非晶态超导体的2△_0/(k_BT_c)和声子谱参量

提出了能够很好地描述非过渡金属无序和非晶态超导体的2Δ_0/(k_BT_c)与声子谱参量之间关系的一个公式: 2Δ_0(k_BT_c=4.95[1-T_0<ω>~(1/2)/A(1/λω_0 1/20λ<ω> 1/20<ω>)]。计算了大量已知声子谱的非晶和无序超导体的能隙2Δ_0对T_c的比,结果表明在百分之几的范围内与实验值符合。指出了非过渡金属和合金的非晶态超导体,既可以是一个2Δ_0/(k_BT_c)值远大于BCS理论值(3.53)的强耦合超导体,也可以是一个2Δ_0/(k_BT_c)值比BCS理论值还要小得多的弱耦合超导体。     

非晶态超导体的Tc,2△0／kBTc和声子谱参量

分析研究了非过渡金属非晶态超导体的超导参量 T_c、2△_0 和声子谱参量λ、<ω>、<ω~2>与霍耳系数 R_H 之间,以及 T_c 与声子谱参量ω_0 和<ω>/ω_c 之间的关系,发现,在 R_H=-3.5—-4.0×10~(-11)m~3/AS 范围内同时存在着上述超导和声子谱参量的最大值;具有高ω_0 的材料对获得高 T_c 非晶态超导体有利;非晶态超导体的 T_c 与点阵无序度(<ω>/ω_0)近似地成线性关系.在上述结果的基础上,分别提出了一个非晶态超导体的 T_c 公式T_c=Aλ<ω>~(1/2)/(<ω>/ω_0+(1+λ)/20)和一个2△_r/k_BT_c 公式2△_0/k_BT_c=4.95[1-T_c<ω>_(1/2)/A(1/λω_0+1/20<ω>+1/20<ω>)]按照所提出的公式,第一次指出了,非过渡金属非晶态超导体既可以是一个2△_0/k_BT_c 比BCS 理值大得多的典型的强耦合超导体,也可以是一个 2△_0/k_BT_c 比 BCS 理值还要小得多的甚弱耦合超导体.当然,也可以是一个 2△_0/k_BT_c 值与 BCS 理论基本一致的弱耦合超导体.解释了结晶态弱耦合超导体的2△_0/k_BT_c 测量值偏离于 BCS 理论的原.     

CaAs(100)的(NH4)2Sx和P2S5/(NH4)2Sx表面钝化

利用光致发光谱、X射线光电子谱和俄歇电子谱等技术研究了(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_5化学钝化GaAs(100)表面.结果表明,(NH_4)_2S_x中S钝化可以完全去除GaAs表面的氧化物.P_2S_5/(NH_4)_2S_x中P_2S_5对降低G_2A_5表面态密度,提高光致发光强度是有效的.钝化表面P氧化物存在对防止GaAs表面初期氧化起重要作用. 关键词：     

Tuning X/(TiO2)x–(SiO2)100 – x (0 < x < 40) xerogel photocatalysts

Microporous (TiO₂) _x –(SiO₂)_{100 − x} (0 < x < 40) xerogels have been produced by sol–gel methods either by partial pre-hydrolysis or reflux of tetraethoxysilane and titanium isopropoxide. These have been characterised by ²⁹Si nuclear magnetic resonance, X-ray diffraction, EXAFS at the Ti–K edge, X-ray photoelectron spectroscopy, temperature-programmed reduction, FT infrared, N₂ adsorption at 78 K (BET), transmission electron microscopy and dynamic light scattering (DLS). These were dip coated onto fused silica and characterised by atomic force microscopy and UV–visible absorption. Their photoactivity in removal of alkylphenol ethoxylate TX100 from water was less than for less porous titania. The advantages of including thermally removable PEG or PPG templates in terms of increasing surface, meso-porosity and photon absorbance at visible wavelengths to give nanoengineered photocatalytic films are described.     

VO分子2△3/2—12△3/2电子跃迁P线系发射谱线的研究

本文利用孙卫国课题组建立的能精确计算(预言)某双原子分子电子态P线系发射谱线的物理新公式,首次研究了VO分子从电子态~2△3/2跃迁到电子态1~2△3/2的(0,0)跃迁带中的P线系发射谱线.获得的研究结果不仅重复了实验上己知的低转动态谱线数据,而且还正确预言了该跃迁带在实验上难以精确测量的转动量子数J=80.5以内的高振转激发态的P线系发射光谱.为研究VO分子内部结构提供了重要的物理信息.     

