梯形屏蔽共面波导及共面耦合线特性阻抗的计算

提出了适用于ＭＭＩＣ设计一类新型共面传输线，它包括梯形屏蔽共面波导（ＳＭＣＰＷ）梯形屏蔽共面耦合线（ＳＭＣＣＬ）共面耦全梯形屏蔽线（ＣＣＳＭＬ）推导出用于计算这些传输线的ＴＥＭ参数的解析公式，数值计算结果显示了此类共面传输线的性质。     

全屏蔽共面波导的准静态分析

本文采用精确和近似的保角变换技术对全屏蔽共面波导结构的传输特性进行准静态分析,提供了这种结构特性阻抗的简明表达式。计算结果表明分析的正确性。     

变型共面波导的保角变换分析

本文采用精确和近似保角变换技术分析了四种结构变型的共面波导的特性，导出了它们的等效介电常数和特性阻抗的封闭表达式，并对其中一种结构的特性参量进行了近似计算。这些公式和结果对设计变型共面波导是有用的。     

具有金属底板非对称共面波导的研究

本文首次提出了具有金属底板支撑的非对称共面波导结构,并采用保角变换方法分析了这种非对称共面波导的特性.推导了它的有效介电常数,特性阻抗和电场强度解析表达式,并且给出了数值计算结果和实验测试结果.     

面向CAD的非对称共面波导模型及分析

本文首次提出了一个上下屏蔽的多层介质非对称共面波导模型,并进行了分析.给出了它的有效介电常数,单位长度电容和特性阻抗的解析表达式.并且对由模型所演变出的一个具体实例进行了数值计算和实验测试.最后对该模型所能够演变出的具体CPW的种类进行了归纳与分类.     

变型共面波异的保角变换分析

本文采用精确和近似保角变换技术分析了四种结构变型的共面波导的特性，导出了它们的等效介电常数和特性阻抗的封闭表达式，并对其中一种结构的特性参量进行了近似计算。这些公式和结果对设计变型共面波导是有用的。     

脊波导结构LiNbO3调制器的分析与设计

本文利用保角变换法对脊波导结构调制器进行了分析,特别针对在制做脊波导时的非理想矩形的情况,对它造成的偏差进行了计算,在此基础上得出了脊型共面波导结构调制器的等效折射率,特性阻抗,调制带宽和驱动电压等特性。在速度匹配,阻抗匹配,半波电压以及制做的困难程度等折中考虑下对调制器的各项参数进行了优化。结果表明了这新型结构在保持较大特性阻抗的同时,有效的降低等效折射率,大大地提高了调制带宽,迎合了更高速光纤通信的要求。     

电容加载共面波导移相器的损耗特性

借助仿真软件Sonnet研究了金属导电层厚度、电导率和铁电薄膜介质损耗对移相器传输损耗和反射损耗的影响。结果显示:导电层的厚度超过2.0μm后,移相器的传输损耗不再随导电层厚度的增加而改变;随着导电层电导率的增加,移相器的传输损耗在高频段迅速减小;随着铁电薄膜介质损耗的减小,移相器的传输损耗在高频段下降很快;当介质损耗小于0.001时,移相器的传输损耗几乎不再减小。前述三种因素对反射损耗基本无影响。     

基于XeF_2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导

在低阻硅(1~10Ω.cm)衬底上采用XeF2硅腐蚀工艺成功制备了长度为2 mm、结构尺寸为w/s=40/60μm间断悬浮和全悬浮两种结构的共面波导。SEM照片显示器件释放后的悬浮结构未出现粘附或破裂现象。通过WYKO三维形貌观察得到两种结构共面波导悬浮信号线最大翘曲量分别为10μm和16μm。微波性能测试结果表明两种悬浮结构共面波导在1~10 GHz频率范围内插入损耗分别低于4.5 dB/2 mm和3.2 dB/2 mm,远小于制作在低阻硅衬底上的普通共面波导插入损耗9.4 dB/2 mm;在1~3 GHz频率范围内插入损耗分别低于0.54 dB/2 mm和0.17 dB/2 mm,小于制作在高阻硅(1 400~1 500Ω.cm)衬底上普通共面波导的插入损耗0.55 dB/2 mm。     

脊波导结构LiNbO3调制器的分析与设计

本文利用保角变换法对脊波导结构调制器进行了分析,特别针对在制做脊波导时的非理想矩形的情况,对它造成的偏差进行了计算,在此基础上得出了脊型共面波导结构调制器的等效折射率,特性阻抗,调制带宽和驱动电压等特性。在速度匹配,阻抗匹配,半波电压以及制做的困难程度等折中考虑下对调制器的各项参数进行了优化。结果表明了这新型结构在保持较大特性阻抗的同时,有效的降低等效折射率,大大地提高了调制带宽,迎合了更高速光纤通信的要求。     

