Eu3+掺杂CaWO4红色荧光粉发光性质的浓度依赖关系研究

采用共沉淀法制备了不同Eu³⁺掺杂浓度的CaWO₄荧光粉材料.通过X射线衍射和场发射扫描电镜技术对样品的结构和形貌进行了表征.测量了各样品的激发光谱、发射光谱和荧光衰减曲线, 计算了各样品的部分Judd-Oflet (J-O)参数和^5D_0 (Eu³⁺)能级量子效率,以及荧光粉的色坐标, 讨论了样品电荷迁移带相对强度、J-O参数、量子效率与掺杂浓度的依赖关系.对Eu³⁺掺杂的CaWO₄ 发光材料的光致发光性质的研究表明,在CaWO₄: Eu³⁺中⁵D₀→⁷F₂跃迁的616~nm 红色发光能被394.5~nm和465~nm的激发光有效激发,具有近紫外(或蓝光)激发效率高和猝灭浓度大的优点, 有潜力成为高效的近紫外(或蓝光)激发白光发光二极管用红色荧光粉材料.     

YBO3:Eu3+纳米晶发光特性

用水热法制备了YBO₃:Eu³⁺纳米材料，通过改变其反应条件对纳米颗粒的大小和形貌进行了控制，对其发射光谱进行分析并与体材料进行了比较.在纳米材料中，很大比例的稀土离子微观环境受到表面的影响.这种影响可能使稀土离子的Judd-Ofelt参数Ω₂增大，从而使Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₂的发射加强，红色发光材料的色纯度提高.     

Eu2+, Cr3+共掺杂的MAl12O19 (M=Ca, Sr, Ba) 的发光性质及能量传递

三基色荧光粉中, 红色荧光粉性能较差, 为获得性能优良的红色荧光粉, 本文采用高温固相法合成了Eu²⁺, Cr³⁺单掺杂及共掺杂的碱土金属多铝酸盐MAl₁₂O₁₉ (M =Ca, Sr, Ba) 发光体. 实验表明, 在以上三种基质中均存在Eu²⁺→Cr³⁺的能量传递, 利用能量传递可以有效将Eu²⁺的蓝光或绿光转换为红光. 三种碱土金属多铝酸盐基质的晶体结构相似,但Eu²⁺, Cr³⁺发光受晶体场影响,导致在不同的基质中Eu²⁺, Cr³⁺间能量传递效率不同.通过光谱分析及能量传递效率计算发现, 相同掺杂浓度下,CaAl₁₂O₁₉中Eu²⁺→Cr³⁺的能量传递效率最高,SrAl₁₂O₁₉次之, BaAl₁₂O₁₉最低.红光转换率在CaAl₁₂O₁₉中最高.     

白光LED用LiBaBO3:Eu2+材料发光特性研究

采用高温固相法制备了LiBaBO₃:Eu²⁺绿色发光材料.测量了Eu²⁺浓度为1mol%时样品的激发与发射光谱,其发射光谱为双峰宽谱,主峰分别为482和507nm,与理论计算值符合很好;监测482nm发射峰时,对应激发光谱的峰值为287和365nm,监测507nm发射峰时,对应的激发峰为365和405nm.研究了Eu²⁺浓度对材料发射光谱的影响,结果显示,随Eu²⁺浓度的增大,蓝、绿发射峰均发生了     

退火温度对ZrO2纳米材料中Eu3+离子发光的影响

研究了退火温度对ZrO₂纳米材料中Eu³⁺离子发光性质的影响. 材料的结构、晶粒尺寸和形状以及晶格的排列分别由XRD，TEM表征. 结果表明：用共沉淀法制备的ZrO₂纳米材料具有不随退火温度变化、稳定的四方结构；材料的晶粒尺寸随退火温度的提高而增大；晶格的排列由无序逐渐变为有序；发射光谱表明其主要发射在595 nm和604 nm处；在394 nm的紫外光辐照下得到了不同样品的604 nm荧光发射强度的变化不同. 这种现象与样品中O^2-离子含量和样品表面的表面缺陷有关；另外，电荷迁移带随退火温度的变化而变化.     

Gd2O3:Eu3+纳米晶的燃烧合成及光致发光性质

采用柠檬酸作燃烧剂用燃烧合成法制备了Gd₂O₃:Eu³⁺纳米晶.用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光分光光度计等对Gd₂O₃:Eu³⁺纳米晶的结构、形貌和发光性能进行了分析.结果表明：不同柠檬酸与稀土离子配比(C/M)制备的样品经800℃ 退火1 h后，均得到了纯立方相的Gd₂O₃:Eu³⁺纳米晶，晶粒尺寸约为30 nm，尺寸分布较窄，其中以C/M=1.0时制备的纳米晶结晶性最好，发光强度最大.Gd₂O₃:Eu³⁺纳米晶主发射峰位置均在612 nm处 (⁵D₀→⁷F₂跃迁)，激发光谱中电荷迁移态发生红移，观察到Gd³⁺向Eu³⁺的有效能量传递.对柠檬酸与稀土离子配比(C/M)对结晶度、发光性质等的影响也进行了分析和讨论.     

