YVO4晶体及其掺Nd的喇曼光谱

本文报道了对YVO4晶体及其掺Nd的喇曼光谱的测量结果,用这些结果可以了解到这种材料的声子能谱情况,在与其它基质材料比较中可以看出它的特点是：分立的低声子在500－800cm^-1之间有一个间隙,主要部分分布在800－900cm^-1附近,根据群论分析可以得出各喇曼谱线相应的对称性,而且可看出这些喇曼谱线主要来源于VO4^3-的振动,对这种不均匀分布的声子能变对于其光谱性能可能产生的影响也作了分析讨论,测量结果还发现掺杂能抑制原有的高能声子。     

Tm：YVO4晶体中Tm^3＋的发光研究

测量了Tm:YVO4晶体的吸收光谱,以346nm,363nm(^1D2),475nm(^1G4),698nm(^3F2,^3F3)和801nm(^3H4)光激发时的发射光谱,以及位于454nm(^1D2→^3F4),475nm(^1G4→^3H6),646nm(^1G4→^3F4),806nm(^3H4→^3H6)的荧光谱线的激发光谱,对测量的结果进行了详细分析,解释了离子能级间的跃迁过程,提出了Tm:YVO4晶体基质与Tm^3 之间的能量交换的概念和新的跃迁通道,证实了存在^1D2 ^3H6→^1G4 ^3F4以及^1G4 ^3H6→^3H4 ^3H5的能量传递过程,还可能存在交叉弛豫过程^1G4 ^H6→^3F2 ^3F4. 这些过程使得Tm:YVO4晶体难以实现^1D2能级上转换发光（454nm左右）,但475nm的上转换发光（^1G4→^3H6)较强,^3F4能级是潜在红外激光发射能级。     

Tm:YVO4晶体的光谱参数计算

由测量的Tm :YVO4晶体的吸收光谱 ,考虑到单轴晶体在各个方向上的吸收不同和折射率随波长的变化 ,根据Judd Ofelt理论计算了Tm3 +在YVO4中的强度参数、各个能级的振子强度、自发辐射几率、荧光分支比、积分发射截面等参数。强度参数为Ω2 =1 9416× 10 - 2 0 (cm2 ) ,Ω4=0 15 6 8× 10 - 2 0 (cm2 ) ,Ω6=0 396 3× 10 - 2 0 (cm2 )。计算结果表明 ,1 D2 → 3 F4的跃迁几率远大于1 D2 向其他各个能级的跃迁几率     

Tm∶YVO4晶体中Tm3+的发光研究

测量了Tm∶YVO4 晶体的吸收光谱 ,以 34 6nm、36 3nm(1D2 )、475nm(1G4 )、6 98nm (3 F2 ,3 F3 )和 80 1nm(3 H4 )光激发时的发射光谱 ,以及位于 45 4nm (1D2 → 3 F4 )、475nm (1G4 → 3 H6)、6 46nm (1G4 → 3 F4 )、80 6nm(3 H4 →3 H6)的荧光谱线的激发光谱 ,对测量的结果进行了详细分析 ,解释了离子能级间的跃迁过程。提出了Tm∶YVO4 晶体基质与Tm3 + 之间的能量交换的概念和新的跃迁通道 ,证实了存在1D2 +3 H6→1G4 +3 F4 以及1G4 +3 H6→3 H4 +3 H5的能量传递过程 ,还可能存在交叉弛豫过程 1G4 +3 H6→3 F2 +3 F4 。这些过程使得Tm∶YVO4 晶体难以实现1D2 能级上转换发光 (4 5 4nm左右 ) ,但 475nm的上转换发光 (1G4 →3 H6)较强 ,3 F4 能级是潜在红外激光发射能级。     

掺重稀土钒酸钇RE∶YVO4晶体的光谱性质

采用Czochralski法生长了均匀透明的Tm:YVO4, Tm:Er:YVO4和Tm:Yb:YVO4晶体, 测量了其室温下吸收光谱, 研究了晶体中掺杂稀土离子的光谱性质. 根据Judd-Ofelt理论拟合出晶体场唯象强度参数: Ω2=1.13×10-20 cm2, Ω4=1.63×10-20 cm2, Ω6=0.65×10-20cm 2.     

