POSITRONFIT程序中源修正参量的确定方法

Positronfit程序是目前国际上处理正电子寿命谱的较理想的解谱程序,该程序的功能较全,也能给出合理的结果。但是,在使用本程序过程中,我们发现也有不足之处,就是人为因素很大。因为程序中有很多参量是由使用者提供,而参量选择的好坏,对结果有影响,尤其是仪器的分辨函数相源修正参量。本文仅谈谈如何确定源修正参量的问题。一、确定源修正参量的方法在正电子湮没实验中,正电子除了绝大多数都在样品中湮没外,还有在源支撑薄膜,源晶体本身以及源与样品排列中各界面处的湮没,这些都构成了程序使用中源修正的内容。从报导正电子工作方面的文章中看到,有些根本不考虑源修正,有些笼统地说考虑了源修正,但源修正究竟是如何考虑的,未见详细说明。我们认为,要得到寿命谱好的结果,还是应该考虑源修正的。在实验中,我们找到用下面方法来确定源修正参量。     

符合多普勒展宽谱的源修正研究

测量了Ti,Ni,Cu,Al以及Si的符合多普勒展宽谱。对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合得出其中的源强度。给出了源修正前后湮没量子在Si中的多普勒展宽谱,讨论了源成分的影响。用高斯-抛物线模型拟合多普勒展宽谱,将多普勒展宽谱中自由电子的湮没贡献和束缚电子的湮没贡献分开,进而探讨了只对束缚电子的湮没贡献做源修正的方法。In the present work, Coincidence Doppler Broadening （CDB） measurements have been performed for five elements i.e. Ti, Ni, Cu, Al and Si. As to the CDB spectra of Ni, we obtained the annihilation fraction of positron-electron pairs in the source by least square fitting. After source correction, spectra for Si are also given to indicate the influence of source components. CDB spectra were simulated with Gauss-Parabola model to separate annihilation contribution of core electrons from outermost electrons. Furthermore, a new source correction method, i.e. source correction will be done only in the contribution of core electron, has been presented     

La2-xBaxCuO4超导体的PAT研究

本文报道了在室温下对La2-xBaxCuO4超导系列样品的正电子寿命谱（PAT）测量，讨论了正电子湮没机制与超导转变温度的关联，并从电子密度转移方面解释了La2-xBaxCuO4超导样品在1／8处的转变温度受抑制的原因．     

中子输运方程基于界面修正的源迭代并行计算方法

中子输运方程的计算量非常大。在现有的计算机条件下，进行精密物理的数值模拟所需要的中子计算仍是非常的费时间和费内存的，不采用并行计算是难以承受的。并且，由于中子输运隐式离散纵标方法引起的数据强相关，以及计算过程必须严格沿中子运动方向进行(否则会出现计算不稳定)，因此会出现相当严重的算法同步的问题，使得隐式格式在大型并行计算机上实施时所能得到的并行度十分有限，严格限制了其实现具有高并行度的迭代计算的可能性。因此，对中子输运方程隐式差分格式进行并行改造是十分必要的。     

La2-xBaxCuO4超导体的PAT研究

本文报道了在室温下对La2-xBaxCuO4超导系列样品的正电子寿命谱(PAT)测量,讨论了正电子湮没机制与超导转变温度的关联,并从电子密度转移方面解释了La2-xBaxCuO4超导样品在1/8处的转变温度受抑制的原因.     