新型光存储材料Sr2SnO4: Tb3+, Li+ 的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究

采用高温固相法获得了一种只具有 微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr₂SnO₄:Tb^{3 +}, Li ⁺. 发光性能研究结果表明: 该材料对980 nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应, 同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源. 光存储性能研究结果表明: 该材料的浅陷阱较少, 因此其余辉发光很弱, 不到500 s; 另一方面, 该材料中存在大量的深蓄能陷阱. 因此, Sr₂SnO₄: Tb^{3 +}, Li⁺是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料. 此外, 还讨论了Sr₂SnO₄: Tb^{3 +}, Li⁺的光存储发光机理.     

用于白光LED的单一基质白光荧光粉Ca2SiO3Cl2:Eu2+，Mn2+的发光性质

用高温固相法合成了Eu²⁺，Mn²⁺共激活的Ca₂SiO₃Cl₂高亮度白色发光材料，并对其发光性质进行了研究. 该荧光粉在近紫外光激发下发出强的白色荧光，Eu^{2+中心形成峰值为419 nm和498 nm的特征宽带，通过Eu2+中心向Mn2+中心的能量传递导致了峰值为578 nm的发射，三个谱带叠加从而在单一基质中得到了白光. 激发光谱均分布在250—415 nm的波长范围，红绿蓝三个发射带的激发谱峰值分别位于385 nm，412 nm，370 nm和396 nm处，可以被InGaN管芯产生的紫外辐射有效激发. Ca₂SiO₃Cl₂:Eu2+，Mn2+是一种很有前途的单一基质白光LED荧光粉.}     

新型电子俘获型光存储材料Sr2SnO4:Sb3+的发光性能研究

采用高温固相法在1300℃的温度获得了一种新型电子俘获型光存储材料 Sr₂SnO₄:Sb³⁺. 结果表明: 208 nm (Sb³⁺ 的¹S₀→¹P₁)和265 nm (¹S₀→³P₁)的紫外光是Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 的最有效信息写入光源; 其发射是覆盖400---700 nm的宽带(³P_0,1→^XXS₀), 肉眼可看到淡黄色白光, 色坐标为(0.341, 0.395). 热释光谱研究结果表明: Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 有分别位于39℃, 124℃, 193℃和310℃的四个热释峰. 其中, 39~℃的热释峰强度很低, 因而Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 只具有不到140 s的微弱余辉. 而310℃的高温热释峰在空置1天后, 仍能保持约45.6%的初始强度, 并对980 nm的红外光有很好的红外上转换光激励响应. 因此, Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 是一种具有一定的信息存储应用潜力的新型光存储发光材料.     

SiN掺杂提高BaMgAl10O17:Eu2+荧光粉光学性能的第一性原理研究

使用基于密度泛函理论的CASTEP软件计算了BAM:Eu²⁺(BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺)荧光粉在SiN掺杂前后的能带、态密度、吸收光谱和Mulliken布居．Eu²⁺处于BR位置光吸收更强;SiN掺杂使处于BR位置的Eu²⁺的数量上升,而处于mO位置的Eu²⁺的数量下降,抵消了SiN掺杂降低Eu的态密度对光谱的影响．所以适量掺杂的SiN提高了BAM:Eu²⁺荧光粉的吸收发射光谱强度．Si-N键和Eu-N键的Mulliken布居数分别高于Al-O键和Eu-O键, 说明Si-N键和Eu-N键的共价性分别强于Al-O键和Eu-O键．发光中心Eu²⁺局域结构共价性的增强降低了BAM:Eu²⁺镜面层的活性,这是SiN掺杂提高BAM:Eu²⁺+荧光粉光学稳定性的主要原因．     

发光二极管用SrWO4:Eu3+红光荧光粉激发谱强度的调控

采用化学共沉淀法制备了Eu³⁺掺杂摩尔分数不同、煅烧温度不同的SrWO₄:Eu³⁺系列发光粉体, 所制备的粉体均具有Eu³⁺特征的强室温红光荧光发射. 通过调节煅烧温度和掺杂摩尔分数来调控近紫外和蓝光吸收强度, 进而调控用395 nm的近紫外光和465 nm的蓝光激发样品所得红光发光强度. 研究结果表明, 所制备的SrWO₄:Eu³⁺红光荧光粉可以被紫外和蓝光发光二极管有效激 关键词： 稀土掺杂 4:Eu³⁺')" href="#">SrWO₄:Eu³⁺ 光致发光 白光发光二极管     

Preparation and luminescence characteristics of Eu^2＋ activated silicate phosphor

This paper synthesizes the Sr2SiO4：Eu^2＋ phosphor by high temperature solid-state reaction. The emission spectrum of Sr2SiO4 ： Eu^2＋ shows two bands centred at 480 and 547 nm, which agree well with the calculation values of emission spectrum, and the location of yellow emission of Sr2SiO4 ： Eu^2＋ is influenced by the Eu^2＋ concentration. The excitation spectrum for 547 nm emission has two bands at 363 and 402 nm. The emission spectrum of white light emitting diodes （w-LEDs） based on Sr2SiO4 ： Eu^2＋ phosphor ＋ InGaN LED was investigated.     

