1.5μm波长InGaAsP/InP双异质结激光器的液相外延

本文描述了与InP晶格匹配的In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)(对应发射波长为1.5μm)双异质结液相外延生长。讨论了与外延生长有关的几个主要因素,给出了实验结果及用该液相外延生长的晶片所制作的激光器的参数特性。     

1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的研究

<正> 一、引言由于石英光纤在1.3μm处于零色散点附近而且损耗极小,因此长波长光纤通信越来越受到人们的重视。用波长1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的光通信系统提供的数据容量为AlGaAs/GaAs双异质结发光二极管光通信系统的十倍,数据率可达2.5KMbit/s,在传输距离上可与AlGaAs/GaAs双异质结激光器相比,InGaAsP/InP双异质结发光二极管同时还具有稳定可靠、驱动简单、价格便宜等优点。因此长波长光纤通信系统的实用化,首先着眼于采用InGaAsP/InP双异质结发光二极管作为光源。本文着重介绍功率型发光二极管的研究。我们首先着眼于功率效率的提高,这就要求外     

1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的初步研制

研制了1.3μm四层结构InGaAsP/InP双异质发光二极管(Burrus型),并测试了光谱特性,伏安特性,功率输出特性。     

1.3微米波长InGaAsP/InP双异质结面发光二极管

石英光纤在1.3μm波长处的损耗低达0.5dB/km,色散几乎为零。因此,工程实用系统广泛采用1.3μm波长的光纤传输系统。在可用的光源器件中,1.3μm面发光管是一种高可靠性、低成本的实用器件,能满足中、短距离光纤通信的要求。使用这种器件已建成了工作速率为274Mb/s、无中继传输距离8公里和400Mb/s、5公里的梯度多模光纤通信系统。近年来,具有1～2Gb/s超高速调制能力的面发光1.3     

1.55μm InGaAsP/InP超辐射发光二极管组件

1.55μm InGaAsP/InP 超辐射发光二极管组件是为高精度光纤陀螺研制的光源.组件采用标准14针双列直插式管壳,熊猫型保偏光纤对准耦合,激光焊接,全金属化耦合封装.为了获得高输出功率,宽发射光谱,抑制受激振荡,采用了倾斜条形波导结构.组件尾纤输出功率大于0.1mW,光谱宽度大于15nm,工作电流小于150 mA.     

1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的研究

随着光纤通信系统的发展,长波(1.1—1.7μm)光源的研究巳广泛引起重视。因为在这一波长范围内,石英光纤具有低的传输损耗和材料色散。文献[1]指出,用InGaAsP/InP发光二极管(λ=1.3μm)作光源的系统的传输容量比目前常见的用GaAlAs/GaAs发光     

1.3μm InGaAsP—InP双异质结边发光管

本文报道一种短条结构的高速大功率1.3μmInGaAsP—InP双异质结边发光管。在100mA的驱动电流下,耦合进入芯径50μm,数值孔径0.2的梯度折射率光纤的光功率大于60μW,上升时间、下降时间均约2ns,光谱半宽600～800A。     

InGaAsP/InP双异质结双极晶体管与1.5μm激光二极管的单片集成

介绍一种双异质结InGaAsP/InP双极晶体管,它包括一层用溅射淀积制备的作宽禁带发射区的CdO膜。电流增益已高达40。用CdO层作集电区时,晶体管还能以相反方式工作。该管的主要特点是在结构方面与可作单片集成的1.5μmDH激光器相容。     

工作波长为1.05—1.3μm的高亮度InGaAsP/InP双异质结发光二极管(面发光型)

长波长LED目前已可用于长距离、高数据速率的光纤通信系统。与激光器相比,其主要优点如下: (1) 可靠性高,寿命可达10~9小时; (2) 不存在模式噪声和自振荡问题; (3) 温度性能好; (4) 使用简便,价格低。通过改进光纤耦合方法,适当控制器件工艺参数,目前已使出纤功率大为提高,谱宽也相应减小。并且响应速度也可作得很高。长波长LED与短波长LED相比,在传输距离和数据率方面远为优越,如图1所示。     

1.5μm波长范围的InGaAsP/InP分布反馈式激光器

<正> 日本KDD研究和发展实验室从理论上和实验上研究了1.5μm波长范围的InGaAsP/InP分布反馈式(DFB)激光器的激射特性。分析了5层DFB波导中波的传播,估算出结构参数对阈值条件的影响。在设计低阈值激光器及其激射波长方面进行了主要考虑。用液相外延方法制备了具有1.53μm发射主光栅的DFB隐埋异质结构激光器。在-20℃～58℃的温度范围内实现了CW工作。室温下的CW阈值电流低至50mA。在直流与500Mbit/s的伪随机脉冲电流     

