电子与太阳电磁射线综合辐照对Teflon FEP/Al光学性能的影响

在30keV的电子、质子单独辐照及电子与太阳电磁射线综合辐照作用下,对Teflon FEP/Al第二表面镜光学性能的演化进行了研究。试验结果表明,在相同辐照通量与能量乘积的情况下,电子与质子单独辐照后Teflon FEP/Al涂层材料的太阳吸收比变化相同,故可用电子与太阳电磁射线综合辐照简化地面模拟加速试验。Teflon FEP/Al光学性能退化动力学曲线可描述成加速系数与辐照时间乘积（称为当量辐照时间）的指数函数形式。在当量辐照时间相同的情况下,太阳吸收比的变化与加速系数无关。     

电子辐照能量对Kapton/Al热控涂层光学性能的影响

研究了电子辐照时,电子能量与累积通量对Kapton/Al热控涂层光学性能的影响。采用原位测量的手段记录了辐照前后的光谱反射系数。试验结果表明,电子辐照后Kapton/Al热控涂层的反射性能,在太阳光谱辐射强度较大的300~1 200nm波长区间产生较大程度退化。在电子辐照作用下,作为离子导电型聚合物的 Kapton薄膜表面没有发现辐照充电效应。辐照后涂层材料存在“退火效应”,或称“漂白效应”。Kapton/Al涂层太阳吸收比的变化量与电子辐照累积通量的变化关系成幂函数形式,其系数与指数的极大值与极小值分别出现在电子能量为50keV附近。在辐照累积通量相同时,该变化量随辐照电子能量的提高而增大。     

电子辐照能量对Kapton/Al热控涂层光学性能的影响

 研究了电子辐照时，电子能量与累积通量对Kapton/Al热控涂层光学性能的影响。采用原位测量的手段记录了辐照前后的光谱反射系数。试验结果表明，电子辐照后Kapton/Al热控涂层的反射性能,在太阳光谱辐射强度较大的300~1 200nm波长区间产生较大程度退化。在电子辐照作用下，作为离子导电型聚合物的 Kapton薄膜表面没有发现辐照充电效应。辐照后涂层材料存在“退火效应”，或称“漂白效应”。Kapton/Al涂层太阳吸收比的变化量与电子辐照累积通量的变化关系成幂函数形式,其系数与指数的极大值与极小值分别出现在电子能量为50keV附近。在辐照累积通量相同时，该变化量随辐照电子能量的提高而增大。     

电子辐照对ZnO/K_2SiO_3型热控涂层光学性能的影响

研究了电子辐照对 Zn O/K2 Si O3 型热控涂层光学性能的影响。采用 1 0 ,3 0 ,50和 70 ke V的电子对试样进行辐照。在辐照前后对每一个试样的光谱反射系数进行了原位测量。根据 Johnson太阳光谱分布计算了涂层的太阳光谱吸收系数。分析了电子能量对光谱反射系数和太阳光谱吸收系数的影响 ,并对红外区光谱反射系数的变化结果进行了讨论。实验结果发现电子辐照后 Zn O/K2 Si O3 涂层的光学性能发生严重退化 ,退化程度取决于电子能量 ,随电子能量的增大而增大。     

电子辐照对ZnO/K2SiO3型热控涂层光学性能的影响

研究了电子辐照对ZnO/K2SiO3型热控涂层光学性能的影响。采用10,30,50和70keV的电子对试样进行辐照。在辐照前后对每一个试样的光谱反射系数进行了原位测量。根据Johnson太阳光谱分布计算了涂层的太阳光谱吸收系数。分析了电子能量对光谱反射系数和太阳光谱吸收系数的影响,并对红外区光谱反射系数的变化结果进行了讨论。实验结果发现电子辐照后ZnO/K2SiO3涂层的光学性能发生严重退化,退化程度取决于电子能量,随电子能量的增大而增大。     

