序参量守恒的反铁磁分子晶体的非线性集体激发

采用双子格模型和相干态表示，考虑磁－声子耦合作用和磁子间的相互作用，研究了序参量守恒的一维反铁磁分子晶体ＣｅＡｓ在外磁场存在下的非线性集体激发特性，并求了孤立子能量、质量和自旋的空间组态，给出在一维序参量守恒的反铁磁分子晶体ＣｅＡｓ中出现的非线性磁子局域特性。     

序参量守恒的反铁磁分子晶体的非线性集团激发

采用双子格模型和相干态表示，考虑磁－声子耦合作用和磁子间的相互作用，研究了序参量守恒的一维反铁磁分子晶体ＣｅＡｓ在外磁场存在下的非线性集团激发特性，并求了孤立子能量，质量和自旋的空间组态，给出在一维序参量守恒的反铁磁分子晶体ＣｅＡｓ中出现的非线性磁子局域特性。     

铁磁和反铁磁双层膜中铁磁共振的研究

采用微磁学理论研究了铁磁/反铁磁双层膜中的铁磁共振现象.本模型将铁磁薄层抽象为一个单晶,具有立方磁晶各向异性和单轴磁晶各向异性,而反铁磁层视为厚度趋近于半无穷,且只有单轴磁晶各向异性.推导出了该系统的铁磁共振频率和频率谱宽度的解析式.数值计算表明,铁磁共振模式分两支,取决于立方磁晶各向异性.而界面的交换耦合,是磁易轴具有单向性的起因.     

简并参量放大器的Berry相：新的精确解

应用参量相关的Ｂｏｇｏｌｉｕｂｏｖ变换公式体系讨论了简并参量放大器Ｂｅｒｒｙ相新的求解法。     

半导体二极管参量放大器

一、引言近年来参量放大器应用在超高频和微波范围內,由子其噪声系数极低,引起了人們的注意,得到了迅速的发展。半导体二极管参量放大器是微波低噪声放大器的一个重要发展方面,也是半导体晶体管向超高频方面发展的一个重要方向。这种放大器是由非线性元件的参量随时间变化而产生功率轉換和放大的,因此叫做可变参量放大器,簡称参量放大器。这种放大器用的非綫性元件目前有半导体二极     

低温下铁磁和反铁磁体系的运动学相互作用

我们发展了处理低温下铁磁和反铁磁运动学相互作用的一个新方法。所有运动学相互作用都能用各级关联函数来表示。应用热力学微扰理论,导得低温下s=1/2的铁磁体系的确没有T³项。对反铁磁体系,我们发现运动学相互作用即使在低温下也十分大,它甚至超过动力学相互作用的修正,我们的理论适用于s≥1/2的一切体系。     

铁磁/反铁磁/铁磁三层膜系统中反铁磁自旋结构及其交换各向异性

研究铁磁/反铁磁/铁磁三层膜中界面存在二次以及双二次交换耦合下反铁磁磁矩转动及其交换各向异性.结果表明,其反铁磁膜中的磁矩转动存在可逆"恢复行为"、不可逆"连续倒转行为"以及不可逆"中断倒转行为"三种情形,三种情形的出现强烈地依赖于两界面处的线性耦合和双二次耦合.钉扎界面的交换耦合与旋转界面的交换耦合相互竞争,当钉扎界面耦合占主导时,反铁磁磁矩发生可逆"恢复行为",系统出现交换偏置.在旋转界面耦合占主导情形下,其线性耦合与双二次耦合也相互竞争,分别导致反铁磁磁矩发生不可逆"连续倒转行为"和不可逆"中断倒转行为",系统都不出现交换偏置,但矫顽场都得以增强.相关结论为实验上观测的磁滞能耗以及界面垂直耦合提供了可能的解释.     

铁磁/ 反铁磁双层膜中交换偏置

铁磁/反铁磁交换偏置在巨磁电阻器件中具有重要的应用。引起了物理学及材料学等领域内广大科学家的浓厚兴趣，本文首先阐述了交换偏置的基本性质。然后简述了交换偏置的实验研究方法；最后，着重介绍了几种主要的理论模型。     

铁磁/反铁磁双层膜中交换偏置

铁磁 /反铁磁交换偏置在巨磁电阻器件中具有重要的应用 ,引起了物理学及材料学等领域内广大科学家的浓厚兴趣。本文首先阐述了交换偏置的基本性质 ;然后简述了交换偏置的实验研究方法 ;最后 ,着重介绍了几种主要的理论模型。     

铁磁—反铁磁双层系统基态能

利用线性自旋波理和数值计算方法得到铁磁—反铁磁双层系统的基态能。     

二维Ising反铁磁-反铁磁超晶格的磁性

本文用有效场理论讨论二维反铁磁一反铁磁超晶格(AFAFs)在无外场时的临界温度与超晶格结构的依赖关系,并讨论了超晶格中每一层的磁化强度、磁化率与温度和超晶格结构的依赖关系,得到了由于超晶格结构导致的磁化率的异常峰的存在.并从超晶格的对称性出发讨论了反铁磁-反铁磁超晶格和铁磁-铁磁超晶格之间的异同.     