低阈值1.5微米波长InGaAsP/InP隐埋双异质结结构激光器

<正> 最近日本 NTT 武藏野通研所制出目前最低阈值的1.5微米波长 InGaAsP/InP 隐埋双异质结结构激光器。首先使用低温液相外延防回熔技术在 InP(100)衬底上生长掺锡的4.5微米厚的 InP 层,继之生长0.2微米厚的未掺杂的 InGaAsP 有源层(生长温度为602℃),再生长掺锌的3微米厚的 InP 层,最后生长掺锌的1微米厚的 InGaAsP 帽层(禁带宽度 E_g=0.95电子伏);淀积 SiO_2,沿<110>方向用射频溅射光刻技术刻出二氧化硅条,台面刻蚀直到 n 型 InP 层;二次液相外延掺锌 p 型 InP 层(2.5微米厚)和 n 型 InP     

1.5μm InGaAsP/InP分布反馈激光器

InGaAsP/InP分布反缋半导体激光器是为长距离光纤通信的需要而研制的光源,它可在高速调制时以单频振荡。     

InGaAsP/InP波长可选异质结光电晶体管

采用InGaAsP/InP材料系,将吸收层加到宽带隙异质结光电晶体管上,研制出了具有窄光谱响应的高增益光电晶体管(波长可选光电晶体管)。得到了光谱响应峰值约1.2μm,光谱半宽度为53μm。在峰值波长和入射光功率P_(in)为3.6μw时,这种器件呈现出高达400的光学增益。在P_(in)=10μw时,测得上升时间是18μs。还测量了器件的噪声特性,在光学偏置功率为0.1μw、频率为2 KHz时,估计器件总探测度为3.7×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W。从理论上详细讨论了这些特性。     

1.3μm InGaAsP/InP双异质结激光器阈值电流与温度的关系

测量了1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH 激光器在直流工作条件下,阀值电流密度随温度的变化。应用电子从四元有源区泄漏入 InP 限制层的机理讨论了实验结果。     

1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的研究

一、引言随着光纤通信系统的发展,长波长(1.1～1.7μm)光源器件的研究已广泛引起人们的重视。因为在这一波长范围内,石英光纤具有低的传输损耗和材料色散。Muska等指出用InGaAsP/InP发光管(λ=1.3μm)作光源的系统,它的传输容量比目前常用的GaAlAs/GaAs发光管(λ=0.85μm)大10倍以上。此外InGaAsP/InP材料在光纤窗口范围都能生长晶格匹配的外延层。而InP热导也要比GaAs为佳。发光管由于它的线性好,发射功率的温     

实用化封装的1.5μm InGaAsP/InP激光器

本文介绍了实用化封装的1.5μm波长InGaAsP/InP激光器的制作及其主要光电特性。该器件采用了半导体致冷器,热敏电阻,PIN探测器进行温控、光控的组件封装结构。室温连续工作阈值电流一般小于140mA,外微分量子效率约30%,尾纤输出功率大于1mW,工作寿命≥10~4小时。     

发射波长1.5μm的InGaAsP/InP分隔多包层条形激光器

本文报导了发射波长为1.5μm的InGaAsP/InP分隔多包层条形激光器。25℃下的CW阈值电流只有82mA,获得CW激射的最高温度为65℃。脉冲阈值电流的特征温度为60K。在CW工作条件下直到1.5倍阈值电流,基横模为基模,纵模为单模。在50℃,5mW/端面的恒定光功率条件下,有几只样品工作已超过1000小时。     

GJ331型1.5μm InGaAsP/InP激光器

GJ331—B型实用化封装1.5μm InGaAsP/InP激光器系电子部44所85年6月鉴定的科研成果项目之一。该产品是我所自行设计并研制的一种长波长激光器新产品。该产品采用了激光器与半导体致冷器、热敏电阻、PIN光电探测器组件封装的光纤耦合结构。该产品性能稳定可靠,结构紧凑,功能齐全,使用方便等优点。它主要用于中长距离,大中容量的光纤通信系统。     

1.5μm InGaAsP/InP双异质结激光器液相外延中液相组分调整对晶格失配及发射波长的影响

本文描述了在(100)InP衬底上用液相外延(LPE)方法生长In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y),外延层时,液相组分X_(Ga)~l、X_(A5)~l变化对外延片晶格失配及发射波长的影响,以及生长温度变化对晶格失配的影响。并对实验结果进行了简单的理论上的分析和探讨。     

1.5μm斜坡掩埋异质结InGaA sP/InP激光器

利用两步液相外延技术制作出与光波导单片集成的InGaAsP/InP斜坡掩埋异质结(SH-BH)激光二极管。在室温下测得有波导和无波导的SH-BH激光器的阈值电流分别为50mA和27mA。把电流注入到波导(调谐)区,激光器的激光光谱向转短的波长区偏移。在脉冲工作时,得到的光谱波长偏移为1.1nm,这对应于调谐电流引起的有效折射率的改变。