硫化硅橡胶复合台面纯化工艺

1.硫化硅橡胶复合台面钝化工艺简介 (1) 管芯径台面腐蚀成型后,用冷热去离水冲洗、烘干;插入花篮,放入空烧杯中,再用干净滤纸封盖好,在滤纸上滴适量的三氯甲基硅烷,然后放入潮湿环境的烘箱内(80℃)焙烘2小时,使三氯甲基硅烷与潮湿环境中的微量水分子进行水解反应在管芯台面上沉积一层有机硅。     

多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT

研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT器件,其性能为:β=60@VCE/IC=9V/300μA,β=100@5V/50mA,BVCBO=22V,ft/fmax=5.4GHz/7.7GHz@10指,3V/10mA.多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻,与CMOS工艺兼容且(因多晶发射极)无需发射极外延层的生长,这些优点使其适合于商业化生产.利用60指和120指的SiGe HBT制作了微波锗硅功率放大器.60指功放在900MHz和3.5V/0.2A偏置时在1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE＝22dBm/11dB/26.1%.120指功放900MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE＝33.3dBm (2.1W)/10.3dB/33.9%@11V/0.52A.     

高压台面功率晶体管的工艺分析

本文给出了高压台面功率晶体管工艺分析,不仅为器件的工艺设计提供了依据,而且明确地指出了影响器件制造成品率的主要因素。     

多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT

研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE50 0 ,并生长了器件级SiGeHBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT器件,其性能为:β=60 @VCE/IC=9V/ 30 0 μA ,β=1 0 0 @5V/ 50mA ,BVCBO=2 2V ,ft/ fmax=5 4GHz/ 7 7GHz @1 0指,3V/ 1 0mA .多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻,与CMOS工艺兼容且(因多晶发射极)无需发射极外延层的生长,这些优点使其适合于商业化生产.利用60指和1 2 0指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器.60指功放在90 0MHz和3 5V/ 0 2A偏置时在1dB压缩     

InSb红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究

传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性的特点,象元钻蚀严重,导致器件占空比下降,限制了锑化铟大面阵红外焦平面的发展。基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以BCl3/Ar为刻蚀气体,研究了不同气体配比、工作压力、RF功率对刻蚀效果的影响,获得了适用于锑化铟焦平面制备工艺的干法刻蚀技术。     

台面型焊盘的引线键合工艺研究

引线键合工艺是微电子封装的基础工艺,广泛应用于军品和民品芯片的封装。特殊结构焊盘的引线键合失效问题是键合工艺研究的重要方向。文章主要针对台面型焊盘,从热压键合、超声键合、热超声键合原理进行了分析,对台面型焊盘的工艺适应性给出了建议。使用热超声键合工艺进行台面型焊盘的引线键合需要尽可能降低超声功率,避免键合焊盘的机械损伤,并通过平衡其他各变量保证键合点的强度。侧重于热超声键合工艺的应用,分析台面型焊盘与热超声键合过程相关的失效现象,通过样件及小批量试制,对工艺参数进行了优化验证,针对故障件统计分类给出了相应的解决途径。     

塑封高压硅堆台面化蚀工艺浅探

TV用塑封高压硅堆因具有体积小、性能稳定、价格经济一系列优点而应用广泛.它是彩电国产化中关键的半导体器件,而化蚀工艺直接影响该产品的质量,掌握好化蚀工艺,才能造出高水平的产品.如何控制好硅堆的台面形状,提高化蚀质量是工艺人员碰到的实际问题.在工作中,遇到一些异常现象.现与同志们探讨如下:TV用塑封高压硅堆管芯一般采用如图1所示方法形成.→烧叠片→分割管芯→焊引线→化蚀→表面保护→图1化蚀前管芯结构如图2     

台面钝化工艺

大多数半导体器件和单片集成电路系采用平面工艺制做。台式器件比平面器件有许多优点,且可获得平面工艺所不能得到的特殊性能。然而,台式技术产生无掩蔽的结,且无实用的钝化方法予以完全保护。一种新的工艺结合了台式和平面工艺,即氮化硅(Si_3N_4)掩蔽、热氧化、扩散后形成台面的工艺称为 SIMTOP。工艺过程基本如下:Si_3N_4薄层淀积到硅片上。利用光刻和适当的腐触剂腐触 Si_3N_4以形成所希望的几何形状。然后腐蚀硅以形成台面。如果硅材料是〈100〉     

单台面二极管晶圆红外激光划片工艺研究

在单台面二极管晶圆的制备中,刀具划片存在速度慢、芯片崩边率高等问题。激光划片为非接触加工,成品率高。根据晶体硅的性质,对激光划片方向进行了讨论,分析了红外激光对硅片的作用机理。根据一维热传导方程导出的近似解析解,计算了功率和扫描速度影响下的去除深度。使用1064 nm脉冲光纤激光器完成了7.62 cm晶圆的激光划片,获得了崩边率小于1%,电性能合格率达到100%的样品。研究表明,去除深度影响芯片的崩边率,离焦量影响芯片的电性能。控制去除深度和离焦量进行划片会获得很高的良品率。     

