碲镉汞环孔p-n结反常特性分析

在HgCdTe 环孔p-n结器件的研制过程中,经常会出现一些反常现象,如负的开路电压和负的光电压等.现对上述现象进行理论分析,并通过大量实验对上述反常现象进行了验证.     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I-V、RD-V特性的研究（下）

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD—V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆（反型沟道）漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生一复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I—V、RD—V特性的研究（上）

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数.计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能.HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加.     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ-Ⅴ、RD-Ⅴ特性的研究(下)

本文推导了一种可简便,准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、RD-Ⅴ特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数.计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能.HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加.     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I–V、RD–V特性的研究（下）

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I–V特性的公式和方法,并应 用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I–V、RD–V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏 电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe 光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe 材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生–复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。     

HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制

P-n结I-V特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热噪声,决定了探测器的性能.实验主要对离子刻蚀环孔P-n结HgCdTe长波光伏探测器进行变温,I-V特性测试分析.通过对测试实验数据拟合,从理论上计算了探测器在不同温度及不同偏压下的暗电流,得到一些相关的材料和器件性能参数.希望利用分析计算结果了解工艺中存在的问题,对改进工艺及提高器件性能提供理论依据.     

一维平面PN结和环孔PN结理想I-V关系的比较

通过用MATLAB求解一维形式下平面PN结和环孔PN结的连续性方程,给出了两者的I-V关系式,并进行了分析比较。由于几何结构上的差异,它们的I-V关系式有所不同。     

一维平面PN结和环孔PN结理想I-V关系的比较

通过用MATLAB求解一维形式下平面PN结和环孔PN结的连续性方程,给出了两者的I-V关系式,并进行了分析比较。由于几何结构上的差异,它们的I-V关系式有所不同。     

甲状旁腺腺瘤细胞中的环孔板和内质网

甲状旁腺腺瘤细胞中经常可以看到著目的环孔板。甚至有的学者认为它是甲状旁腺腺瘤的标志。本文报告该瘤细胞中环孔板和内质网的各种形态以及它们之间的相互关系。材料来自5例甲状旁腺腺瘤切除术的瘤组织,均为主细胞性腺瘤。电镜下见瘤细胞呈椭圆形或多角形,核较大,胞浆除不等面积的糖元区和灶性分布的线粒体外,4例标本的多数细胞环孔板极其著目,其中有两例许多细胞胞浆几乎被对合池(con-fronting cisternae)内质网和环孔板所充满。其结构有单层或多层平行排列,半圆形,马蹄形,螺旋形或同心圆,有的还形成复杂的网络结构。在许多情况下,可以看到环孔板和粗面内质网或核膜相连续,并形成复杂结构,对合池内质     

反向偏置下碲镉汞环孔PN结耗尽区电容的计算

采用突变结近似,对反向偏置下碲镉汞（HgCdTe）环孔PN结耗尽区电容的计算方法进行了分析和讨论,给出了若干条件下的计算结果,表明与有关理论分析的结论是吻合的。     

LCoS芯片p-n结光生电流理论分析

LCoS中像素有源驱动电路受到光照后会在p-n结上产生光生漏电流,而光生漏电流的产生会引起LCoS的图像对比度退化,直接影响其成像质量。从光学和半导体器件物理两方面出发,分析了光生漏电流的产生机理,指出了影响漏电流大小的主要因素是入射光功率和挡光层的厚度。以Al膜作为挡光层材料,实际测量了不同厚度Al膜在可见光范围内的反射率,并在测量数据的基础上分别计算了不同情况下的光生电流的大小。当Al膜厚度为50nm时,光生电流最大仅为5.15×10-10A,可以抑制光生漏电流的产生,满足了LCoS的实际使用时的要求。     

从多子角度阐述p-n结理论

传统方法在分析p-n结理论时仅仅关注了过剩少子的扩散电流,但是随着其浓度梯度的降低,扩散电流趋于零,则电流的连续性将难以理解。另外,如果仅仅考虑过剩少子的注入,则无法理解"中性区"的电中性(即电中性条件将被破坏)。针对以上矛盾,以基本的器件物理为基础,分析并得到过剩多子必然存在于中性区,且其分布和数量与过剩少子相同,因而过剩多子的扩散电流也参与p-n结的电流输运。在充分考虑过剩多子的基础上,对p-n结的工作机理可以有更好、更深刻的理解。理想二极管方程在一些假设下仅仅考虑了空间电荷区两边过剩少子的扩散电流,提供了一个很巧妙地计算总电流的方法。     

PN结二极管散粒噪声测试方法研究

针对散粒噪声难以测量的特点,提出了一种低温散粒噪声测试方法。在屏蔽环境下,将被测器件置于低温装置内,有效抑制了外界电磁波和热噪声的干扰,采用背景噪声充分低的放大器以及偏置器、适配器等,建立低温散粒噪声测试系统。应用该系统对PN结二极管进行散粒噪声测试,得到了很好的测试结果。     

P型HgCdTe离子刻蚀成结机理分析

从微观理论对P型HgCdTe离子刻蚀成结的过程、机理进行了分析,提出HgCdTe环孔P-N结的汞原子扩散-补偿模型、P-N结的汞原子扩散-补偿-剩余施主杂质模型,提出并讨论了离子刻蚀技术形成环孔型P-N结和平面型P-N结的汞原子扩散激活能、扩散汞原子总量、扩散范围、扩散系数、有效汞原子系数等关键物理参数与工艺参数.     

用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结

能够直观地\     

An Analysis of Frequency Modulation Circuit Using p-n Junction Varactors

Simple circuits performing oscillation-frequency modulation functions using one active device and p-n junction type varactors are studied. The performance of the common circuit is analyzed. Equations are derived to determine signal-to-frequency deviation, transducer gain, frequency deviation, input impedance, distortion, maximum signal, noise and signal sensitivity, dynamic range, and maximum resolution. The upper or lower bounds of these quantities are given as functions of the varactor parameters and circuit constants.     

垂直p-n结的碲镉汞光伏探测器暗电流特性分析

如何提高碲镉汞焦平面探测器的制备工艺,降低暗电流直接关系到探测器的噪声和灵敏度.本文对所研制的垂直结碲镉汞光伏探测器在工作条件下的暗电流大小和构成机制进行了模拟分析,理论计算结果和实验结果吻合很好.分析结果进一步反馈了工艺中存在的问题,这对改进工艺、提高器件性能有重要的理论指导作用.