无序二元合金(NixCu1-x)不同解理面上O吸附对Cu偏析的影响

应用计算机编程构造出了存在和不存在表面偏析的无序二元合金NixCu1-x(x=0.4)(100)表面及(110)表面的原子集团模型,然后按覆盖度θ=0.5,构造出了O吸附后的原子集团模型,应用Recursion方法计算了O在NixCu1-x(存在偏析和不存在偏析时)无序二元合金(100)和(110)表面吸附的电子结构.由此得出:1)O吸附使合金表面态密度峰降低,带宽加宽,并且表面Ni原子的d电子与吸附质O原子的s,p电子的共价作用比Cu更强烈;2)O吸附在NixCu1-x(x=0.4)(110)表面比(100)表面更稳定;3)O的吸附抑制了Cu在表面富集,且这种作用主要表现在表面一层.     

无序二元合金（NixCu1-x）表面CO吸附及对表面偏析的影响

根据计算机编程构造出了存在和不存在表面偏析的无序二元合金Ni_xCu_1-x（x=0.4）的原子集团模型,然后按覆盖度θ=0.5,构造出了CO表面吸附的模型 ,应用Recursion方法计算了CO在（Ni_xCu_1-x）（存在偏析和不存在偏析时）合金表面不同位置（顶位和芯位）吸附的电子结构 .由此得出：1)CO在顶位吸附时较稳定;2)CO吸附使合金表面态密度峰降低,带宽加宽,使d轨道的局域性变弱;3)CO的吸附抑制了Cu关键词：化学吸附表面偏析Recursion方法态密度     

甘氨酸吸附对Ni-Cu合金(110)表面偏析的影响

通过构造无序二元合金NixCu1-x(x=0.4)(110)表面的原子集团模型用来研究表面偏析. 根据这个模型,按覆盖度μ=0.33,应用Recursion方法计算了甘氨酸在NixCu1-x无序二元合金(110)表面吸附的电子结构. 结果表明,Ni0:4Cu0:6合金表面存在着Cu的偏析,甘氨酸的吸附抑制了Cu在表面的偏析,并使得合金表面的态密度在费米能级附近发生了很大变化,吸附时合金表面与甘氨酸之间发生了电荷转移.     

无序二元合金（NixCu1－x）不同解理面上O吸附对Cu偏析的影响

应用计算机编程构造出了存在和不存在表面偏析的无序二元合金Ni_xCu_1-x (x=0.4)(１００)表面及(１１０)表面的原子集团模型,然后按覆盖度θ=0.5,构造 出了O吸附后的原子集团模型,应用Recursion方法计算了O在Ni_xCu_{1-x(存在偏析和不存在偏析时)无序二元合金(１００)和(１１０)表面吸附的电子结构.由此 得出：1)O吸附使合金表面态密度峰降低,带宽加宽,并且表面Ni原子的d电子与吸附质O原 子的s,p电子的共价作用比Cu更强烈;2)O吸附在NixCu1-x(x=0.4) (１１０)表面比(１００)表面更稳定;3)O的吸附抑制了Cu在表面富集,且这种作用主要表 现在表面一层.关键词：化学吸附表面偏析Recursion方法态密度}     

杂质对吸附系统O/RhxPt1-x衬底合金(110)表面偏析的影响

构造了考虑吸附与偏析相互作用情况下无序二元合金Rh_xPt_1-x(110)吸附氧表面的原子集团模型,其中O的覆盖度为0.5;构造了考虑杂质Ni,Cu,W对合金可能产生影响的吸附表面原子集团模型,杂质的掺入采用替位式.应用recursion方法计算了合金表面的环境敏感镶嵌能和电子结构.环境敏感镶嵌能计算表明杂质Ni,Ｃu和Ｗ均使O吸附Rh_xPt_1-x(110)合金表面关键词：化学吸附表面偏析recursion方法态密度     

杂质对吸附系统O/RhxPt1-x衬底、合金(110)表面偏析的影响

构造了考虑吸附与偏析相互作用情况下无序二元合金Rhx Pt1-x(110)吸附氧表面的原子集团模型,其中O的覆盖度为0.5;构造了考虑杂质Ni,Cu,W对合金可能产生影响的吸附表面原子集团模型,杂质的掺入采用替位式.应用recursion方法计算了合金表面的环境敏感镶嵌能和电子结构.环境敏感镶嵌能计算表明杂质Ni,Cu和W均使O吸附RhxPt1-x(110)合金表面偏析情况发生逆转,Ni对Rh-Pt合金偏析的影响最大,其次是Cu,W对合金偏析的影响最小;电子结构计算表明杂质Ni,Ca W存在于合金表面时,使Rh与O的共价相互作用减弱,使表面偏析发生逆转,Pt再次偏析于表面.     