正电子湮没参量及其所反映物质信息的探讨

本根据正电子在凝聚态物质中的湮没机制及捕获模型,讨论了正电子湮没参量——正电子寿命谱和多普勒线形等参量所反映的物质信息,给出了各正电子湮没参量与所反映的物质信息之间的定量关系。分析了在该体系中正电子寿命参量与局域电子密度、多普勒线形参量和角关联参量与电子动量密度分布和费米面之关联。     

镧系超导体1／8反常现象的研究

我们测量了La2-xMxCuO4（LMCO，M=Sr，Ba，x=0．05，0．10，0．125，0．15，0．2）体系的室温正电子寿命谱，研究了正电子湮没机制与超导电性之间的关系．实验结果表明在x=1／8附近电子密度（ne）出现峰值响应，说明在掺杂浓度不断增加的过程中，当x〈1／8时，正电子-空穴反关联起决定性的作用．而在x〉1／8时，化学掺杂引起的电子损失是决定电子密度的最重要的原因．     

用正电子湮没技术研究USY沸石的“二次孔”结构

测量了NaY及USY沸石的正电子寿命谱．得到NaY沸石有四个寿命分量：两个短寿命分量和两个长寿命分量．两个长寿命分量中，τ₃，τ₄分别是o-Ps在β笼和超笼中的湮没．USY沸石有五个寿命分量：两个短寿命分量和三个长寿命分量，三个长寿命分量中，τ₃为o-Ps在笼中的湮没，τ₄，τ₅分别为o-Ps在“二次微孔”和“二次中孔”中的湮没．与NaY沸石相比，在真空中，USY的τ₄增加到 关键词：     

用正电子湮没寿命谱研究凝聚态甲烷的温度关系

在30—150K温度范围内,测量了高纯凝聚态甲烷中的正电子寿命谱随温度的变化。在固态甲烷中,正电子素(简称Ps)在自由体积中形成,形成率为²7%。正-正电子素(其符号为o-Ps)的寿命随温度变化的特征可用o-Ps在热激活空位型缺陷中的捕获来说明,且由Ps捕获模型和实验测得的o-Ps寿命求得缺陷激活能E_a=0.10±0.02eV。在液态甲烷中,Ps形成率高达36%,且o-Ps寿命长达5—7ns,这表明液态甲烷中形成了Ps气泡态。我们用经验公式估算了这种气泡的尺寸及其微观表面张力。 关键词：     

YBa2Cu3—xZnxO7—hδ（X=0.0~0.5）体系的正电子寿命谱研究

利用正电子湮没谱方法,对Zn替代的YBa2Cu3-xZnxO7-δ(x=0.0～0.5)体系进行了系统研究,给出了正电子寿命参数随Zn替代含量x的变化.证明CuO2面载流子的不均匀分布乃是Zn替代引起超导电性退化的主要原因.讨论了Zn替代引起Y-123体系电子结构的变化特征并给出了初步的解释.     

聚四氟乙烯中正电子湮没寿命谱中等寿命成份湮没过程性质研究

用时间选择谱仪-磁猝灭测量方法并经适当数据处理,研究了聚四氟乙烯高聚物中正电子湮没寿命谱中等成份(～1ns)的湮没过程性质.确定其为自旋三重态正电子素即o-Ps的猝灭.     

理想正电子湮灭寿命谱解析程序DPSⅠ

用C++语言编写了仅考虑样品体内信息的理想正电子湮灭寿命谱的解析程序DPSⅠ.程序采用带有记忆功能,并带有局部搜索的改进型模拟退火算法.对一般情况的理想寿命谱,DPSⅠ均可给出全局最优解;对于含有相对强度较小或重叠较为严重的多成份寿命谱,也可给出可接受的近似全局最优解.DPSⅠ的实现为开发实验测量寿命谱解析程序奠定了基础.     

YBa2Cu3O7-δ超导体氧缺陷的正电子寿命谱

系统研究了不同氧缺陷的YBa_2Cu_3O_(7-δ)(δ=0.06—0.68)超导体正常态(300K)和超导态(77K)下的正电子寿命谱,利用两态捕获模型对实验结果进行了分析,计算了相应的局域电子密度n_c和空位浓度C_v随氧缺陷δ的变化,给出了氧缺陷YBa_2Cu_3O_(7-δ)体系的正电子湮没特征,讨论了相应的正电子湮没机制以及与超导电性之间的关联。 关键词：     