大功率激光二极管抽运Nd：YVO4激光器的特性研究

通过对Ｎｄ：ＹＶＯ４晶体吸收特性的研究,对激光输出功率、斜效率与抽运动率的关系进行了理论分析,发现Ｎｄ：ＹＶＯ４激光器在磊功率激光二极管抽运的条件下,激光斜效率随抽运功率的增加而减小。实验表明,理论结果与实验符合得较好。选用２Ｎｄ＾３＋掺杂的原子数分数为０．５％、通光长度为５ｍｍ的Ｎｄ：ＹＶＯ４晶体,在抽运功率５Ｗ左右时,输功率为３Ｗ左右的,获得了７１．５％的激光斜效率。     

YVO_4晶体及其掺Nd的喇曼光谱

本文报道了对YVO4 晶体及其掺Nd的喇曼光谱的测量结果 ,用这些结果可以了解到这种材料的声子能谱情况 ,在与其它基质材料比较中可以看出它的特点是 :分立的低声子在 5 0 0～ 80 0cm-1之间有一个间隙 ,主要的部分分布在 80 0～ 90 0cm-1附近 ,根据群论分析可以得出各喇曼谱线相应的对称性 ,而且可看出这些喇曼谱线主要来源于VO3 -4 的振动。对这种不均匀分布的声子能谱对于其光谱性能可能产生的影响也作了分析讨论。测量结果还发现掺杂能抑制原有的高能声子。     

激光二极管泵浦Nd∶YVO4/YVO4复合晶体绿光激光器

采用一种新型的Nd∶YVO4/YVO4复合晶体,利用V型折叠腔,研究了高功率激光二极管端面泵浦的Nd∶YVO4/YVO4复合晶体激光器基频1.06 μm及倍频532 nm激光的输出特性.当泵浦功率为24.6 W时,获得1.06 pm激光的最大输出功率为11.7 W,光-光转换效率为48%.当泵浦功率为17 W时,获得了5.32 W的绿光输出,光-光转换效率达到31.3%.     

激光二极管泵浦Nd:YVO4/YVO4复合晶体绿光激光器

采用一种新型的Nd:YVO4/YVO4复合晶体,利用V型折叠腔,研究了高功率激光二极管端面泵浦的Nd:YVO4/YVO4复合晶体激光器基频1.06 μm及倍频532 nm激光的输出特性.当泵浦功率为24.6 W时,获得1.06 μm激光的最大输出功率为11.7 W,光-光转换效率为48%.当泵浦功率为17 W时,获得了5.32 W的绿光输出,光-光转换效率达到31.3%.     

Laser properties of different Nd-doped concentration Nd:YVO4 laser crystals

The laser outputs of 1.26, 0.95, 0.5 and 0.32 at% Nd-doped concentrations in Nd:YVO₄ crystal samples were performed under high pumping power of laser diode. The reason of different Nd-doped concentrations in Nd:YVO₄ crystals influencing on the laser output properties was explained. The intracavity double frequency laser outputs of Nd:YVO₄ crystal at 532 and 671 nm were also performed. Our experimental results show that the optimum Nd-doped concentration in Nd:YVO₄ crystal is about 0.5 at% under a pumping power of 30 W.     

Analysis of ion implanted waveguides formed on Nd:YVO4 crystals

This work reports, for the first time to our knowledge, the formation of planar waveguides in Nd:YVO₄ by either carbon or proton implantation. The waveguides are characterised using the dark mode method and by spectroscopic studies, indicating that there is a reduction of the refractive index at the end of the ion track. Particularly, carbon implantation generates a considerable variation in the guiding region. It is shown that the waveguiding structure preserves the spectroscopic properties of the Nd³⁺ ions, thus maintaining the crystal quality.     