Eu,Li doped CaWO4 nanorods: Synthesis,emission-decay curves and effective-refractive index

In the present paper, CaWO₄: Eu³⁺, Li⁺ nanorods have been successfully synthesized via an oleic acid (OA)-assisted solvethermal route. The transmission electron microscope (TEM) photograph shows that the CaWO₄: Eu³⁺, Li⁺ nanorods are monodisperse and uniform nanorods with average diameter of 26 nm. The optical properties of Eu³⁺ in CaWO₄ samples, including photoluminescence (PL) excitation spectra and luminescent decay curves, are investigated in detail. Due to the form of the nanorods, the relative contribution of CTB to the nanorods sample is greater than that to the bulk counterparts. The decay time of the ⁵D₀ level (ranging from 0.94 to 0.65 ms, depending on the filling factor of the nanorods) of the nanorods is longer than that of the bulk counterpart mainly due to the reduction in the size of the nanorods, which introduces an effective-refractive index smaller than the refractive index of CaWO₄.     

Synthesis and photoluminescence properties of Sm-doped CaWO4 nanoparticles

The Sm³⁺-doped CaWO₄ nanoparticles were synthesized by hydrothermal method. The room temperature photoluminescence (PL) spectra of Sm³⁺-doped CaWO₄ nanoparticles doped with different Sm³⁺ concentrations under 405 nm excitation have been investigated. The PL spectra showed four strong emission peaks at 460, 571, 609, and 653 nm. The first emission peak at 460 nm could be due to a structural defect of the lattice, an oxygen-deficient WO₃ complex. The other three emissions at 571, 609, and 653 nm were due to the f-f forbidden transitions of the 4f electrons of Sm³⁺, corresponding to ⁴G_5/2→⁶H_5/2 (571 nm), ⁶H_7/2 (609 nm), and ⁶H_9/2 (653 nm), respectively. In addition, the optimum Sm³⁺ concentration in CaWO₄ nanoparticles for optical emission was determined to be 1.0%. The Sm³⁺⁴G_5/2→⁶H_7/2 (609 nm) emission intensity of Sm³⁺-doped CaWO₄ nanoparticles significantly increased with the increase of Sm³⁺ concentration, and showed a maximum when Sm³⁺ doping content was 1.0%. If Sm³⁺ concentration continued to increase, namely more than 1.0%, the Sm³⁺⁴G_5/2→⁶H_7/2 emission intensity would decrease. The present materials might be a promising phosphor for white-light LED applications.     

Ca2SiO4:Dy3+材料的制备及其发光特性

采用高温固相法制备了Ca₂SiO₄:Dy³⁺发光材料.在365nm紫外光激发下,测得Ca₂SiO₄:Dy³⁺材料的发射光谱为一多峰宽谱,主峰分别位于486nm,575nm和665nm处;监测575nm发射峰,测得材料的激发光谱为一多峰宽谱,主峰分别位于331nm,361nm,371nm,397nm,435nm,461nm和478nm处.研究了Dy³⁺掺杂浓度对Ca₂SiO₄:Dy³⁺材料发射光谱及发光强度的影响,结果显示,随Dy³⁺浓度的增大,黄、蓝发射峰强度比(Y/B)逐渐增大,利用Judd-Ofelt理论解释了其原因;随Dy³⁺浓度的增大,Ca₂SiO₄:Dy³⁺材料发光强度先增大,在Dy³⁺浓度为4 mol%时到达峰值,而后减小,根据Dexter理论其浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用.研究了电荷补偿剂Li⁺,Na⁺和K⁺对Ca₂SiO₄:Dy³⁺材料发射光谱的影响,结果显示,不同电荷补偿剂下,随电荷补偿剂掺杂浓度的增大,Ca₂SiO₄:Dy³⁺材料发射光谱强度的演化趋势相同,即Ca₂SiO₄:Dy³⁺材料发射峰强度先增大后减小,但不同电荷补偿剂下,材料发射峰强度最大处对应的补偿剂浓度不同,对应Li⁺,Na⁺和K⁺时,浓度分别为4mol%,4mol%和3mol%. 关键词： 白光LED 2SiO₄:Dy³⁺')" href="#">Ca₂SiO₄:Dy³⁺ 发光特性 电荷补偿