Mg2(BH4)2(NH2)2脱氢机理的理论研究

对Mg₂(BH₄)₂(NH₂)₂的脱氢机理展开系统的理论研究发现相对于分子内的脱氢过程,分子间的脱氢过程在热力学和动力学方面都是比较有利的. Mg₂(BH₄)₂(NH₂)₂脱氢过程的第一步是BH₄^-中的B-H^δ-和NH2-中     

应变超晶格(ZnS)1/(ZnSe)1的光学性质

用linear mufin tin orbital能带方法，计算Si衬底上（ZnS）_n/（ZnSe）_n（001）超晶格的能带结构，计算中采用外加调整势进行带隙修正．在得到较准确的能带结构和波函数的基础上，计算该超晶格系统的光学介电函数虚部ε₂（ω）．结果表明，该超晶格系统的光学性质结合了ZnS和ZnSe体材料光学性质的特点，在相当宽的能量范围内有较好的光谱响应．并且该超晶格系统是直接带隙材料，在光电器件应用中有很大潜力． 关键词：     

二氧化硫(S02)之光谱

此文目的在报告二氧化硫气体分子之吸收光谱及发射光谱(emissionspeetrun)之研究光谱区域约在2000A与2600A间有一新组发射光带(band)发现。数约百五十在吸收光带中有百分之四十之光带与此发射光带附合。在Lotmar先生之弗光光谱(fluorescentspeetrum)中,有百分之五十之光带与此发射光带附合并此所得之发射光带之结构与SO之光带显有区别,令人设信此发射光带为SO_2分子所发者。在另一方面,找到证据,所得之发射光带亦非0_2,O_2~+及S_2诸分子之光谱为求更进一步之证实,试以SO_2之三基本振动数(fundamentalfrequency)1150,525及1360cm~(-1)为能力阶梯之差而作一常态(normalstate)下之能力阶梯。再用750,350cm~(-1)(或1110亦用)为分子在激态(excitedstate)时之振动数,而作一激态下之能力阶梯所得之能力图(energydiagram)可说明吸收光带之70%,发射光带之70%及弗光光带之一小部份,此能力图并不完全,故不能望其为最终者。以三原子分子情形复杂,完全正确之分析,尚有待焉。之能力唯协所得之能力圆山。。。,。w山。…。。。。\可。Z5t叫吸收几卅之70九传时光排上7,％及比儿儿卅上一个部份此能力闲伙不正全;故个能望ICiX侦相许nt原一户外广似形应输,完全正雕之分析。尚有待焉。     

(InAs)1/(GaSb)1超晶格纳米线第一原理研究

半导体纳米线作为纳米器件的作用区和连接部分具有理想的形状, 把电子运动和原子周期性限制在一维结构当中.通过体材料的已知特性, 有效地选择材料组分使纳米线的低维结构优点更加突出.此外, 还可以通过其他方式来调整纳米线特性, 如控制纳米线直径、晶体学生长方向、结构相、表面晶体学晶面和饱和 度等内部或固有的特性;施加电场、磁场、热场和力场等外部影响. 体材料InAs和GaSb的晶格常数非常相近, 因此InAs/GaSb异质结构晶格失配很小, 可生长成为优良的红外光电子材料.另外, 体材料InAs在二元III---V化合物半导体中具有最低的有效质量, 这使得电子限制在InAs层的InAs/GaSb超晶格具有良好的输运特性. 本文通过第一原理计算研究轴线沿[001]和[111]闪锌矿晶体学方向的 (InAs)₁/(GaSb)₁超晶格纳米线(下标表示分子或双原子单层的数量) 的结构、电子和力学特性, 以及它们随纳米线直径(线径约为0.5---2.0 nm)的变化规律.另外, 分析了外部施加的应力对电子特性的影响, 考察了不同线径(InAs)₁/(GaSb)₁超晶格纳米线的电子带边能级随轴向应变的变化, 从而确定超晶格电子能带的带边变形势.     