电子辐照对ZnO／K2SiO2型热控涂层光学性能的影响

研究了电子辐照对ZnO/K2SiO2型热控涂层光学性能的影响,采用10,30,50和70keV的电子对试样进行辐照。在辐照前后对每一个试样的光谱反射系数进行了原位测量。根据Johnson太阳光谱分布计算了涂层的太阳光谱吸收系数,分析了电子能量对光谱反射系数和太阳光谱吸收系数的影响,并对红外区光谱反射系数的变化结果进行了讨论。实验结果发现电子辐照后ZnO/K2SiO2涂层的光学性能发生严重退化,退化程度取决于电子能量,随电子能量的增大而增大。     

电子通量对ZnO/K2SiO3热控涂层光学性能的影响

研究了电子通量对ZnO/K2SiO3热控涂层光学性能的影响。分别采用通量为5×1011/cm2·s,8×1011/cm2·s,1×1012/cm2·s 和5×1012/cm2·s的电子对试样进行辐照。电子辐照下涂层的光学性能发生了退化,并且发现了退化涂层在空气中的“漂白”现象。分析了ZnO/K2SiO3热控涂层光学性能的退化机制,同时讨论了电子通量对太阳光谱吸收系数的影响。实验结果发现,在5×1011～1×1012/cm2·s的电子通量范围内,电子通量对ZnO/K2SiO3热控涂层光学性能的影响相同。因此在这个电子通量范围内,采用加速地面试验来模拟空间的电子辐照效应是有效的。     

电子通量对ZnO/K2SiO3热控涂层光学性能的影响

 研究了电子通量对ZnO/K₂SiO₃热控涂层光学性能的影响。分别采用通量为5×10¹¹/cm²·s，8×10¹¹/cm²·s，1×10¹²/cm²·s 和5×10¹²/cm²·s的电子对试样进行辐照。电子辐照下涂层的光学性能发生了退化，并且发现了退化涂层在空气中的“漂白”现象。分析了ZnO/K₂SiO₃热控涂层光学性能的退化机制，同时讨论了电子通量对太阳光谱吸收系数的影响。实验结果发现，在5×10¹¹～1×10¹²/cm²·s的电子通量范围内，电子通量对ZnO/K₂SiO³热控涂层光学性能的影响相同。因此在这个电子通量范围内，采用加速地面试验来模拟空间的电子辐照效应是有效的。     

keV 质子辐照对Kapton/Al光学性能的影响

采用空间综合辐照设备对Kapton/Al薄膜进行了质子辐照地面模拟试验,选取质子能量90 keV,辐照通量5.0×1011 cm12·s-1。通过辐照前后光谱反射系数的变化考察了实验样品的光学性能退化特征。借助于反射光谱和紫外-可见吸收光谱和傅里叶转换红外光谱分析技术分析了辐照后Kapton/Al光学性能的退化机理。研究结果表明：辐照过程中样品表面发生了复杂的化学反应,随着辐照剂量的增加光能隙逐渐减小,Kapton吸收曲线的末端边缘发生红移并且在可见光区吸收强度增加。     

keV 质子辐照对Kapton/Al光学性能的影响

 采用空间综合辐照设备对Kapton/Al薄膜进行了质子辐照地面模拟试验,选取质子能量90 keV,辐照通量5.0×10¹¹ cm¹²·s^-1。通过辐照前后光谱反射系数的变化考察了实验样品的光学性能退化特征。借助于反射光谱和紫外-可见吸收光谱和傅里叶转换红外光谱分析技术分析了辐照后Kapton/Al光学性能的退化机理。研究结果表明：辐照过程中样品表面发生了复杂的化学反应,随着辐照剂量的增加光能隙逐渐减小,Kapton吸收曲线的末端边缘发生红移并且在可见光区吸收强度增加。     

Proton radiation effects on optical constants of Al film reflector

The Al film reflectors can yield a high-reflectance over a broad wavelength region, and have been widely used in the spacecraft optical instruments for high quality optical applications. Under the irradiation of charged particles in the Earth radiation belt, the reflectors could be deteriorated. In order to reveal the deterioration mechanism, the change in optical constants of Al film reflector induced by proton radiation with 60\,keV was studied in an environment of vacuum with heat sink. Experimental results showed that when the radiation damage primarily occurs in the Al reflecting film, the extinction coefficient k will gradually decrease with increasing radiation fluence, which results in the decrease of the energies of reflective light. Therefore, the proton radiation induced an obvious degradation of spectral reflectance in the wavelength region from 200 to 800\,nm on the Al film reflector.     

