多通道半导体激光器温控系统

研制了一种板级多通道半导体激光器温控系统,将其应用于混合气体检测中可实现同时对多个半导体激光器温度的控制.该系统硬件上由多通道温度采集模块、数字信号处理器模块、半导体制冷器(TEC)和TEC控制模块组成.软件上采用时间片轮转调度算法和积分分离式数字比例积分微分算法,实现了对多个半导体激光器温度的实时、精确控制.为了测试系统的性能,利用该系统同时控制中心波长为1.65μm和1.56μm的可调谐分布反馈激光器的温度,进行了温度控制实验并测试了两个激光器的发光光谱.实验结果表明,该系统可以实现对两个激光器温度的同时控制,温控精度为-0.011~0.015℃,响应时间小于3s.对温控系统的工作稳定性进行了测试,两个激光器连续工作6h,其工作温度保持恒定.连续10h测试两个激光器的输出光谱,输出波长的峰值未出现偏移.该温控系统体积小、成本低、便于集成且稳定可靠,在混合气体检测中有良好的应用前景.     

通信用大功率半导体激光器的温控系统

主要叙述通信用大功率半导体激光器曙控原理及激光组件的构成。解决了大功率半导体激光器工程应用中输出功率和波长随温度变化较大的问题。     

半导体激光器温控电路分析与测试

阐述了半导体热电致冷器(TEC)的基本工作原理,分析了TEC线性驱动和PWM驱动的原理以及采用PWM驱动的优点,介绍了PID温度补偿控制的原理,并设计了实验.采用相同的测试条件,对MAX1978、ADN8830和线性功率管进行了性能测试,实验数据表明温度控制电路采用PWM驱动功耗更小,全温(-40～60℃)控制效果更好.     

用于气体检测的近红外半导体激光器温控系统

为了降低软件设计复杂度并提高分布反馈激光器发光波长的控制准确度及稳定性,设计了一种用于气体检测的半导体激光器温度控制系统,它由数字信号处理器、温度设定电路、温度采集电路、模拟比例-积分-微分电路、半导体制冷器控制电路等模块构成.利用该系统对用于水汽检测、中心波长为1 860nm的可调谐分布反馈激光器做了驱动实验,结果表明:该系统的有效控温范围为10℃~50℃,控温准确度为±0.05℃,温度稳定时间小于60s;改变温控系统的驱动电流和设定温度,测得的激光器工作波长呈现出良好的调谐特性;连续4天测得的4条光谱曲线几乎重合,表明该系统具有良好的稳定性.     

半导体激光器

TN248.4 2004031745半导体激光器后腔面高反射涂层的研究=Study of structure of high reflecting coating for semiconductor laser rearfacet[刊,中]/吴根柱(中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室.上海(200050)),齐鸣…∥功能材料与器件学报.—2003,9(3).—343-346 采用金属银(Ag)作为高反射镀膜材料,ZrO_2介质膜     

半导体激光器

Uniphase公司研制的3502型半导体激光器系统可输出670nm的圆形高斯衍射受限光束。其特点是低噪声下的温度控制、激光器寿命长和TTL调制(50Hz)。据Uninhase公司宣称,3502型很适合于高性能图像记录应用。     

半导体激光器

介绍了单片机控制的半导体激光器的稳光强器,系统地阐述了其工作原理、硬件及软件设计。实验测得,在室温条件下,稳光强器6h输出光强的稳定度达到0.28%。     

半导体激光器

TN248.42007010198一种大功率窄脉宽半导体激光电源的研究=Alarge pow-er semiconductor laser power supply with narrow pulsewidth[刊,中]/高军涛(中国电子科技集团公司第27所.河南,郑州(450015)),黄伟…//电光系统.—2006,(2).—24-26设计了一种大电流窄脉宽半导体激光器电     

半导体激光器

TN248.4 2004064104 高铝Al_xGa_(1-x)As氧化层对垂直腔面发射激光器的影响=EffeCt of high aluminum AlGaAs oxidized layers on vertical cavity surface-emitting lasers[刊,中]/康香宁(中科院半导体所光电子器件国家工程中心,北京(100083)),宋国峰…∥半导体学报.—2004,25(5).—589-593 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分Al_xGa_(1-x)As的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响.结合器件结构设计确定了氧化限制层Al_xGa_(1-x)As的铝组分和最佳位置,并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器。图7参12(严寒)     

半导体激光器

TN248.4 2004010136 大功率半导体激光器的可靠性研究=Reliability of highpower semiconductor laser diodes[刊,中]/曹玉莲(中科院长春光机所.吉林,长春(1300220),王乐…∥发光学报.—2003,24(1).—100-102 对InGaAs/A1GaAs和InGaAsP/GaAs有源区含铝的915nm和无铝的808nm腔面镀膜及未镀膜的大功率半     

半导体激光器温度控制的研究

本文研究了半导体激光器的温度特性；提出了半导体激光器的高精度温度控制方法和保证温度信号检测、传输精度的方法；研制了半导体致冷的半导体激光器温度控制系统．