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1.
用热脱附谱(TDS)方法研究了乙烯(C2H4)在Ru(0001)表面上的吸附.在低温下(200K以下)乙烯可以在清洁及有Cs的Ru(0001)表面上以分子状态稳定吸附,在衬底温度升高至200K以上时,乙烯发生了脱氢分解反应,乙烯分解后的主要产物为乙炔(C2H2).在清洁的Ru(0001)表面,乙烯有两种吸附状态,脱附温度分别为275K和360K.而乙炔的脱附温度为350K.在Ru(0001)表面有Cs的存在时,乙烯分解
关键词:
乙烯
钌(0001)表面
铯钌(0001)表面乙烯
钌(0001)表面
铯钌(0001)表面 相似文献
2.
采用基于密度泛函理论的总体能量平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似,对清洁ZnO(0001)表面及B/ZnO(0001)吸附体系进行了几何结构优化,计算了B/ZnO(0001)吸附体系的吸附能、能带结构、电子态密度和光学性质.计算结果表明:B在ZnO(0001)表面最稳定的吸附位置是T4位.吸附后B/ZnO(0001)吸附体系表面带隙有所减小,表面态的组成发生变化,n型导电特性有一定程度的减弱,同时,对紫外光的吸收能力显著增强.
关键词:
ZnO(0001)表面
B吸附
电子结构
光学性质 相似文献
3.
采用基于密度泛函理论的分子动力学方法,对α-Al2O3(0001)表面 Al,O原子空位缺陷及其对ZnO吸附进行了理论计算.电子局域函数显示了表面空位处的电子密度变化,表面Al原子空缺处有非常明显的缺电子区域,悬挂键临近O的电子密度增大,有利于对Zn的吸附;O原子空缺处的Al原子处存在孤立电子,其ELF值为005—03,将有利于同电负性较大的O或O2-结合.通过吸附动力学模拟与体系能量的计算发现,表面缺陷显著增强了表面 的化学吸附,空缺原子处都被吸附原子填补,吸附结合能远大于单晶表面的情况.在Al空缺的表面,由于ZnO的O与表面O形成双键,破坏了α-Al2O3(0001)表面O六 角对称结构,减小了 O的表面扩散,从而不利于规则的ZnO薄膜生长.相反,O的空缺表面,弥补了α-Al2O3(0001)表面O空位缺陷,不影响基片表面O六角对称结构. 相似文献
4.
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,计算了TiO2分子在GaN(0001)表面的吸附成键过程、吸附能量和吸附位置. 计算结果表明不同初始位置的TiO2分子吸附后,Ti在fcc或hcp位置,两个O原子分别与表面两个Ga原子成键,Ga-O化学键表现出共价键特征,化学结合能达到7.932-7.943eV,O-O连线与GaN[1120]方向平行,与实验观测(100)[001] TiO2//(0001)[1120]GaN一致. 通过动力学过程计算分析,TiO2分子吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态形成的过程,稳定吸附结构和优化结果一致.
关键词:
GaN(0001)表面
2分子')" href="#">TiO2分子
密度泛函理论
吸附 相似文献
5.
用程序升温脱附谱的方法研究了甲醇在TiO2(110)表面光催化氧化的波长相关性.对于不同波长的激发光,甲醇光催化解离的产物相似,都是在光照的过程中通过O-H键和C-H键的断裂形成甲醛,解离出的氢原子转移到相邻的两配位的桥氧原子(Ob)上形成ObH.但是反应速率与激发光波长强烈相关.在360 nm光照下,甲醇的反应速率是400 nm光照时的4.8倍.这与以前使用时间分辨的飞秒激光吸收光谱测量的结果是一致的,他们认为近带隙激发和过带隙激发产生的电荷相比,前者的复合速率要远快于后者. 相似文献
6.
构建了一个ZnO沉积在α-Al2O3(0001)表面生长初期的模型,采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法进行了动力学模拟.发现在400,600和800℃的条件下界面原子有不同的扩散能力,因此温度对ZnO/α-Al2O3(0001)表面界面结构以及ZnO薄膜生长初期模式有决定性的影响.在整个ZnO吸附生长过程中,O原子的扩散系数大于Zn原子的扩散系数,O原子的层间扩散对薄膜的均匀生长起着重要作用.进一步从理论计算上证实了ZnO在蓝宝石(0001)上两种生长模式的存在,400℃左右生长模式主要是Zn螺旋扭曲生长,具有Zn六角平面对称特征,且有利于Zn原子位于最外表面.600℃左右呈现为比较规则的层状生长,且有利于O原子位于最外表面.模拟观察到在ZnO薄膜临近Al2O3基片表面处,Zn的空位缺陷明显多于O的空位缺陷.
关键词:
扩散
薄膜生长
2O3(0001)')" href="#">α-Al2O3(0001)
ZnO 相似文献
7.
对α-Al2O3(0001)晶体表层三种不同终止原子结构的计算模型, 在三维周期边界条件下 的κ空间中,采用超软赝势平面波函数描述多电子体系.应用基于密度泛函理论的局域密度 近似,计算了不同表层结构的体系能量,表明最表层终止原子为单层Al的表面结构最稳定. 对由10个原子组成的菱形原胞进行了结构优化,得到晶胞参数值(a0=0.48178n m)与实验 报道值误差小于1.3%.进一步计算了超晶胞(2×2)表面弛豫,弛豫后原第2层O原子层成为最 表层; 对不同表层O,Al原子最外层电子进行了布居分析,表面电子有更大的概率被定域在 O原子的周围,表面明显地表现出O原子的电子表面态.
