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多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型 总被引:2,自引:2,他引:0
多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大.基于Meyer模型,考虑了泄漏产生效应和kink效应,对多晶硅薄膜晶体管的栅漏电容和栅源电容特性进行了建模研究.对实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据符合得较好,能准确地预测多晶硅薄膜晶体管的栅电容特性. 相似文献
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二维器件仿真是揭示半导体器件物理机理的有效途径.首先利用二维器件仿真工具构建单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管(TFT),并完整地考虑晶界陷阱态的分布规律,即指数分布的带尾态和禁带中央高斯分布的深能态.同时,改变晶界陷阱密度、多晶硅薄膜厚度、温度等条件,以及考虑翘曲(kink)效应,仿真单栅和双栅器件的电流-电压(I-V)特性,分析物理规律,建立对多晶硅TFT器件物理特性的进一步理解. 相似文献
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用激光诱导非晶硅结晶,以450℃的最高加工温度制成了多晶硅薄膜晶体管。薄膜晶体管具有迁移率高(50cm~2/V·s)阈值电压低(2V)、关断电流低(10~(-12)A)和可靠性高的特性。同时也介绍了用这种多晶硅薄膜晶体管寻址的3.5英寸的全色液晶显示器。 相似文献
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多晶硅有源矩阵液晶显示技术,特别是一体化多晶硅有源矩阵液晶显示技术以它独特的优点,越来越受到重视,并将在液晶显示领域中占有重要地位,但是,多晶硅有源矩阵液晶显示技术还存在一些问题,这也正是目前研究的主要内容,本文对低温下淀积高质量多晶硅薄膜技术;通过退火使非晶硅结晶为多晶硅技术;器件层转移技术;钝化技术;一体化技术以及多晶硅有源矩阵液晶显示的前景等进行了分析和讨论。 相似文献
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多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术 总被引:2,自引:0,他引:2
采用N2O和NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明,该技术能有效降低多晶硅薄膜的界面态密度,提高多晶硅薄膜晶体管性能,二次离子质谱分析表明在p-Si/SiO界面有氮原子富积,说明生成了强的Si-N键。 相似文献
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有源矩阵液晶显示的进展 总被引:4,自引:0,他引:4
在分析了无源矩阵驱动的局限性的基础上,叙述和比较了MIM薄膜二极管和a-Si薄膜晶体管有源矩阵液晶显示的结构、工作原理和特性,并讨论了它们的进展与发展方向。 相似文献
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概述了薄膜晶体管液晶显示器基本结构与原理。着重分析比较非晶硅与多晶硅薄膜晶体管的工艺、成本的区别。提出了应大力发展低温多晶硅薄膜晶体管技术,以适应下世纪大屏幕高清晰度液晶显示终端的需求。 相似文献
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