激光二极管端面抽运的1.34μm Nd:YVO4平凹腔型激光器

理论上分析了端面抽运的1.34μm Nd:YVO₄平凹腔型激光器的各项参数；实验 上实现了LD端面抽运的1.34μm Nd:YVO₄平凹腔型激光器的运转. 关键词： 固体激光 4晶体')" href="#">Nd:YVO₄晶体 平凹腔     

Simultaneous Q-switching and Frequency-doubling by a Single KTP Crystal in a Diode-pumped Nd:YVO4 Laser

The interrelation between the phase matching condition for second harmonic generation (SHG) and the electro-optic Q-switching in KTP was numerically analyzed. A diode-pumped Q-switched Nd: YVO4/KTP green laser was reported, where the KTP crystal was simultaneously used as both an electrooptic Q-switcher and a frequency-doubling crystal in type Ⅱ phase matching.Compared with the conventional frequency-doubling and Q-switching configuration, low loss and high efficiency characteristics were realized by using a single KTP crystal. The Q-switched green laser pulse with a peak power of 762 W and a pulse width of 12 ns was obtained with 1 W pump power.     

890 mW Diode Pumped Nd:YVO4 Intracavity-doubled Red Light Laser

A diode-pumped Nd3+:YVO4 emitting at 1342 nm and 671 nm was developed. Low concentration neodymium doped Nd:YVO4 shows excellent stability at 1342 nm. With a type-Ⅱ noncritical phase-matched LBO crystal as the intracavity frequency doubler, 890 mW of 671 nm light was obtained at 11.2 W incident pumping power, the optical-optical conversion efficiency is 7.9%.     

掺Bi钨酸镉单晶体发光特性的研究

用坩埚下降法(Bridgman)生长出了Bi离子掺杂的CdWO₄单晶.测定了晶体不同部位的吸收光谱、发射光谱和X射线电子能谱(XPS).Bi离子的掺入引起CdWO₄晶体的吸收边从345 nm红移到399 nm.在311 nm, 373 nm,808 nm和980 nm光的激发下,分别观测到中心波长为470 nm,528 nm,1078 nm和较弱的1504 nm四个不同发射带.Bi:CdWO₄单晶的XPS谱分别与Bi₂ 关键词： Bi离子 荧光光谱 X射线电子能谱 4单晶')" href="#">CdWO₄单晶     

High power diode single-end-pumped Nd:YVO4 laser

A fiber-coupled diode-single-end-pumped Nd:YVO₄ laser with an Nd:YVO₄ crystal of 0.3 at% doping concentration and 3×3×10 mm³ dimensions was reported. 14.850 W of continuous-wave output power in an M² factor of 1.12 was obtained under pump power of 27.365 W, with an optical conversion efficiency of 60.49%, and a slope efficiency of 64.5%.     

激光二极管端面抽运的1342nmNd：YVO4激光器

报道了用高功率线列阵光纤耦合激光二极管端面抽运的１３４２ｎｍＤｄ：ＹＶＯ４激光器,在１３．３０Ｗ输入抽运功率下,１３４２ｎｍ激光输出功率达到３．２２Ｗ,斜效率为２５．５％。输出功率不稳定度小于１％。     

Nd:YVO4自受激拉曼激光器调Q锁模特性

利用Nd:YVO4激光晶体的自受激拉曼效应,结合Cr:YAG被动锁模技术和倍频技术,实现了结构紧凑的1176 nm和588 nm黄光锁模激光输出。激光器为LD端面泵浦,三镜折叠腔结构,并且采用了透过率为10%的输出镜。Nd:YVO4晶体长度为10 mm,Nd3+离子掺杂质量分数为0.2%,Cr:YAG晶体的初始透过率为67%。10 W激光泵浦时,1176 nm激光平均输出功率为123 mW,调Q包络宽度为6 ns,调Q包络内的锁模脉冲重复频率高达1 GHz。588.2 nm 黄光的平均输出功率为8 mW。     

半导体激光泵浦的Nd:YVO4激光器的1.064 μm高效率连续输出

报道了半导体激光端面泵浦的Nd:YVO4激光器获得线偏振的1.064 μｍ激光高效率连续稳定输出。在半导体激光功率为1.5 W时，获得连续输出功率为837 kW的TEM00模，激光器泵浦阈值功率为140 kW，斜率效率达61.5％，光-光转换效率达56％，电-光转换效率达15％。