜中缺陷很少.虽然GBCO膜的表面并不平整,但仍能生长出c取向的GBCO薄膜.用MBE方法生长的STO/BTO多层膜具有很好的外延特征.由于晶格匹配和层状生长机制所以具有锐的界面.这些结果对改进铁电超导集成薄膜和多层膜制备工艺是有用的 相似文献
4.
用SEM(扫描电子显微镜)研究YBaCuO超导体及YBaCuO/YSZ 超导薄膜经质子辐照所引起的微结构变化,发现质子辐照可使超导晶粒变细、变密、分布较均匀,并在YSZ 衬底上发生趋向排列.这些都有利于超导电性的改善. 相似文献
5.
6.
利用紫外脉冲激光源淀积生长氧化物薄膜的技术,我们在SiTiO3衬底上成功地外延生长了超薄超导YBa0.2Cu3O7薄膜样品.样品YBa0.2Cu3O7层厚度分别为2.4nm至10.8nm(二至九个原胞).四端引线电阻法测量了样品的电阻温度关系和超导转变.超导零电阻温度分别为16K至81K.超薄超导薄膜样品显示当YBa0.2Cu3O7层厚度达到和超过四个原胞层厚(9.6nm)时,厚度变化对样品超导零电阻转变的影响并不十分明显.实验观察到YBa0.2Cu3O7层厚度对样品超导零电阻温度和超导起始转变影响不同.这说明样品中的缺陷对样品性能有着不容忽视的影响.超薄YBa0.2Cu3O7超导薄膜样品的成功制备为进一步的研究提供了有利条件. 相似文献
7.
8.
本文报道的在Zr(Y)O2和LaAIO3两种衬底上制备的YBa2Cu3O7-δ单晶膜的荧光光谱。样品用原位中空柱状阴极直流磁控溅射法制备。结果表明,随衬底材料的不同呈现不同的荧光光谱分布。沉积在Ar(Y)O2上的YBa2Cu3O7-δ膜的主峰位于2.85eV,而沉积在单晶LaAIO3衬底上YBa2Cu3O7-δ膜的主峰位于2.12eV处,前者由3.0eV和2.80eV两个峰组成,改变激发能可以使它们分离;升高衬底温度出现低能峰,后者为单峰,峰值位置不胡激发能的变化而改变,地结果进行了讨论。 相似文献
9.
BaF2薄膜保护的YBaCuO薄膜的耐受性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本报告了在外延YBaCuO薄膜表面淀积的BaF2薄膜对其超导性能的保护作用和破坏性实验的结果,经BaF2保护的超薄膜在30分钟浸水及暴露大于气中长达5个月,超导转变温度仍保持89K。 相似文献
10.
异质外延生长钙钛矿结构氧化物薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
影响直接外延生长氧化物薄膜的因素有很多,最主要的是保证氧化物薄膜的正确成相和在单晶衬底上成核.直接外延生长时,衬底温度影响到薄膜的成相.衬底温度还影响薄膜的生长动力学,并因此影响薄膜的外延生长取向.由于薄膜是首先在衬底表面成核、成相并生长的,因此衬底材料晶格的影响是不容忽视的.衬底材料(或异质外延材料)与薄膜的相互作用是影响外延生长的最直接因素,而晶格常数失配会造成薄膜样品中存在应力并影响样品性质.利用脉冲激光淀积法,我们成功地外延生长了YBa2Cu3O7超导薄膜、Sr0.5Ba0.5TiO3铁电介电薄膜、La0.7Ca0.3MnO3铁磁巨磁电阻薄膜、La0.5Sr0.5CoO3导电薄膜等多种具有钙钛矿结构的氧化物功能薄膜.以这些钙钛矿结构氧化物薄膜的外延生长为例,本文讨论影响氧化物薄膜异质外延生长的因素 相似文献