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应用非线性频率变换技术的短波固体激光器在先进研究、生物医疗和工业生产等领域广泛应用,而走离效应是影响非线性变换效率的关键因素。为了实现更高效率的二倍频转换,各种减小走离效应的结构优化方案被提出,多种二倍频效率模型被建立,但是这些模型在普适性和影响因素全面性上还有所欠缺。文中在理想二倍频效率模型的基础上,提出一种非线性晶体走离效应下的二倍频效率模型,对于空间走离过程进行了更为充分的研究,将二倍频过程的多种因素都进行了细化分析。该模型有两个优势:一方面可以从多种参数的角度更精确地对平行传输光束与聚焦光束的二倍频效率分别进行预测;另一方面可以实现最佳二倍频晶体种类和最佳二倍频晶体长度的选择。 相似文献
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针对KDP晶体的TypeI+ TypeⅡ匹配方式的三倍频方案,采用理论模拟与实验研究相结合方式,从非线性耦合波方程组出发,编制了考虑衍射、离散、吸收和端面反射等物理因素的二维模拟计算程序.针对x、y方向均是六阶超高斯分布的入射基频光,功率密度在2~8 GW/cm2时,得到了TypeⅠ倍频晶体厚度11.8 mm、失谐角300 μrad,TypeⅡ混频晶体厚度9 mm、失谐角为0 μrad的优化参数,此时三倍频转换具有较大的动态范围和较高的效率. 在星光Ⅱ激光装置大厅建立了高强度三倍频实验研究平台,实验平台上基频光光束口径为Φ70 mm、功率密度为1~7 GW/cm2内可调、脉冲宽度约为0.8 ns.在实验平台上采用Φ100 mm能量卡计对基频光(1ω)、二倍频(2ω)和三倍频光(3ω)的能量进行测量,二、三倍频的外部转换效率可达60%以上;利用条纹相机对1ω光和3ω光的脉宽进行测量,脉宽变化基本为0.8 ns(1ω)和0.5 ns(3ω);采用512×512点阵的CCD对1ω光和3ω光的近场分布进行了对应测量,通过图像处理,得到描述光束质量的强度调制度和通量对比度值.基频光的远场发散角利用列阵相机进行监测,得到对应的1ω光光束发散角θ=0.3±0.06 mrad.在倍频晶体后5 m远处用哈特曼小孔阵列板测量基频光和三倍频光的波前分布,得其均方根(rms)分别为1.129 waves和0.425 waves.实验中,当入射基频光功率密度较高时,倍频晶体出现了明显的非线性自聚焦丝破坏现象.(OB11) 相似文献
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为了研究双块磷酸氧钛钾(KTiOPO4,KTP)晶体串接倍频对于提高绿光倍频激光器的转换效率的作用,采用长度分别为6mm,8mm和15mm的3块KTP晶体两两串接组合进行了实验验证,绘制了单块晶体倍频和双块晶体串接倍频时的转换效率曲线,并对其进行了比较分析。结果表明,基频光功率密度从520MW/cm2到750MW/cm2时,双块KTP晶体正交串接倍频不仅比双块KTP晶体平行串接倍频的转换效率高近10%,而且比长度是两块晶体之和的单块长KTP晶体的倍频转换效率高近30%。这一实验结果对于提高绿光倍频激光器的转换效率有一定的意义。 相似文献
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KDP 晶体是目前高功率激光装置中倍频材料的首选,元件上架前通常采用激光预处理来提高抗激光损伤性能,由于预处理流程耗时较多,提升预处理效率对于工程应用具有重要意义。研究了激光预处理参数对 KDP 晶体材料损伤性能的影响,通过分析激光辐照通量、辐照发次、能量台阶等预处理参数与元件损伤性能的变化关系,发现在一定通量范围内用不同的能量台阶可以获得同样的预处理效果,由此确定采用变能量台阶的方法对预处理参数进行优化。实验证明,采用此方法可以在保证预处理效果的前提下,将总的激光辐照发次缩减三分之一,结果对于大口径 KDP 晶体元件的激光预处理工艺具有重要参考价值。 相似文献
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KDP晶体二倍频晶面纳米压痕实验研究 总被引:1,自引:1,他引:0
The nanohardness is from 1.44 to 2.61 GPa,the Vickers hardness is from 127 to 252 Vickers,and elastic modulus is from 52 to 123 GPa by the nanoindentation experiments on the doubler plane of KDP crystal. An indentation size effect is observed on the doubler plane in the test as the nanohardness and elastic modulus decreases with the increase of the maximum load.Slippage is identified as the major mode of plastic deformation, and pop-in events are attributed to the initiation of slippage.And the variation of unloading curve end is the result of stick effects between the indenter and the contact surface.The depth of the elastic deformation,which is between 40 and 75 nm,is responsible for the elastic deformation.The doubler plane of KDP crystal has anisotropy,and the relative anisotropy of nanohardness is 8.2%and the relative anisotropy of elastic modulus is 8.0%. 相似文献
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为了改变KDP晶体精密加工难和效率低的状态,采用皮秒超快激光抛光KDP晶体的新方法,系统地研究了激光波长、单脉冲能量密度、激光束入射角、光斑搭接率、扫描方式以及激光焦深等因素对激光抛光KDP晶体质量的影响规律,并对激光与KDP晶体的相互作用机理进行了分析。结果表明,在皮秒激光波长λ=355nm、聚焦镜焦距f=56mm、激光束入射角α=84°、激光重复频率F=800kHz、脉冲能量密度Q=2.4J/cm2、光斑搭接率O=60%、45°多方向交叉扫描以及加工次数T=10次的优化参量条件下,KDP晶体表面粗糙度均方根值可达到76nm。这一结果使激光抛光技术的研究得到了进一步补充。 相似文献