模拟电场法用于薄膜性质的研究

模拟电场法用于薄膜性质的研究王正昌（云南民族学院物理系昆明６５００３１）一、引言随着薄膜研制工作的发展，薄膜的类型越来越繁多，应用极为广泛．为搞清薄膜的各种特性．相应的各种测试手段及探测方法应运而生．物理学中的模拟电场法应当充实发展使之能用于物质性质...     

关于变化的磁场产生感生电场的辨析

根据实际问题, 判断分析放在变化的磁场中的闭合回路是否产生感应电流, 从而加深对感生电场的理 解及运用     

浅谈物理原理对物理实验的指导作用

实验原理是物理实验的核心，本文通过对具体案例的分析指出：正确理解实验原理是实验科学性的基本保证，深刻理解实验原理是突破实验难点的关键，掌握实验原理是领会实验设计思想的前提，挖掘实验原理的内涵则是教学创新设计的出发点．     

用双办能量原理对偏心圆柱电容的电场计算

本文应用双界能量原理，对二不同心圆筒的电场进行了分析计算。文中导出了电场能量的不同表达方式，阐述了其物理意义，分析了电场能量的上界与下界，并对不同心平行圆筒电容器的电容值进行了数值计算，与用解析法求得的结果进行了比较验证。     

截面异形的轴向变化磁场产生的感生电场

介绍一种计算感生电场的数值方法,它既可用于计算柱形分布均匀变化磁场所产生的感生电场,也可计算分布在任意界面上的变化磁场所产生的感生电场,并给出了一些计算实例．     

Ag,Au,K吸附在W(001)表面上的功函数随外加电场的变化

基于局域密度泛函理论和第一性原理赝势法,计算了Ag,Au,K在W(001)表面上吸附时的功函数随外加电场的变化关系.从计算结果可以看到,所有吸附系统的功函数变化与外加电场强度变化之间呈线性关系.通过比较系统功函数随外加电场强度变化的斜率的不同,可以推断Ag—W(001)的键合作用与Au—W(001)键合作用之间的细致差别,表明了Au—W(001)键合作用会略强于Ag—W(001)间的键 关键词： 功函数变化 外加电场 第一性原理计算     

潜水艇浮潜原理演示的改进

用“浮沉子”来说明潜水艇的浮潜原理时,一般是把浮沉子与水都密封在同一容器(量简)里。实验后学生往往提出这样一些问题: 1.整个海水与潜艇不可能密封在某一容器中,因此上述实验与实际不相符。     

箭载双臂式电场仪的原理与设计

在介绍双臂式电场仪探测原理的基础上,给出了子午工程探空火箭搭载的双臂式电场仪的具体设计.为了降低探针的不对称和不一致性,采用了铝制球形探针设计,使用石墨涂层以减少表面不均匀性,并采用独特的外形设计来消除支撑臂阴影影响;在信号处理部分,为了能提高系统动态范围,采用了分频段处理的方法.最后,结合整体系统设计的需要提出了几点误差考虑,并给出了系统性能测试结果.所设计的电场仪带宽0～5MHz,直流探测范围为0.1mV/m～±1V/m,交流探测范围为10μV/m～50mV/m,可以实现对电场强度为0～±1V/m的空间电场进行二维测量.     

箭载双臂式电场仪的原理与设计

在介绍双臂式电场仪探测原理的基础上,给出了子午工程探空火箭搭载的双臂式电场仪的具体设计.为了降低探针的不对称和不一致性,采用了铝制球形探针设计,使用石墨涂层以减少表面不均匀性,并采用独特的外形设计来消除支撑臂阴影影响|在信号处理部分,为了能提高系统动态范围,采用了分频段处理的方法.最后,结合整体系统设计的需要提出了几点误差考虑,并给出了系统性能测试结果.所设计的电场仪带宽0～5 MHz,直流探测范围为0.1 mV/m～±1 V/m,交流探测范围为10 μV/m～50 mV/m,可以实现对电场强度为0～±1 V/m的空间电场进行二维测量.     