CO和O在无序二元合金NiCu表面上的化学吸附

本文用一维紧束缚模型和单电子化学吸附理论,在平均T矩阵近似下,研究了CO和O在无序二元合金Ni_xCu_1-x表面上的化学吸附特性,结果表明,CO和O在Ni_xCu_1-x表面上的化学吸附具有类似的性质,随合金中Ni浓度的增加,化学吸附能降低,化学吸附加强,Cu在NiCu合金表面的偏析在一定程度上减弱了CO和O在NiCu表面上的吸附。关键词：     

二元合金表面偏析的Monte Carlo方法模拟

详细介绍了二元合金表面偏析的Monte Carlo模拟方法,并应用改进的分析型嵌入原子模型结合Monte Carlo方法模拟研究了Pd-Au合金表面成分及其剖面成分分布,发现Au在表面偏析,并同已有实验结果进行了比较.     

In在Al(001)表面偏析的模拟

通过一种空位模型详细的描述了In在Al(001)表面的扩散偏析过程,利用周期性密度泛函理论方法计算了这个偏析过程中每步构型的能量和In原子扩散的能量壁垒,并对可能的偏析机理进行分析.结果表明:In原子从Al(001)表面第二层扩散偏析至表面层时,系统的能量降低了0.64 eV,最大的扩散迁移壁垒为0.34 eV;而从表面更内层向表面第二层扩散时系统能量基本保持不变,扩散需要克服的能量壁垒为0.65 eV,说明In原子在Al(001)表面只能由体内向表面扩散偏析.In在Al(001)的清洁表面具有强烈的偏析趋势,在热力学上是容易进行的.关键词：密度泛函理论表面偏析扩散Al合金     

Research of the behaviour of O chemisorption on the (110) surface of Rhx--Pt1－x alloy

An atomic group model of the disordered binary alloy Rhx-Pt1-x has been constructed to investigate surface segregation. According to the model, we have calculated the electronic structure of the Rhx-Pt1-x alloy surface by using the recursion method when O atoms are adsorbed on the Rhx-Pt1-x （110） surface under the condition of coverage 0.5. The calculation results indicate that the chemical adsorption of O changes greatly the density of states near the Fermi level, and the surface segregation exhibits a reversal behaviour. In addition, when x 〈 0.3, the surface on which O is adsorbed displays the property of Pt; whereas when x 〉 0.3 it displays the property of Rh.     

ZnLa_xS_(n-x)(x=4,8)半导体材料光电性质的第一性原理计算

本文采用第一性原理研究了Zn S,Zn La4Sn-4,Zn La8Sn-8三个体系的能带结构、分态密度、总态密度以及复介电函数.研究结果显示:Zn S体系的价带顶和导带底都在G点处,为直接带隙材料;Zn La4Sn-4,Zn La8Sn-8两体系的导带向价带移动,费米能级处有多条能级穿过,费米能级处附近的态密度则由S 3p,Zn3p和La 5d以及5p轨道组成;对比分析Zn S,Zn La4Sn-4,Zn La8Sn-8三个体系的复介电函数的虚部发现Zn La4Sn-4、Zn La8Sn-8体系在0-10e V区域内的介电峰都少于本征结构,而在10到20 e V的高能量区间内,Zn La4Sn-4、Zn La8Sn-8体系介电峰的相应幅度较Zn S增强.     

ZnLaxSn-x（x=4，8）半导体材料光电性质的第一性原理计算

本文采用第一性原理研究了ZnS,Zn La4Sn-4,ZnLa8Sn-8三个体系的能带结构、分态密度、总态密度以及复介电函数.研究结果显示: ZnS体系的价带顶和导带底都在G点处,为直接带隙材料;ZnLa4Sn-4,Zn La8Sn-8两体系的导带向价带移动,费米能级处有多条能级穿过,费米能级处附近的态密度则由S 3p ,Zn 3p和La 5d以及5p 轨道组成;对比分析ZnS,ZnLa4Sn-4,ZnLa8Sn-8三个体系的复介电函数的虚部发现Zn La4Sn-4、ZnLa8Sn-8体系在0-10eV区域内的介电峰都少于本征结构,而在10到20eV的高能量区间内,ZnLa4Sn-4、ZnLa8Sn-8体系介电峰的相应幅度较ZnS增强.     

递归方法和团簇磁性的计算

介绍了如何应用递归方法将哈密顿矩阵三对角化,从而求得局域态密度 ,并以计算铑团簇的磁矩为例,说明了递归方法在研究团簇的电子结构方面的应用。     

四方相BaTiO3铁电性的第一性原理研究

在广义梯度近似下,利用超软赝势对立方相和四方相BaTiO3晶胞中Ti原子沿c轴位移时体系的能量、原子间电子云重叠布局数和各原子上的净电荷等进行了自洽计算.结果显示,当Ti原子沿c轴位移0012nm时,四方相BaTiO3体系能量最低,其自发极化强度为0261C/m2,该结果与实验数据相符合;同时表明,O原子的2p轨道和Ti原子的3d轨道的杂 化是BaTiO3晶体出现铁电性的重要原因.关键词：四方相BaTiO3铁电性位移态密度