Zn∶Er∶LiNbO_3单晶的坩埚下降法生长及光谱特性

报道了Zn∶Er∶LiNbO3单晶的坩埚下降法生长工艺。通过控制晶体生长固液界面的温度梯度(30~35℃.cm-1)、晶体的生长速度(0.8~1.5 mm.h-1)、密闭Pt坩埚等条件生长了宏观无缺陷的Zn2+(3%)和Er3+(0.6%)共掺的LiNbO3单晶。用X射线衍射(XRD)和差热分析(DTA)表征了获得的晶体,并测量了晶体不同部位的吸收光谱和荧光谱。从吸收光谱以及由XRD数据计算所得的晶胞参数推断,沿生长方向Er3+在晶体中的浓度分布逐步减少。光谱数据表明,晶体底部样品的吸收强度和荧光强度要比顶部大,而对应于Er3+上能级4S3/2和2H11/2跃迁至基态4I15/2的绿光发射,晶体底部却比顶部表现出更高的上转换效率。从晶体的内部结构、缺陷情况以及Er3+的分凝现象解释了产生上述现象的内在机制。     

邻苯二甲酸钙的热分解反应研究

用热重和示差扫描量热分析法研究了-水合邻苯二甲酸钙的热分解过程。其热分解过程分为三个阶段: 在160~260℃脱水生成无水盐; 在460~780℃分解生成CaCO~3.C; 在780~900℃生成CaO和CO。用粉未X射线衍射、红外光谱和色-质联用分析法表征了各阶段热分解产物的组成和结构。讨论了热分解产物的自由基反应机理。     

Zn:Er:LiNbO3单晶的坩埚下降法生长及光谱特性

报道了ZnErLiNbO3单晶的坩埚下降法生长工艺. 通过控制晶体生长固液界面的温度梯度(30～35 ℃·cm-1)、晶体的生长速度(0.8～1.5 mm·h-1)、密闭Pt坩埚等条件生长了宏观无缺陷的Zn2+(3%)和Er3+(0.6%)共掺的LiNbO3单晶. 用X射线衍射(XRD)和差热分析(DTA)表征了获得的晶体, 并测量了晶体不同部位的吸收光谱和荧光谱. 从吸收光谱以及由XRD数据计算所得的晶胞参数推断, 沿生长方向Er3+在晶体中的浓度分布逐步减少. 光谱数据表明, 晶体底部样品的吸收强度和荧光强度要比顶部大, 而对应于Er3+上能级4S3/2和2H11/2跃迁至基态4I15/2的绿光发射, 晶体底部却比顶部表现出更高的上转换效率. 从晶体的内部结构、缺陷情况以及Er3+的分凝现象解释了产生上述现象的内在机制.     

Eu2+掺杂KCaCl3晶体的生长及发光性能

通过坩埚下降法生长出不同物质的量分数Eu²⁺掺杂的KCa_1-xEu_xCl₃(x=0.005、0.01、0.02、0.03、0.05)单晶,并对晶体进行了X射线粉末衍射、热重、透过率、光致发光光谱、衰减时间、X射线激发发射光谱等测定。通过相图及结构分析,判断出该晶体为一致熔融化合物,并得出其为正交结构,晶胞参数为a=0.75604 nm,b=1.04823 nm,c=0.72657 nm,空间群为Pnma(62)。在紫外光的激发下,晶体在434 nm左右有一个宽的发射峰,对应于Eu²⁺的4f⁶5d¹→4f⁷跃迁;光致衰减时间1.473μs,晶体在X射线激发下的发光强度随Eu²⁺离子浓度增加而增强。     

碱金属硒化物MHgSbSe~3(M=K,Rb, Cs)的晶体结构及其半导体性 质的研究

用有机溶剂热生长技术(SolvothermalTechnique)制备碱金属硒化物MHgSbSe~3(M=K,Rb,Cs),用单晶X射线衍射技术对其进行晶体结构分析,热分析结果表明,在常温(<200℃)下均为稳定的化合物。光学性质测试表明它们是半导体材料,KHgSbSe~3,RbHgSbSe~3,CsHgSbSe~3的禁带宽度依次为1.85eV,1.75eV,1.65eV。     

以有机溶剂热生长技术制备金属硫族化合物 [Mn(en)~3]PdSe~2及其晶体结构分 析

以有机溶剂热生长技术(solvothermaltechnique),即在180℃乙二胺(en)溶液中,以MnCl~3,PdCl~2,K~2Se在密闭容器中反应7d,制备出新的硫族化合物[Mn(en)~3]PdSe~2,其阴离子基团为[PdSe~2]^2^-,阳离子基团为过渡金属Mn与乙二胺(en)的配合物：[Mn(en)~3]^2^+。以单晶X射线衍射技术解得该晶体结构属正交晶系,空间群为Pbcn,[Mn(en)~3]PdSe~2(Ⅰ)的晶胞数据：a=1.1484(2),b=1.5057(3),c=0.93622(19)nm,Z=4。     

四氯·两个二(2-乙基已基)硫醚合铂(IV)配合物的合成及其分子结构

用萃取法合成了[Pt(DEHS)_2Cl_4],对配合物进行了元素分析,摩尔电导,差热一热重和红外光谱等测试并经X射线单晶结构分析确定了配合物的结构。     

邻香兰素L-甲硫氨酸Schiff碱二吡啶合锌(Ⅱ)配合物的合成、晶体结构和热分解动力学

X射线单晶结构分析结果表明: 标题化合物晶体-ZnVAL C~2~8H~3~0N~4O~4SZn属正交晶系, 空间群P2~12~12~1, a=0.9259(2), b=1.4409(4), c=2.1046(8)nm, Z=4,最终因子Rw=0.080。利用热重分析对配合物第一步热分解过程进行了非等温动力学研究, 探讨了反应的可能机理。得到了其相应的动力学参数以及非等温动力学方程。     

单晶CaSO4纳米管的制备--非片状结构化合物形成纳米管的新途径

以Ti-O-Ti油酸偶合体作为结构引导生长剂, 采用溶剂热技术成功地制备了单晶无水硫酸钙纳米管, 并通过XRD、 X射线能谱(EDX)、 TEM、选区电子衍射(CBED)对CaSO4纳米管进行了表征. 其晶格常数与JCPDS标准卡单斜相CaSO4晶体数值一致, 属P(3)m1(164)空间群. 纳米管呈均匀的直管形, 直径约为30 nm, 内径约为10 nm, 长度达到3.0 μm. 并对硫酸钙纳米管的形成机理进行了浅析, 提出了非片状结构的离子晶体, 通过结构引导生长剂诱导生长成为片状结构, 在溶剂热条件下弯曲、旋转、卷拢形成纳米管的新方法.     

水氯镁石气固反应制备无水氯化镁

用盐湖水氯镁石在氮气保护下135℃脱水2h成低水合水氯镁石。低水合水氯镁石与固体氯化铵按质量比1:6.5混合,高温下使反应体系中NH3的分压达49.6KPa以上,在440℃脱水18分钟和710℃煅烧12分钟成无水氯化镁。分析结果表明:制得的无水氯化镁中氧化镁的质量分数为小于0.15%。X射线衍射和电镜扫描图证明,制得的无水氯化镁无杂相,颗粒大而均匀,分散性好,适合于电解制备金属镁。方法简单,生产成本低,固体氯化铵可以回收循环使用。