超导体磁场穿透深度测量中的数据分析问题

讨论了目前在超导体磁场穿透深度λ测量中常用的几种数据分析方法.着重指出对于那些只能测量λ随温度的变化值Δλ(T),而无法测量其绝对值的实验而言,一种合适的数据分析方法对于我们从实验中得出正确的结论尤其重要.而微分归一法将有效地克服目前此类实验中常用数据处理方法的不足,从而实现理论与实验间的无参量比较. 关键词： 超导体 磁场穿透深度     

MgB2超导薄膜的微波测量

报道了利用蓝宝石介质谐振器技术测量MgB2超导薄膜的微波表面电阻Rs、OK时的穿透深度λ(O)和超导能隙△(O)．λ(O)和△(O)的值是通过先测量样品穿透深度λ(T)的变化量△λ(T)，然后由BCS理论模型拟合△λ（T)的实验数据得到的．测试样品是利用化学气相沉积技术在MgO(111)基片上制备的c轴织构的MgB2超导薄膜，薄膜的超导转变温度和转变宽度分别为38K和0．1K．微波测试结果表明在10K，18GHz下MgB2薄膜的Rs约为100μΩ，可以和高质量的YBCO薄膜的Rs值相比拟；BCS理论拟合得到的MgB2超导薄膜的λ(0)=102nm，△(0)：1．13kTc．     

高Tc超导谐振器微波特性研究

研究了高Ｔｃ超导谐振器的微波特性特别是表面电阻Ｒｓ和磁场穿透深度λ,给出了Ｒｓ随温度变化的曲线以及穿透深度的测量结果。实验中采用了由ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７薄膜和蓝宝石片构成的平行板谐振器。     

超导磁场穿透深度的拟合简化计算

磁场穿透深度λ与温度T的变化关系一直是超导领域广泛关注的焦点之一,根据BCS理论得到的穿透深度公式虽然与实验符合得相当好,但数学形式比较复杂.本文以BCS理论得出的λ与T的关系曲线为基准,通过计算机拟合的方法,将二流体模型和London极限得出的两条曲线拟合为一条新的曲线,使其数学形式相对简单,同时物理内涵又比较清晰,而且新的曲线与根据BCS理论得到的曲线基本吻合,达到了合理简化λ(T)计算的目的.     

高临界温度氧化物超导体的超导特征参量：λξ和Δ

磁场穿透深度（λ）、相干长度（ξ）和能隙（Δ）是表征超导体处于超导态时其内禀特性的三个物理参量，是了解超导体的独特性质、探索超导机理和建立微观理论的依据和约束。本文在简要介绍传统超导体中有关λ、ξ和Δ的引入与测量方法的基础上，着重评述用于高TC氧化物超导体中有关λ、ξ和Δ的新测量方法，以及目前对各种类型高TC超导体所给出的实验结果。     

高TC超导谐振器微波特性研究

 研究了高Tc超导谐振器的微波特性特别是表面电阻Rs和磁场穿透深度λ,给出了Rs随温度变化的曲线以及穿透深度的测量结果。实验中采用了由YBa₂Cu₃O₇薄膜和蓝宝石片构成的平行板谐振器。     

超导薄膜的磁场穿透深度的测量

我们设计和研究了用于测量超导薄膜穿透深度的双线圈互感装置,用数值模拟的方法对线圈及其位形进行了优化．对磁控溅射制备的不同厚度的铌膜在不同温度下的测量结果表明,我们的设计大大提高了实验的准确性和稳定性,并得到了理论预期的随膜厚和温度的变化关系     

MgB2超导体参量的理论研究

在各向同性的双带GL理论的框架内,研究了块体MgB2的一些超导态参量:包括关联长度ξ(T),临界Cooper对速度υc(T),London穿透深度λ(T)以及临界电流密度jc(T)随温度的变化关系;并将穿透深度λ(T)和临界电流密度jc(T)的理论计算结果和实验数据作了比较,符合得较好.     

一种利用光电流和光透过曲线测量电吸收调制器插入损耗因素的方法

提出一种新颖的方法用于测量电吸收调制器（electroabsorption modulator,EAM）各种因素造成的插入损耗.此方法仅需要测量波长相关的光电流（I_ph-λ）和光透过功率（P-λ）的数据,通过最小二乘法拟合出结果.理论分析表明此方法较精确,实验表明测试结果与理论拟合结果自洽得很好. 关键词： 电吸收调制器 插入损耗 吸收曲线 光生电流     

MgB2超导薄膜的微波测量

报道了利用蓝宝石介质谐振器技术测量MgB₂超导薄膜的微波表面电阻R_{s、0K时的穿透深度λ(0)和超导能隙Δ(0).λ(0)和Δ(0)的值是通过先测量样品穿透深度λ(T)的变化量Δλ(T)，然后由BCS理论模型拟合Δλ(T)的实验数据得到的.测试样 品是利用化学气相沉积技术在MgO(111)基片上制备的c轴织构的MgB2超导薄膜， 薄膜的超导转变温度和转变宽度分别为38K和01K.微波测试结果表明在10K，18GHz下M gB2薄膜的Rs约为100μΩ，可以和高质量的YBCO薄膜的Rs值相比拟；BCS理论拟合得到的MgB2超导薄膜的λ(0)=102nm，Δ(0)=113k Tc.}