Effects of Nb2O5 on thermal stability and optical properties of Er3+-doped tellurite glasses

Er³⁺-doped tellurite glasses with molar compositions of xNb₂O₅-(14.7-x)Na₂O--10ZnO--5K₂O--10GeO₂-- 60TeO₂--0.3Er₂O₃ (x=0, 3, 5, 7 and 9) have been investigated for developing 1.5~μm fibre and planar amplifiers. The effects of Nb₂O₅ on the thermal stability and optical properties of Er³⁺-doped tellurite glasses have been discussed. It is noted that the incorporation of Nb₂O₅ (x=5) increases the thermal stability of tellurite glasses significantly. Er³⁺-doped niobium tellurite glasses exhibit a large stimulated emission cross-section (7.2\times 10^-21- 10.7×10^-21~cm² and the gain bandwidth, FWHM×\sigma_e^{\rm peak} (274\times 10^-28 - 480×10^-28~cm³), which are significantly higher than that of silicate and phosphate glasses. In addition, the intensity of upconversion luminescence of the Er³⁺-doped niobium tellurite glasses decreases rapidly with increasing Nb₂O₅ content. As a result, Er³⁺-doped niobium tellurite glasses might be a potential candidate for developing laser or optical amplifier devices.     

Effect of UV radiation on the optical and some structural properties of irregular rayon acetate fibers

This recent study shed demonstration on how the structural parameters changes due exposure to UV radiation and different wavelengths. So this article throws light on the changes of the optical properties and some structural properties due exposure to UV radiation and different wavelengths on irregular rayon acetate fibers. Pluta polarizing interference microscope is used to study the changes for refractive indices and birefringence with different exposure times at three different intensities on irregular rayon acetate fibers. As the principal optical parameters determined, these give an indication of the isotropic refractive index, stress optical coefficient, stress due to UV radiation, optical configuration parameter, segment anisotropy, the number of molecules per unit volume and polarizability of a monomer unit can be obtained. Also by using different wavelengths are given the spectral dispersions, Cauchy's dispersion constants, the resonant wavelength, the oscillation energy, the dispersion energy, the dielectric constant and the dielectric susceptibility for rayon acetate fibers with different wavelengths at room temperatures. Illustrations are given using graphs and microinterferograms.     

脉冲γ射线对光纤的辐射效应

介绍了光纤的损耗机制和γ射线对光纤的辐射效应,设计了针对脉冲γ射线作用于光纤而产生辐射感生损耗的实验测量系统。利用平均光子能量为0.3 MeV、脉冲宽度25 ns、剂量率2.03×107 Gy·s-1,和平均光子能量为1.0 MeV、脉冲宽度25 ns、剂量率5.32×109 Gy·s-1的2种脉冲γ射线分别作用于多模和单模光纤,分别采用波长为405,660,850,1 310和1 550 nm的激光光纤传输系统对辐射感生损耗进行了测量。获得了光纤辐射感生损耗和辐射剂量的关系,并对实验结果进行分析。从实验结果可以看出：在近红外到可见光范围内,脉冲γ射线对光纤作用产生的辐射感生损耗随探测波长减小而增大;在0.1~3.5 Gy剂量范围内,多模光纤辐射感生损耗和辐射剂量呈线性关系。分析辐射对光纤的作用机制和实验结果后得出：光纤基质原子的电子能级对传输光子的共振吸收而造成吸收损耗增加;光纤折射率分布的改变从而导致波导损耗增加。     

γ辐射对光纤波导电磁场分布的影响

开展了光纤波导中的电磁场传输理论分析,得到了光纤折射率变化对波导中电磁场分布的影响规律,建立了块状融石英材料及光纤光栅在60Co 辐射作用下折射率变化的测量系统,开展了折射率随辐射剂量变化及光纤模场测量实验。结果表明:光纤的折射率随辐射剂量的增加而增大,折射率的变化会引起波导中传输模式的场强分布变化,从而导致光纤的辐射感生波导损耗;在一定的辐射剂量范围（0～2000 Gy）内,光纤仍满足弱导边界条件,能够维持对传输模式的约束能力。