似稳场中的涡旋电场和电流源的关系

推导了涡旋电场与它的电流源之间的关系，利用此关系和磁场矢势计算了球形线圈内外的磁感应强度，并证明了两个闭合回路之间的互感系数相符。     

电流密度场叠加原理及其应用

电流密度矢量场也满足叠加原理,给出了一些应用电流密度场叠加原理的例子.     

在时谐电磁场中用矢量势A直接表达电场强度E的一个显式

根据麦克斯韦方程组和洛伦兹条件,对时谐变场e导出用矢量势A直接表达电场强度E的一个显式,并对它进行了讨论.     

Anisotropic temperature of charged particles in a variable electric field

The time dependence of the longitudinal and transverse temperatures in a completely ionized plasma immersed in a variable uniform electric field is analyzed by solving gas dynamics equations based on a bi-Maxwellian distribution. Translated from Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii, Fizika, No. 12, pp. 64–72, December, 2008.     

Influence of side electric potential on hysteresis loop parameters and electric permittivity in the Rochelle salt

It has been shown that the application of an electric potential to relatively narrow side electrodes of a thin perpendicular parallelepiped Rochelle salt sample plate leads to the disappearance of the hysteresis loop. The effect is permanent and can be observed after the side potential disconnection. Moreover, a reduction of both zero-field longitudinal permittivity maxima at the critical points is visible then. A non-zero remanent polarization and a non-zero coercive field are then able to be observed only at temperatures higher than that of the lower critical point and lower than that of the upper critical one. No corresponding temperature shift in reduced permittivity maxima has been noticed. A transition to below the lower critical point for the next few hours does not lead to restoration of the original properties formerly lost during the side potential application in the ferroelectric phase. Such restoration is possible by annealing the sample above the upper critical temperature.     

声场与电场作用下空化泡的动力学特性

以液体为工作介质, 利用空化泡的RP控制方程, 模拟分析了无量纲化的电场频率、场强的幅值以及无量纲化的声波频率、 声压幅值的变化对空化泡运动特性的影响. 结果表明: 声场和电场联合作用时, 空化泡运动处于混沌区域范围远高于两者单独作用下空化泡的混沌区域范围. 这不仅对声空化的进一步研究具有重要的理论意义, 而且对于提高和改进空化降解有机污染物的技术也具有指导意义.     

保角变换法计算均匀带电圆柱与接地导体平面间的电场

根据保角变换法,通过对均匀带电圆柱与接地导体平面间的静电场进行的研究,得到了电势与电场强度的表达式,并导出了等势线和电场线函数.     

三维静电场实验仪

为克服传统方法不能真实反映静电场的三维本质,综合应用了机械、电子、MCU、传感器、步进电机和计算机接口等技术研制了静电场三维实验仪,实现了静电场的三维空间坐标量和电量的测控,并用所研制的静电场三维实验仪对部分特殊电极所形成的电场进行了模拟实验研究.     

外场下SnS分子结构及其特性

对S原子采用6-311++G**基组,Sn原子采用SDB-cc-pVTZ基组,利用密度泛函(B3P86)方法对SnS分子进行了基态结构优化,并研究了外场作用下SnS基态分子键长、能量、能级分布、电荷布居分布、谐振频率和红外谱强度的影响规律.然后利用含时密度泛函(TD-B3P86)方法研究了SnS分子在外场下的激发特性.结果表明,在所加的电场范围内(-0.04 a.u.-0.04 a.u.),随着正向电场的增大,分子键长和红外谱强度均是先减小后增大;总能E,SnS基态分子的最高已占据轨道能量EH和谐振频率均是先增大后减小;分子的最低未占空轨道能量EL和能隙Eg均随正向电场的增大而减小.随着正向电场的增大,SnS分子由基态至前9个单重激发态跃迁的波长增大,激发能则减小.