T*相超导体(Bi,Sr)2(Y,Ce)2Cu2Oy的性质研究

研究了T^*相超导体（Bi，Sr）₂（Y，Ce）₂Cu₂O_y的成相规律，发现缓冷对T^*相单相样品的制备是有利的．淬火样品的主相物质为Ce₂Y₂O₇，完全不含T^*相结构．在室温到熔化温度的范围，热分析未观察到结构相变．在240—460℃，相对每个Cu原子超导体失氧约0.1个氧．氧气中烧结并缓冷到室温的样品在30K出现零电阻现象 关键词：     

(InAs)1/(GaSb)1超晶格原子链的第一原理研究

利用第一原理平面波赝势法, 对(InAs)₁/(GaSb)₁超晶格原子链的原子结构、力学特性、电子能带结构、 声子结构和光学特性进行研究, 并结合密度泛函理论数值原子轨道赝势法和非平衡格林函数法计算量子输运特性. 与二维层结构的(InAs)₁/(GaSb)₁超晶格相比, (InAs)₁/(GaSb)₁超晶格原子链的能带结构有明显不同, 在某些情况下表现为金属能带特性. 对理想条件下(InAs)₁/(GaSb)₁ 超晶格原子链的力学强度计算表明, 该结构可承受的应变高达 ε=0.19. 通过对声子结构的完整布里渊区分析, 研究了(InAs)₁/(GaSb)₁超晶格原子链的结构稳定性. 对两端接触电极为Al纳米线的InAs/GaSb超晶格原子链的电子输运特性计算表明, 电导随链长和应变的改变而发生非单调变化.光吸收谱的计算结果表现出在红外波段具有陡峭吸收边, 截止波长随超晶格原子链的结构而变化.预计InAs/GaSb超晶格原子链可应用于红外光电子纳米器件, 通过改变超晶格原子链的结构来调节光电响应波段.     

(BiFeO3)25/(La0.7Sr0.3MnO3)25 多层膜的光学和电学性质

采用射频磁控溅射方法在(001)SrTiO₃衬底上制备(001)取向的(BiFeO₃)₂₅/(La_0.7Sr_0.3MnO₃)₂₅多层膜.光学测试结果表明,1.3-2.1 eV范围内,相对于衬底而言多层膜光吸收增强; BiFeO₃的带隙为2.7 eV. 另外,结合绝缘介质导电模型分析了所测得的电流-电压数据,在所测试的温度及电压下,所制备的(BiFeO₃)₂₅/(La_0.7Sr_0.3MnO₃)₂₅多层膜的导电机理由空间电荷限制电导主导. 关键词： 多层膜 吸光度 空间电荷限制电导     

Observation of simultaneous ν1(SF6) + ν3(NF3) and ν2(SF6) + ν3(NF3) transitions enhanced by the resonance dipole-dipole interaction with the ν1 + ν3 and ν2 + ν3 states of the SF6 molecule

IR spectra of the solution of SF₆ molecules in liquid NF₃ at 84 K have been recorded. In a solvent transmission window of 1500–1750 cm⁻¹, two wide absorption bands with pronounced peaks in the high-frequency part are observed. The profile of these bands is explained by the influence of the resonance dipole-dipole (RDD) interaction of the states of the simultaneous transition ν₁(SF₆) + ν₃(NF₃) and ν₂(SF₆) + ν₃(NF₃) with the states (ν₁ + ν₃) and (ν₂ + ν₃) of the SF₆ molecules, respectively. The use of three isotopic modifications ³²SF₆, ³³SF₆, and ³⁴SF₆ has allowed us to vary the resonance detuning and thus to change the strength of the RDD interaction. With the liquid near the melting point being represented as a close-packed cubic crystal, the profile was calculated and its spectral characteristics were determined. The frequencies of the main peaks coincide with the experimental values accurate to the error.     

Li2K(IO3)3与Li2NH4(IO3)3的晶体结构

本文用X射线粉末法测定了Li₂K(IO₃)₃与Li₂NH₄(IO₃)₃的晶体结构和原子参数。发现Li₃K(IO₃)₃,Li₂NH₄(IO₃)₃与Li₂Rb(IO₃)₃同晶型,属单斜晶系,空间群为P2₁/α,每个单胞含有四个化合式量。室温的点阵常数分别为α=11.198?,b=11.046?,c=8.254?,β=111.53°,及α=11.327?,b=11.078?,c=8.341?,β=111.87°。讨论了二元化合物的形成与离子半径的关系。 关键词：     

Crystal field study and magnetic properties of [TbCu6(μ3OH)3(HL)2(L)4](ClO4)2·25H2O (H2L=imino-diacetic acid)

