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第九届全国发光二极管(LED)产业研讨与学术会议暨第五届中国光协光电器件分会会员大会于2004年9月16-20日在江西南昌举行.本届会议由江西联创光电科技股份有限公司和南昌大学材料科学研究所联合承办,厦门华联电子有限公司、南昌欣磊光电科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、佛山市国星光电科技有限公司、江苏稳润电子有限公司协办. 相似文献
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SiC材料及器件研制的进展 总被引:13,自引:0,他引:13
作为第三代的半导体材料-SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半民体器件及紫外探测器和短波发光二级管等方面具有广泛的应用前景,文章综述了半导体SiC材料生长及其器件研制的概况。 相似文献
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为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能,我们调整了器件结构,使主体材料发挥其优势。制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS∶x%BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件。研究了主-客体材料在不同掺杂浓度下的OLED器件的光电特性。为了提高主体材料的利用率,在空穴传输层和发光层之间加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层;然后,在阳极和空穴传输层之间加入HAT-CN作为空穴注入层,形成HAT-CN/NPB结构的PN结,有效降低了器件的启亮电压(2.7 V)。测量了有无HAT-CN的单空穴器件的阻抗谱。结果表明,在最佳掺杂比例(2%)下,器件的外量子效率(EQE)达到4.92%,接近荧光OLED的EQE理论极限值;加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层,使得器件的EQE达到5.37%;HAT-CN/NPB结构的PN结有效地降低了器件的启亮电压(2.7 V),将OLED器件的EQE提高到5.76%;HAT-CN的加入提高了器件的空穴迁移率,降低了单空穴器件的阻抗... 相似文献
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固态器件和材料研究的新进展──1993年国际固态器件和材料会议介绍王迅(复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433)一、概况1993年国际固态器件和材料会议于8月29日至9月1日在日本干叶举行。会议主要议题有:(1)硅分子束外延(第五届国际... 相似文献
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国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到0.1μm以下,SiO2作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难,人们在寻找新的栅介质材料时,提出一种新的结构,称为半导体上的晶态氧化物(COS),最近,COS被用作Si衬底上生长GaAs的过渡层,成为半导体材料和器件发展中一项新的突破,文章对这一结构的进展情况做一简要介绍。 相似文献
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铁电材料作为感光功能薄膜的红外器件研究近年来十分活跃,其良好的压电、铁电、热释电、光电及非线性光学特性以及能够与半导体工艺相集成等特点,在微电子和光电子技术领域有着广阔的应用前景。实验将铁电材料锆钛酸铅作为感光层与GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)相结合,成功地制备出了感光栅极GaN基HEMT器件,并在波长为365 nm的光照下进行探测,经大量实验测试后发现器件在该波段的光照下饱和电流达到28 mA,相比无光照时饱和电流提高12 mA。另外,通过合理改变器件结构尺寸,包括器件栅长以及栅漏间距,发现随着栅长的增大,器件的饱和输出电流依次减小,而栅漏间距的变化对阈值电压以及饱和电流的影响并不大。由此可知,改变器件结构参数可以达到提高器件性能的目的并且可以提高探测效率。 相似文献
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石墨烯是一种由单层碳原子紧密排列而形成的具有蜂窝状结构的二维晶体材料,特殊的结构赋予了其优异的性能,如高载流子迁移率、电导率、热导率、力学强度以及量子反常霍尔效应.由于石墨烯优异的特性,迅速激起了人们对石墨烯研究以及应用的热情.石墨烯沉积或转移到硅片后,其器件构建与集成和传统硅基半导体工艺兼容.基于石墨烯的硅基器件与硅基器件的有机结合,可以大幅度提高半导体器件的综合性能.随着石墨烯制备工艺和转移技术的优化,硅基底石墨烯器件将呈现出潜在的、巨大的实际应用价值.随着器件尺寸的纳米化,器件的发热、能耗等问题成为硅基器件与集成发展面临的瓶颈问题,石墨烯的出现为解决这些问题提供了一种可能的解决方案.本文综述了石墨烯作为场效应晶体管研究的进展,为解决石墨烯带隙为零、影响器件开关比的问题,采用了量子限域法、化学掺杂法、外加电场调节法和引入应力法.在光电器件研究方面,石墨烯可以均匀吸收所有频率的光,其光电性能也受到了广泛的关注,如光电探测器、光电调制器、太阳能电池等.同时,石墨烯作为典型的二维材料,其优越的电学性能以及超高的比表面积,使其作为高灵敏度传感器的研究成为纳米科学研究的前沿和热点领域. 相似文献
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第九届全国发光二极管(LED)产业研讨与学术会议暨第五届中国光协光电器件分会会员大会于2004年9月16-20日在江西南昌举行.本届会议由江西联创光电科技股份有限公司和南昌大学材料科学研究所联合承办,厦门华联电子有限公司、南昌欣磊光电科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、佛山市国星光电科技有限公司、江苏稳润电子有限公司协办. 相似文献
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21世纪的光学和光电子讲座第二讲 硅基发光材料和器件研究 总被引:1,自引:1,他引:0
硅基发光材料和器件是实现光电子集成的关键。文章评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究,包括掺饵硅,多孔硅,纳米硅以及Si/SiO2等超晶格结构材料,展望了这些不同硅基发光材料作为发光器件和在光电集成中的发展前景。 相似文献
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相对于传统的无机半导体材料,有机半导体材料特别是有机电子传输材料的载流子浓度和迁移率较低,从而影响了有机发光器件的亮度、效率等性能.为了提高有机发光器件器件性能必须增强电子注入和传输能力,对有机电子传输材料进行n型电学掺杂能够有效地提高电子的注入和传输能力.本文利用Li3N作为n型掺杂剂,以掺杂层Alq3∶Li3N作为电子注入层,有效地提高了有机发光器件器件的性能,在掺杂浓度为5%,掺杂层厚度为10 nm时器件性能表现为最优.Li3N在空气中稳定,并且在较低的温度和压强下能分解产生Li原子和氮气,避免了采用金属掺杂剂如Li、Cs等材料时易受空气中水分和氧气影响的缺点,有利于工艺处理. 相似文献
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21世纪的光学和光电子学讲座 第二讲 硅基发光材料和器件研究 总被引:2,自引:0,他引:2
硅基发光材料和器件是实现光电子集成的关键.文章评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究,包括掺饵硅,多孔硅,纳米硅以及Si/SiO2 等超晶格结构材料.展望了这些不同硅基发光材料作为发光器件和在光电集成中的发展前景 相似文献