非对称条件下三体索末菲参量的修正

在非对称几何条件下导出新的有效索末菲参量，对ＢＢＫ理论提出了修正，并运用修正后的ＢＢＫ理论计算了中能电子离化Ｈｅ原子的三重微分截面（ＴＤＣＳ），所得结果与ＢＢＫ理论计算进行比较发现：这种修正明显地改善了ｂｉｎａｒｙ峰与实验数据的符合程度。     

镧系超导体1/8反常现象的研究

我们测量了La2-xMxCuO4 (LMCO,M=Sr,Ba,x=0.05,0.10,0.125,0.15,0.2)体系的室温正电子寿命谱,研究了正电子湮没机制与超导电性之间的关系.实验结果表明在x=1/8附近电子密度(ne)出现峰值响应,说明在掺杂浓度不断增加的过程中,当x<1/8时,正电子-空穴反关联起决定性的作用,而在x>1/8时,化学掺杂引起的电子损失是决定电子密度的最重要的原因.     

Bi（Pb）SrCaCuO烧结块材的正电子寿命谱研究

系统研究了 Bi(Pb)SrCaCuO 单相(2223)烧结块材的正电子寿命谱,对烧结表面和内部作了比较,利用三态捕获模型对实验结果作了初步分析,粗略估算了该类材料的本征寿命和缺陷分布,分别为243ps 和 C_(dI)∶C_(ds)=1∶4.3,讨论了湮没过程的物理机制以及和材料结构特征之间的关系.     

北京正负电子对撞机(BEPC)正电子源的优化

本文在模拟计算和粒子跟踪的基础上,进行了BEPC正电子源的优化设计,作了实验检验,说明了实验与理论符合得很好.文中给出了一些重要的结论,如从束斑论证了电子枪流强增加的效果;从产额论证了过渡线圈和长螺线管的磁场强度及匹配磁场的峰值位置的影响;两个最佳注入相位的存在及其重要意义;以及实践证明正、负电子可以不必分离,因而无须使用昂贵、复杂的高频分离器等等.     

Ca替代YBa2Cu4O8超导材料的正电子湮没谱研究

研究了Ｙ１－ｘＣａｘＢａ２Ｃｕ４Ｏ８（ｘ＝０＼００－０＼１５）超导体系的正电子寿命谱，计算了局域电子密度ｎｅ和空位浓度Ｃｖ随替代含量ｘ的变化，发现了存在于ｘ＝０．１附近的峰值响应，讨论了相应的正电子湮没机制以及和超导电性之间的关联。     

YBCO体系中Ni替代位置分布的转移与正电子寿命参数的变化

利用正电子湮没和X—射线衍射技术，对Ni替代的YBa2Cu3-xNixO7-δ(x=0.0-0.5)超导体系进行了系统研究，分析了体系的精细结构和正电子寿命参数的变化特征，给出了Ni替代位置在Cu(1)和Cu(2)位之间的可能转移以及与正电子寿命参数之间的关联。结果表明，在小替代浓度下，Ni主要占据Cu(2)位，随替代含量的增加，出现部分Ni向Cu(1)位转移，进一步增大Ni替代含量(x≥0．2)，则出现部分Ni在Cu(1)和Cu(2)位之间随机分布，并伴随有杂相出现。同时，讨论了Ni对超导电性抑制的磁散射机理及其解释。     

YBa2CuO7—δ超导体烧结特性的正电子寿命谱研究

研究了不同烧结时间(2～72hrs)的YBa2Cu3O7-δ超导材料的正电子寿命谱,给出了正电子寿命参数与烧结时间的对应关系,发现了Y-123超导体系的结晶度、晶体结构、空位浓度与烧结时间之间的关联,证明在高温超导材料的制备过程中,合适的烧结时间是必要的.这一结果为正电子湮灭技术用于研究Y-123超导体实验结果的可靠性及其与工艺的依赖关系提供了重要的基础研究资料.