A crystal field (CF) investigation of the magnetic properties of [TbCu₆(μ₃-OH)₃(HL)₂(L)₄](ClO₄)₂·25H₂O (H₂L=imino-diacetic acid) has been carried out. An enhancement of the average magnetic susceptibility (defined by =(χ_||+2χ_⊥)/3, where χ_|| and χ_⊥ are the magnetic susceptibilities parallel and perpendicular to the symmetrical axis of the cluster) with respect to the Tb³⁺ free ion value has been noticed and is attributed to the Tb-Cu interaction. The CF parameters obtained for the system for the first time have been exploited to find the Stark splitting of the ⁷F manifold of Tb³⁺, paramagnetic resonance g-values, and the heat capacity. Two anomalies are obtained in the heat capacity at 40 and 5 K; the peak values are 3.1 and 5.98 J mol⁻¹ K⁻¹, respectively.     

掺杂比对CdGe(As11-xPx)2倍频与参量振荡的影响

 在相位匹配和可接受掺杂比理论的基础上，针对CdGe((As1_1-xP_x)₂晶体，研究了掺杂比对频率转换的影响。依据Sellmeier方程得到了倍频和Ho³⁺:YLF与Cr:Er:YSGG激光器泵浦光学参量振荡的相位匹配调谐曲线，并给出了不同掺杂下的可接受掺杂比。结果表明：掺杂晶体可实现2~9 μm范围内非临界相位匹配的倍频和2~18 μm的参量光产生；随着掺杂比的增大，可接受掺杂比近似线性减小，并随着波长改变展现出了不同变化趋势。     

H3PAuPh与(H3PAu)2(1,4-C6H4)2光谱性质的密度泛函研究

用密度泛函(DFT)方法优化了配合物H₃PAuPh(a),(H₃PAu)₂(1,4-C₆H₄)₂(b)的基态的几何结构,并用含时密度泛函方法计算了它们的吸收光谱.结果表明配合物a与 b的最低能量吸收谱线的波长分别为257.5 nm和307.6 nm,皆具有C(2p)→Au(6p)电荷转移参与下的p_π 关键词： 激发态 光谱 密度泛函 3')" href="#">AuPH₃     

Ba10(PO4)4(SiO4)2∶Eu2+荧光体的光谱特性

采用高温固相法合成了荧光体Ba₁₀（PO₄）₄（SiO₄）₂：Ce³⁺和Ba₁₀（PO₄）₄（SiO₄）₂：Eu²⁺,研究了两种荧光体的光谱特性。结果表明,两者都呈现较强的宽带激发特征。根据同种基质中Eu²⁺和Ce³⁺两种离子光谱特征的相关性,通过测得的Ba₁₀（PO₄）₂（SiO₄）₂基质中Ce³⁺的光谱数据估算了Ba₁₀（PO₄）₂（SiO₄）₂：Eu²⁺中Eu²⁺的斯托克斯位移（ΔS）和激发能量,估算结果与Ba₁₀（PO₄）₂（SiO₄）₂：Eu²⁺样品的光谱分析结果十分吻合。Ba₁₀（PO₄）₂（SiO₄）₂：Eu²⁺可以同时被紫光和蓝光激发,发出偏白的绿光,可用作白光LED的荧光粉。     

Ll2超导体的Tc表达式

通过对L1₂超导体的研究,我们得出了这类超导体临界温度的表达式T_c=(15.9T_BV(B)G_A)/(M^1/2V(L1₂)G_B)。其中T_B是B组元的超导转变温度,V(B)是B组元的原子体积,V(L1₂)为L1₂化合物的平均原子体积,M是L1₂化合物的平均原子量,G_A,G_B分别为A组元、B组元的Gordy电负性值。 关键词：     

准一维有机超导体(TMTSF)2ClO4的高精度温差电动势研究

测量了准一维有机超导体(TMTSF)2ClO4单晶a方向不同降温速率下的高精度温差电动势(6—280K).高温下的温差电动势表现出线性行为，不能被正常的一维电子能带理论所解释.在240K左右观察到温差电动势斜率发生反常突变.在140K左右温差电动势向下逐渐偏离线性行为，这与1D—2D的维度渡越相关.对阴离子有序—无序相变温度Ta（Ta=24K）附近的温差电动势结果与比热和电阻率的数据进行了比较.对于极慢速降温的温差电动势，求导后可以看到相变的痕迹.随着通过Ta降温速率的增大，在Ta之下的温差电动势数值出现了一个逐渐增大的整体抬高.对此进行了讨论. 关键词： 低维体系 输运性质 温差电动势