第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议(第二轮通知)

由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办,河南大学承办的第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议将于2012年10月13日至15日在历史文化名城河南省开封市召开。会议将邀请国内外知名学者就化合物半导体材料、微波器件和光电器件等有关学术领域的前沿热点问题进行交流、总结和展望。我们由衷地欢迎国内外广大学者和科研人员踊跃投稿并参加会     

第九届全国发光二极管（LED）产业研讨与学术会议暨第五届中国光协光电器件分会会员大会简讯

第九届全国发光二极管(LED)产业研讨与学术会议暨第五届中国光协光电器件分会会员大会于2004年9月16-20日在江西南昌举行．本届会议由江西联创光电科技股份有限公司和南昌大学材料科学研究所联合承办，厦门华联电子有限公司、南昌欣磊光电科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、佛山市国星光电科技有限公司、江苏稳润电子有限公司协办．     

基于铁性材料的微波器件及其仿真模拟

随着无线通讯技术的进步和发展,集成化、芯片化、阵列化的微波器件成为前沿发展方向.了解材料的基本物理性质并进行相关器件的设计仿真有助于促进对原子尺度到宏观器件性质的理解和预测,是推动微波技术发展的关键,也是信息科技发展中的重点.本文从微波器件的基本材料出发,重点介绍了铁磁、铁电以及多铁复合材料3类铁性材料的基本物理性质及其在微波器件中的应用,进而介绍了微波器件中的仿真模拟软件.     

SiC材料及器件研制的进展

作为第三代的半导体材料－ＳｉＣ具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半民体器件及紫外探测器和短波发光二级管等方面具有广泛的应用前景,文章综述了半导体ＳｉＣ材料生长及其器件研制的概况。     

中国科学院物理研究所中科院清洁能源前沿研究重点实验室北京市新能源材料与器件重点实验室

2009年5月。为适应物理所／北京凝聚态物理国家实验室（筹）发展的需要,促进基础性、战略性、前瞻性研究工作的发展,凝聚物理所清洁能源获取、存储和高效利用方面的研究力量,更好地服务于国民经济发展与国防建设,中国科学院物理研究所决定抽调表面物理国家重点实验室的化合物半导体材料与物性研究团队和氧化物半导体外延薄膜与器件结构研究团队、纳米物理与器件实验室的纳米离子学与能源材料团队和太阳能材料与器件团队组建一中国科学院物理所清洁能源实验室。姚建年院士任实验室学术委员会名誉主任,     

基于器件结构提高TADF-OLED器件的发光性能

为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能,我们调整了器件结构,使主体材料发挥其优势。制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS∶x%BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件。研究了主-客体材料在不同掺杂浓度下的OLED器件的光电特性。为了提高主体材料的利用率,在空穴传输层和发光层之间加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层;然后,在阳极和空穴传输层之间加入HAT-CN作为空穴注入层,形成HAT-CN/NPB结构的PN结,有效降低了器件的启亮电压(2.7 V)。测量了有无HAT-CN的单空穴器件的阻抗谱。结果表明,在最佳掺杂比例(2%)下,器件的外量子效率(EQE)达到4.92%,接近荧光OLED的EQE理论极限值;加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层,使得器件的EQE达到5.37%;HAT-CN/NPB结构的PN结有效地降低了器件的启亮电压(2.7 V),将OLED器件的EQE提高到5.76%;HAT-CN的加入提高了器件的空穴迁移率,降低了单空穴器件的阻抗...     

固态器件和材料研究的新进展：1993年国际固态器件和材料会议介绍

固态器件和材料研究的新进展──１９９３年国际固态器件和材料会议介绍王迅（复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海２００４３３）一、概况１９９３年国际固态器件和材料会议于８月２９日至９月１日在日本干叶举行。会议主要议题有：（１）硅分子束外延（第五届国际...     

电荷耦合器件

应广大读者的要求,我们组织了光电接收器件专集,分两期刊登．为适应各类读者的需要,本专集介绍了各种光电接收器件的原理、性能、使用体会和注意事项,并附有部分国内外资料．有些光电接收器件已比较成熟,但至今仍在各个领域内广泛地应用,对此,我刊也将以一定篇幅加以介绍．本期刊登的集成光电接收器件是一个比较新的专题,以后将刊登光电倍增管、热电接收器件、各种分立半导体接收器件等专题．     

一种新的半导体材料和器件结构:COS

国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到0.1μm以下，SiO2作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难，人们在寻找新的栅介质材料时，提出一种新的结构，称为半导体上的晶态氧化物（COS），最近，COS被用作Si衬底上生长GaAs的过渡层，成为半导体材料和器件发展中一项新的突破，文章对这一结构的进展情况做一简要介绍。     

采用Li3Nn型掺杂层作为电子注入层的OLED器件研究

相对于传统的无机半导体材料,有机半导体材料特别是有机电子传输材料的载流子浓度和迁移率较低,从而影响了有机发光器件的亮度、效率等性能.为了提高有机发光器件器件性能必须增强电子注入和传输能力,对有机电子传输材料进行n型电学掺杂能够有效地提高电子的注入和传输能力.本文利用Li3N作为n型掺杂剂,以掺杂层Alq3:Li3N作为...     