基于左手介质的共面波导传输线特性研究

针对微带传输线型左手介质构造复杂且工艺要求高的缺陷,提出了一种新型共面波导型左手介质传输线。本文利用串联电容和并联电感来构造左手介质传输线,通过提取共面波导传输线的等效参数,并用全波仿真来模拟此左手介质后向波的传输特性,发现此左手介质的通带在6GHz 到14GHz 之间,其有效带宽为7.5GHz~12.7GHz,即相对带宽 约52%。     

GaAs衬底共面波导S参数标准样片研制

GaAs等固态微波裸芯片电性能测试需要采用探针将共面波导参考面过渡到同轴参考面。设计制作了用于微波探针校准的GaAs衬底的计量级标准样片,包括SOLT 和TRL 校准模块,以及匹配传输线、衰减及驻波等验证模块。提出了平衡电桥结构,兼具衰减驻波标准,带内平坦,且工艺适应性好。经过与国外校准片比对,验证了频率覆盖100 MHz ~50 GHz,驻波比测量范围:1.1,1.5,2.5,5,10;衰减测量范围:-1 dB,-2 dB,-3 dB,-10 dB,-20 dB,-30 dB,-40 dB;匹配负载反射损耗小于-30 dB。同时提取了SOLT校准模块的矢网校准用参数。     

共面波导馈电的三频微带天线设计

文章设计了一款基于共面波导馈电的矩形微带天线,通过在矩形贴片天线辐射体上加载双开口谐振环使其同时工作于无线局域网(WLAN)频段和全球微波互联接入(Wi MAX)频段,以及X波段下行频段。通过仿真可知此天线在3.04~3.76GHz,5.2~6.2GHz,7.5~7.9GHz这3个频段内回波损耗均小于-10d B,具有良好的三频特性。     

直线法分析超导共面波导传输线

本文在直线法分析共面波导传输线的基础上，针对直线法的特点，利用麦克斯韦方程组中的欧姆定律以及超导体复电导率的概念，将二流体模型引入到分析中。从而计算出具有一定厚度超导薄膜的共面波导传输线的色散特性和衰减特性。由于直线法是一种半解析半数值的方法，和其他复杂的场分析相比节省了大量的计算时间，同时保证了计算精度，避免了常用的利用表面阻抗引入超导体复电导率的准静态分析方法。并且对于导带是理想导体、有耗普通     

悬置共面波导的基本参数

悬置共同波导兼有鳍线和悬置带线的优点。本文用共形变换技术分析悬置共面波导,得到了严格的解,考虑有限基片情况下给出了悬置共同波导的有效介电常数,单位长度电容和特性阻抗的闭合表达。     

倒置共面波导行波调制器的理论分析

本文提出了一种新颖的集成光波导行波调制器结构。该结构利用倒置菜面波导作为调制器的外调制电路，减少了光波和调制波之间的速度失配，提高了调制带宽，文中采用谱域等效传输线方法分析了倒置共面波导传输的传播特性。     

BCB/InP基宽带低损耗共面波导微波传输线

面向高速行波电吸收(EA)调制器的需要,设计并制作了基于苯并环丁烯(BCB)聚合物/InP衬底的宽带(0～40 GHz)、低损耗微波共面波导传输线.对共面波导结构开展仿真设计,分别对BCB材料厚度、InP衬底导电率和信号电极宽度等关键参数进行了优化.结果表明,当设计的BCB膜厚为4 μm、InP衬底导电率小于0.002(Ω·cm)-1和信号线宽度为84μm时,微波传输性能可达最优.在此基础上,采用电阻率为108Ω·cm的半绝缘(SI)InP衬底、涂覆4μm BCB薄膜,制作出0～40 GHz范围内微波损耗小于0.5 dB/mm的共面波导传输线.     

损耗共面波导中瞬态信号的传播特性研究

在考虑了导体和漏损耗的基础上，根据经验公式建立了瞬态信号在损耗共面波导中的传播２模型，对Ｇａｕｓｓ和矩形脉冲的传播特性进行了研究。数值计算中，为了避免ＦＦＴ变换的截断效应，采用了快速小波变换（ＦＷＴ），该方法加快了积分的速度。实验证明，该方法是有效的。     

低阻硅基厚膜聚酰亚胺上共面波导的损耗特性

制备了一种低阻硅基厚膜聚酰亚胺上的高性能共面波导传输线 ,并从理论上分析了传输线损耗的成因及其计算方法。聚酰亚胺膜厚 1 1 .5 μm的低阻硅 (0 .5 Ω·cm)上的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为3 .5 d B/cm。然而 ,相同衬底上 ,无聚酰亚胺膜的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为 5 0 d B/cm,损耗特性明显比前者差。测试结果表明聚酰亚胺层的介入能有效地改善传输线的损耗特性 ,且损耗随着聚酰亚胺膜厚的增加而降低。     

共面波导垂直互连结构的人工神经网络模型

垂直互连是三维微波和毫米波集成电路中的典型结构。本文采用人工神经网络模型模拟屏蔽共面波导的垂直互连结构,由时域有限差分法产生网络的训练和测试样本。训练好的网络同时具有时域有限差分法的精度和人工神经网络的快速性。