关键词:
2O3(0001)')" href="#">α-Al2O3(0001)
超软赝势
表面结构
表面态 相似文献
8.
低能电子衍射(LEED)对6H-SiC(0001)-(3×3)R30°表面的研究结果表明,该表面有1/3单层的Si原子吸附在T4空位上与第一个SiC复合层中的三个Si原子键接,它们之间的垂直距离为0.171nm.通过对该表面10个非等价垂直入射衍射束的自动张量低能电子衍射(ATLEED)计算,得到“最佳结构”由于表面SiC复合层堆积顺序不同而产生的三种表面终止状态(surface termination)的混合比例为S1∶S2∶S3=15∶15∶70,理论计算与实验I-V曲线比较得到可靠性因子RVHT=0.165,RP=0.142,表明表面生长符合能量最小化的台阶生长机制. 相似文献
9.
利用程序升温脱附谱研究了用266 nm激光在表面制备不同氧空位浓度的方法.实验表明利用266 nm激光能够很容易产生表面氧空位.同样90 s光照,在光子数密度大于6.7×1016 photons/cm2s的时候,表面氧空位浓度和和光子数密度成线性关系.在光照过程中,没有观测到氧气和钛原子的脱附,表明利用266 nm激光在TiO2(110)-(1×1)制备氧空位是一种有效而且温和的方式.而在表面提前吸附水利用激光产生氧空位的速率比干净的表面慢了两个数量级.进一步研究表面,预先吸附了水后,在光照过程中水更容易脱附,导致桥氧原子的脱附被抑制,降低了氧空位产生的速率 相似文献
10.
本文采用密度泛函理论方法研究了Ru(0001)表面氮分子和钡原子的相互作用.计算结果表明,钡原子的作用弱化了氮分子键.氮分子键长从Ru(001)-N2表面的0.113 nm伸长互Ru(001)-N2/Ba表面的0.120 nm;分子的拉伸振动频率从2221 cm-1减小到1746 cm-1;氮分子得到的电荷数从清洁表面的0.3e增加到1.1 e.电荷从钡原子6s轨道向钌原子4d轨道转移,转移电荷增强了氮分子2π空轨道和钌原子4d轨道间的杂化作用,导致5σ分子轨道和dπ杂化轨道发生极化.轨道极化使分子电偶极矩增加了约-0.136 e(A).金属钡在Ru(0001)表面氮分子活化过程中具备电子型助催剂的特征. 相似文献
11.
The adsorption and reaction of acetaldehyde on the clean and CO pre-covered Ru(0001) surfaces have been investigated using temperature programmed desorption method. On the clean Ru(0001) surface, the decomposition of acetaldehyde is the main reaction channel, with little polymerization occurring. However, on the CO pre-covered Ru(0001) surface, the decomposition of acetaldehyde is inhibited considerably with increasing CO coverage. Whereas, the polymerization occurs efficiently, especially at high CO coverage (θCO>0.5 ML), which is strongly CO coverage dependent. Combined with previous studies, the well-ordered hexagonal structure of CO layer formed on the Ru(0001) surface at high CO coverage that matches the configuration of paraldehyde is likely to be the origin of this remarkable phenomenon. 相似文献
12.
基于密度泛函理论的广义梯度近似法,对用化学气相沉积法在蓝宝石(α-Al_2O_3)(0001)表面上生长石墨烯进行理论研究.研究结果表明:CH_4在α-Al_2O_3(0001)表面上的分解是吸热过程,由CH_4完全分解出C需要较高能量及反应能垒,这些因素不利于C在衬底表面的存在.在α-Al_2O_3(0001)表面,石墨烯形核的活跃因子并不是通常认为的C原子,而是CH基团.通过CH基团在α-Al_2O_3(0001)表面上的迁移聚集首先形成能量较低的(CH)_x结构.模拟研究(CH)_x对揭示后续石墨烯的形核生长机理具有重要意义. 相似文献
13.
LI Yanrong YANG Chun XUE Weidong LI Jinshan & LIU Yonghua .Institute of Microelectronics Solid State Electronics University of Electronic Science Technol- ogy of China Chengdu China .Institute of Mathematics Software Science Sichuan Normal University Chengdu China .Institute of Chemical Materials China Academy of Engineering Physics Mianyang China 《中国科学G辑(英文版)》2004,47(6)
Sapphire (α-Al2O3) and silicon (Si) are widely applied as the substrates of the highquality ZnO thin films prepared by pulse laser deposition (PLD) and molecule beamepitaxy (MBE) technology. The adhesion, diffusivity, and bonding of the particles on thesubstrates play a significant role in the forming and initial growing of nucleation for filmgrowth, and directly influence the quality of the entire thin films[1]. No sufficient studiesand experiments are available on the surface atomic str… 相似文献
14.
应用第一性原理对CO分子在Co(0001)表面( squar3× squar3)R30°−CO吸附结构进行不同形式的密度泛函计算研究. 结果表明:吸附能修正前,仅RPBE泛函预测CO顶位吸附;而修正后PW91、PBE和PKZB泛函结果也表明CO分子Top顶位吸附最稳定,与实验结果一致.对于吸附几何结构、吸附前后体系功函、C-O伸缩振动频率和CO分子态密度分布,所有泛函给出一致的结果,且与已有实验结果符合. 相似文献
15.
16.
We examine the question of reduced Hamiltonians for the torsion-rotation problem and in particular the question of the continuity of frequencies obtained by projecting out a large-amplitude torsional coordinate. We find that suitable results for torsion-rotation analysis can be obtained using either a rectilinear or a curvilinear formalism. 相似文献