固体微波放大器

一、微波放大器的作用和要求如何扩大通訊和探測的距离,目前已成了一个极为重要而迫切的問題。怎样实現星际间的通訊、实現超远程雷达和电视以及怎样扩大射电天文学的探测领域?这些都牵涉到如何使訊号在接收时能超过噪声“背景”而不失真地再     

一种等效于反铁磁海森伯混合自旋链的铁磁-反铁磁交替自旋链

利用严格对角化方法研究了一种自旋为1/2的铁磁-反铁磁交替自旋链的物理性质.计算了自旋关联函数、自旋z方向分量、自旋激发谱和磁化曲线等基本物理量,并将这些物理量和自旋为(1,1/2)的混合反铁磁自旋链对应的物理性质进行了比较.结果表明,当铁磁作用居于主导地位时,该模型的物理行为等效于混合自旋模型.因此,可以通过分析铁磁-反铁磁交替自旋链的物理性质研究混合自旋链的物理行为.     

光参量振荡与放大器件

 光参量振荡与放大器件是一种固体可调谐相干光源.它的连续调谐范围可从4000（?）达到几个微米,而最好的染料调谐光源只能达8000（?）.同时,由于它体积小、结构紧凑,所以有很好的实用前景,多年来一直是国际上争相研究与开发的课题.     

铁磁/反铁磁双层膜中的磁锻炼效应

采用Monte Carlo 方法,研究铁磁/反铁磁双层膜中的磁锻炼效应.结果表明,反铁磁层中冷场诱发的界面净磁化(钉扎效应)的磁弛豫可导致系统中的交换偏置场的磁锻炼效应.进一步研究表明,反铁磁层中掺杂可调控交换偏置场的磁锻炼效应,原因在于反铁磁层中掺杂能有效地改变冷场诱发的净磁化的磁弛豫过程.     

SIS结参量放大器的研究

我们对基于SIS结中准粒子隧道效应的4光子反射型参量放大器进行了一些计算,结果表明其自电导G_(55)并不总是可以忽略的。在此情况下,我们详细地讨论了其最佳偏置条件、增益的稳定性和对微波电路的要求等。这些结果有利于我们设计实际的微波参放系统。     

铁磁/反铁磁双层薄膜中应力各向异性研究

采用铁磁共振方法,研究了铁磁/反铁磁双层薄膜中交换各向异性和应力各向异性对其物理性质的影响.结果表明,单向各向异性来源于界面交换作用,应力各向异性对材料的磁化难易程度有较大影响.当外磁场方向与应力场方向平行时,应力场的存在将促进该方向的磁化.反之,应力场将会阻碍该方向的磁化.     

铁磁/反铁磁双层薄膜自旋波共振谱

本文在一维海森堡模型的基础上,采用界面参数化方法,研究了铁磁/反铁磁双层薄膜中自旋波低温激发问题．重点讨论了表面各向异性对薄膜中自旋波共振谱的影响．结果表明：体系中的自旋波本征模存在共振行为,表面各向异性场对体模、完全禁闭模的共振谱影响较大,对界面模没有影响．     

Aharonov—Bohm磁通对序参量守恒的反铁磁链中孤子的影响

以一维序参量守恒的反铁磁链为例，采用双子格模型和相干态表示，分析了Ａｈａｒｏｎｏｖ－Ｂｏｈｍ磁通对一维反铁磁链中的孤子所产生的影响，结果表明Ａｈａｒｏｎｏｖ－Ｂｏｈｍ磁通对孤子的峰值、宽度、静止能量和有效质量均有影响。     

铁磁/反铁磁双层薄膜自旋波共振谱

本文在一维海森堡模型的基础上,采用界面参数化方法,研究了铁磁/反铁磁双层薄膜中自旋波低温激发问题．重点讨论了表面各向异性对薄膜中自旋波共振谱的影响．结果表明：体系中的自旋波本征模存在共振行为,表面各向异性场对体模、完全禁闭模的共振谱影响较大,对界面模没有影响．