InAs/GaSb超晶格探测器台面工艺研究

InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀。研究了三种等离子刻蚀气体(Cl2基, Ar基和CH4基)对超晶格的刻蚀效果,SEM结果表明,CH4基组分能够得到更加平整的表面形貌和更少的腐蚀坑;之后采用湿法腐蚀工艺,用于消除干法刻蚀带来的刻蚀损伤,分别研究了酒石酸系和磷酸系两种腐蚀溶液的去损伤效果,结果表明,磷酸系腐蚀液的去损伤效果更好,且腐蚀速率更加稳定。采用优化的台面工艺制备了InAs/GaSb SLs探测器,其I- V特性曲线表明二极管具有较低的暗电流,其77 K时动态阻抗R0A =1.98×104Ωcm2。     

硅薄膜双台面拉通型雪崩光电二极管

千兆毕特·秒范围的光传输系统对雪崩光电二极管的要求是1.有限的雪崩区能给出快速响应;2.极低的偏压下能有高的量子效率;3.随信号电平增加要有极低的增益限制。硅拉通型雪崩光电二极管(n~ PπP~ )能较好地满足这些要求。此结构示意于图1。为     

InAs/GaSb超晶格探测器台面工艺研究

InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀.研究了三种等离子刻蚀气体(Cl2基, Ar基和CH4基)对超晶格的刻蚀效果,SEM结果表明,CH4基组分能够得到更加平整的表面形貌和更少的腐蚀坑;之后采用湿法腐蚀工艺,用于消除干法刻蚀带来的刻蚀损伤,分别研究了酒石酸系和磷酸系两种腐蚀溶液的去损伤效果,结果表明,磷酸系腐蚀液的去损伤效果更好,且腐蚀速率更加稳定.采用优化的台面工艺制备了InAs/GaSb SLs探测器,其I-V特性曲线表明二极管具有较低的暗电流,其77 K时动态阻抗R0A =1.98104 cm2.     

台面激光核聚变

上世纪八九十年代发展出的超强、超短脉冲激光器在研究激光与物质的相互作用中引起一场革命，这种激光器所用的啁啾脉冲放大(CPA)现在经常用来产生脉宽为几十飞秒、峰值功率多太瓦(10^12)的激光脉冲。将光束聚焦几微米的光斑时，其激光强度达到10^20W／cm^2以上。更令人注目的是．最新一种激光器可以产生极高的宽度，但其尺寸很小．放在台面即可.     

基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备

对基于斜台面工艺的背照式pin型GaN紫外雪崩探测器制备进行了简要介绍.通过斜台面制作工艺的对比优化研究,完成了GaN紫外雪崩探测器的低损伤斜台面制作,器件测试结果表明,高质量斜台面能够有效抑制雪崩探测器的表面提前击穿,器件暗电流特性优良,获得了超高雪崩增益的GaN紫外雪崩探测器.     

TMAH湿法腐蚀工艺制备微台面结构北大核心

针对目前四甲基氢氧化铵（TMAH）湿法腐蚀工艺制备微台面结构工艺可控性差、需要添加添加剂、溶液使用周期短及工艺维护繁琐、无法实现大尺寸晶圆工程化应用等问题,研究了无添加剂时,微台面的腐蚀形貌与TMAH溶液质量分数和循环速率之间的关系,提升了大尺寸晶圆凸角腐蚀尺寸的均匀性及表面质量,6英寸（1英寸=2.54 cm）硅晶圆内,凸角腐蚀尺寸不均匀性小于5%,台面高度不均匀性小于3%,且腔体底部平整光亮,腐蚀速率较快,实现了工程化应用。当TMAH溶液pH值为12.2-12.6时,微台面结构制备工艺稳定可控、维护简单,实现了高质量微台面结构的可批量化生产。     

台面型激光器

一种正在发展的台面型激光器技术将用来生长两维激光列阵。其结构是生长在一种III-V族晶体基质上的,并已成功地建成了激光共振器。制备的方法是将一层氧化物涂在基质上,并于其上侵蚀一个菱形洞,这样,边缘就落在每一个111平面上。然后用原来的掩模对基质作外延生长,填满洞时形成111边缘平面。     

基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备

为了获得高功率高光束质量激光输出,设计并制备了一种780nm波段5发光单元列阵器件,其采用10μm宽窄条形波导,各发光单元中心间距为100μm,填充因子仅为10%。在准连续注入电流由1.2A增加到2.5A条件下,该器件的输出光束侧向光学参量积由0.666mm·mrad增加至0.782mm·mrad。注入电流为2.5A时,该器件实现了单边准连续506mW的高光束质量激光输出。 更多还原     

台面型自对准结构AlGaAs/GaAs HBT的工艺研究

本文提出了一种台面型全自对准结构AlGaAs/GaAs HBT的制造方案,对其中的欧姆接触金属系统的制备.AlGaAs/GaAs材料的选择性腐蚀及聚酰亚胺的反应离子刻蚀终点监控等关键工艺技术进行了研究。并给出了应用该工艺研制的HBT器件的初步结果.     

台面型自对准结构AlGaAa／GaAs HBT的工艺研究

本文提出了一种台面型全自对准结构ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的制造方案，对其中的欧姆接触金属系统的制备，ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ材料的选择性腐蚀及聚酰亚胺的反应离子刻蚀终点监控等关键工艺技术进行了研究，并给出了应用该工艺研制的ＨＢＴ器件的初步结果。