感光栅极GaN基HEMT器件的制备与栅极优化

铁电材料作为感光功能薄膜的红外器件研究近年来十分活跃,其良好的压电、铁电、热释电、光电及非线性光学特性以及能够与半导体工艺相集成等特点,在微电子和光电子技术领域有着广阔的应用前景。实验将铁电材料锆钛酸铅作为感光层与GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)相结合,成功地制备出了感光栅极GaN基HEMT器件,并在波长为365 nm的光照下进行探测,经大量实验测试后发现器件在该波段的光照下饱和电流达到28 mA,相比无光照时饱和电流提高12 mA。另外,通过合理改变器件结构尺寸,包括器件栅长以及栅漏间距,发现随着栅长的增大,器件的饱和输出电流依次减小,而栅漏间距的变化对阈值电压以及饱和电流的影响并不大。由此可知,改变器件结构参数可以达到提高器件性能的目的并且可以提高探测效率。     

硅基底石墨烯器件的现状及发展趋势

石墨烯是一种由单层碳原子紧密排列而形成的具有蜂窝状结构的二维晶体材料,特殊的结构赋予了其优异的性能,如高载流子迁移率、电导率、热导率、力学强度以及量子反常霍尔效应.由于石墨烯优异的特性,迅速激起了人们对石墨烯研究以及应用的热情.石墨烯沉积或转移到硅片后,其器件构建与集成和传统硅基半导体工艺兼容.基于石墨烯的硅基器件与硅基器件的有机结合,可以大幅度提高半导体器件的综合性能.随着石墨烯制备工艺和转移技术的优化,硅基底石墨烯器件将呈现出潜在的、巨大的实际应用价值.随着器件尺寸的纳米化,器件的发热、能耗等问题成为硅基器件与集成发展面临的瓶颈问题,石墨烯的出现为解决这些问题提供了一种可能的解决方案.本文综述了石墨烯作为场效应晶体管研究的进展,为解决石墨烯带隙为零、影响器件开关比的问题,采用了量子限域法、化学掺杂法、外加电场调节法和引入应力法.在光电器件研究方面,石墨烯可以均匀吸收所有频率的光,其光电性能也受到了广泛的关注,如光电探测器、光电调制器、太阳能电池等.同时,石墨烯作为典型的二维材料,其优越的电学性能以及超高的比表面积,使其作为高灵敏度传感器的研究成为纳米科学研究的前沿和热点领域.     

半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室长期以来主要致力于半导体物理的电子/自旋量子调控及光、电器件方面的研究,研究内容涉及从基础理论、材料生长、微纳器件的基本物理/功能特性到半导体光电器件的实用基础研究。当前科研人员中包括4位中国科学院院士、9人获得国家杰出青年基金资助、3人获选优秀青年科学基金资助。     

互混型有机电致发光器件

通过共蒸镀空穴传输材料TPD和电子传输材料Alq₃,在普通双层器件的异质结界面引入了均匀互混层,并研究了互混层的厚度变化对器件光电性能的影响。互混层的引入在一定程度上改善了普通双层器件的异质结界面由于高浓度载流子积聚导致的高电场和界面缺陷对器件主要性能(效率和寿命)的负面影响。我们发现一定厚度的互混层使器件的性能有所提高。     

GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用

GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质,是发展高功率微波射频器件不可替代的材料体系,也是发展高效节能功率电子器件的主要材料体系之一,在半导体自旋电子学器件上亦有潜在的应用价值。GaN基异质结构材料、物理与器件研究已成为当前国际上半导体科学技术的前沿领域和研究热点。本文从GaN基异质结构的外延生长、物理性质及其电子器件应用三个方面对国内外该领域近年来的研究进展进行了系统的介绍和评述,并简要介绍了北京大学在该领域的研究进展。     

第九届全国发光二极管(LED)产业研讨会与学术会议暨第五届中国光协光电器件分会会员大会简讯

第九届全国发光二极管(LED)产业研讨与学术会议暨第五届中国光协光电器件分会会员大会于2004年9月16-20日在江西南昌举行.本届会议由江西联创光电科技股份有限公司和南昌大学材料科学研究所联合承办,厦门华联电子有限公司、南昌欣磊光电科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、佛山市国星光电科技有限公司、江苏稳润电子有限公司协办.     

二维材料类脑器件

研究类脑器件是构建一个能够与大脑相媲美的类脑信息处理系统的重要基础。二维材料凭借优异的电学与光电特性、可多自由度调控以及可三维垂直集成等优势,为设计多功能的类脑器件提供了丰富的材料和机制选择。文章围绕二维材料及异质结类脑器件的设计展开,通过总结最近的重要研究进展,探究该领域未来可能面临的机遇与挑战。     

21世纪的光学和光电子讲座第二讲 硅基发光材料和器件研究

硅基发光材料和器件是实现光电子集成的关键。文章评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究,包括掺饵硅,多孔硅,纳米硅以及Ｓｉ／ＳｉＯ２等超晶格结构材料,展望了这些不同硅基发光材料作为发光器件和在光电集成中的发展前景。     

采用Li3N n型掺杂层作为电子注入层的OLED器件研究

 相对于传统的无机半导体材料,有机半导体材料特别是有机电子传输材料的载流子浓度和迁移率较低,从而影响了有机发光器件的亮度、效率等性能.为了提高有机发光器件器件性能必须增强电子注入和传输能力,对有机电子传输材料进行n型电学掺杂能够有效地提高电子的注入和传输能力.本文利用Li3N作为n型掺杂剂,以掺杂层Alq3∶Li3N作为电子注入层,有效地提高了有机发光器件器件的性能,在掺杂浓度为5%,掺杂层厚度为10 nm时器件性能表现为最优.Li3N在空气中稳定,并且在较低的温度和压强下能分解产生Li原子和氮气,避免了采用金属掺杂剂如Li、Cs等材料时易受空气中水分和氧气影响的缺点,有利于工艺处理.     

21世纪的光学和光电子学讲座 第二讲 硅基发光材料和器件研究

硅基发光材料和器件是实现光电子集成的关键．文章评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究,包括掺饵硅,多孔硅,纳米硅以及Ｓｉ／ＳｉＯ２ 等超晶格结构材料．展望了这些不同硅基发光材料作为发光器件和在光电集成中的发展前景