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自晶闸管和功率晶体管问世和应用以来,硅半导体器件在功率处理能力和开关频率方面不断改善,先后诞生了GTR、GTO、MOSFET和IGBT等现代电力电子器件,对电力电子系统缩小体积、降低成本起到了极其关键的作用。硅电力电子器件经过近60年的发展,性能已经趋近其理论极限,通过器件原理的创新、结构的改善及制造工艺的进步已经难以大幅度的提升其总体性能,制约未来电力电子技术进一步发展。碳化硅肖特基功率器件以其优良特性和结构与制造工艺优势成功实现了商业化。 相似文献
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科锐公司(CREE)日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec碳化硅(SiC)肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。 相似文献
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极管的反向恢复电荷相比,位移电流传递的电荷QC很小。QC和碳化硅肖特基二极管的开关损耗非常低,而且与超快硅二极管损耗大大依赖dI/dt、电流和温度相比,碳化硅二极管基本上与这些因素无关(见图2和3)。与这些参数的关系与硅二极管相比不在一个尺度上。这是由于这种器件的反向电容性特性。应用下面将讨论两个应用实例,主要关注由SiC二极管替代传统二极管所带来的效率和系统优越性。开关电源中的功率因数校正(升压变换器)由于各地制定相应的功率因数标准,世界上对功率因数校正器的需求快速增长。升压变换器通常用来实现功率因数校正,可以工… 相似文献
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碳化硅(SiC)二极管已经打入迅速扩展的太阳能逆变器市场中,在欧洲尤为如此。科锐公司(Cree)的1200V SiC碳化硅肖特基二极管正在替代其直流母线升压电路中的硅(Si)PiN同类产品,并且很快就会出现在商用系统的逆变器部分。 相似文献
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SiC肖特基势垒二极管 总被引:2,自引:0,他引:2
本文简要地介绍了半导体SiC材料的特性,并与Si、GaAs,GaP等材料作了比较,同时介绍了SiC9肖特基势垒及SiC肖特基势垒二极管的伏-安特性。 相似文献
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SiC floating junction Schottky barrier diodes were simulated with software MEDICI 4.0 and their device structures were optimized based on forward and reverse electrical characteristics. Compared with the conventional power Schottky barrier diode, the device structure is featured by a highly doped drift region and embedded floating junction region, which can ensure high breakdown voltage while keeping lower specific on-state resistance, solved the contradiction between forward voltage drop and breakdown voltage. The simulation results show that with opti- mized structure parameter, the breakdown voltage can reach 4 kV and the specific on-resistance is 8.3 mΩ·cm2. 相似文献
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在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖特基势垒二极管 .测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,结果表明 ,肖特基二极管具有较好的整流特性 :反向击穿电压约为 45 0 V,室温下 ,反向电压 VR=- 2 0 0 V时 ,反向漏电流 JL=5× 10 - 4 A· cm- 2 ;理想因子为 1.0 9,肖特基势垒高度为 1.2 4— 1.2 6 e V ,开启电压约为 0 .8V 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2016,(3)
设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。 相似文献
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由描述功率肖特基二极管电学特性的基本方程出发,结合对典型整流电路效率、器件正向压降、反向耐压及温度特性等参数的数值分析,给出3C-SiC功率肖特基二极管折衷优化设计的理论依据。 相似文献
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碳化硅二极管助力于提高太阳能系统的效率 总被引:1,自引:0,他引:1
碳化硅(SiC)二极管已经进入迅速扩张的太阳能逆变器市场,尤其是在欧洲。Cree的1200V SiC肖特基二极管已开始用来取代DC链升压电路所使用的硅(Si)PiN类设计,而且将很快出现在商用系统的逆变器领域。 相似文献
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采用微电子平面工艺,高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触,二级场限环终端表面保护,研制出Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。I-V特性测量说明,Ni/4H-SiCSBD有较好的整流特性,热电子发射是其主要的运输机理。反向击穿电压达1500V,理想因子为1.2,肖特基势垒高度为0.92eV。 相似文献
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高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管 总被引:2,自引:3,他引:2
在 N型 6 H - Si C外延片上 ,通过热蒸发 ,制作 Ti/ 6 H- Si C肖特基势垒二极管 (SBD) .通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,该肖特基二极管具有较好的整流特性 .反向击穿电压约为 40 0 V,室温下 ,反向电压 VR=2 0 0 V时 ,反向漏电流 JR 低于 1e- 4 A / cm2 .采用 Ne离子注入形成非晶层 ,作为边缘终端 ,二极管的击穿电压增加到约为 80 0 V. 相似文献