非简并p型Hgi-xMnxTe单晶（z〉0.17）的负磁电阻机理研究

研究磁性半导体中负磁电阻产生机理对正确理解载流子与磁性离子间的sp．d磁交换作用是非常重要的．通过变温（10-300K）磁输运和变温（5-300K）磁化率实验研究了一系列不同Mn含量非简并P型Hgl-xMn。Te单晶佃〉0．17）的负磁电阻和顺磁增强效应．实验结果表明其负磁电阻与温度的关系和磁化率与温度的关系基本一致,两者都包含一个呈指数型变化的温度函数exp（-K／T）．根据磁性半导体的杂质能级理论,非简并P型H譬1-xMnxTe单晶在低磁场范围内出现负磁电阻效应的主要物理机理为外磁场的磁化效应使得受主杂质或受主型束缚磁极化子的有效电离能减小．     

Cu对Ni50Mn36In14相变和磁性的影响

文章研究了Cu替代部分Ni对铁磁性形状记忆合金Ni₅₀Mn₃₆In₁₄相变和磁性的影响规律. 研究表明,在Ni_50-xCu_xMn₃₆In₁₄中,随着Cu含量的增加,相变温度逐渐降低. Cu含量低于5%时,奥氏体的磁性强于马氏体的磁性, 母相和马氏体相的饱和磁化强度的差值ΔM随着Cu含量的增加而增大. 当Cu含量x=4.5时, ΔM迅速增加到80 emu/g, 并在该材料中观察到了磁场驱动的马氏体到奥氏体的转变,显示了该材料作为磁驱动磁电阻材料的潜在应用前景.当Cu含量高于5%时,奥氏体保持铁磁状态, 马氏体相由反铁磁状态变为铁磁状态,马氏体的磁性强于奥氏体的磁性, ΔM大大削弱,磁场驱动性质消失.     

溶剂热合成法制备的Zn1-xMnxO和Zn1-2xMnxLixO纳米材料的磁学性质

用溶剂热合成法在160oC制备出Zn_1-xMn_xO纳米棒和Zn_1-2xMn_xLi_xO纳米颗粒. XRD和拉曼测试结果表明Mn离子已很好地掺入ZnO母体中. M-H图中未观察到磁回滞,ESR谱中的精细结构说明掺杂的Mn离子间没有铁磁相互作用. 共掺Li仅仅改变了产物的形貌,并不能改变其磁学性质.     

稀磁半导体Zn1-xMnxTe吸收光谱压力红移的理论研究

以自由Mn²⁺离子的径向波函数为基础,通过引入电子云延伸效应系数κ来修正这一径向波函数,得到了稀磁半导体Zn_1-xMn_xTe晶体中Mn²⁺离子的径向波函数.以此波函数为基础,研究了Zn1-xMnxTe晶体吸收光谱的高压谱移特性,并且得到了吸收谱中四条谱线随压力的红移规律.     

Co1-xMnx合金电子结构和磁性的理论研究

Co_1-xMn_x合金的磁性强烈地依赖于其结构以及Mn的相对含量.从第一性原理出发,用线性缀加平面波(LAPW)方法,分别计算了x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00的情况下,面心立方(fcc)和体心立方(bcc)结构的Co_1-xMn_x合金的电子结构和基态磁性.随x的增大,fcc结构的Co_1-xMn_x合金的磁性从铁磁性和亚铁磁性变为反铁磁性;bcc结构Co相似文献   

铝掺杂ZnMnO纳米晶体的载流子调控铁磁性

通过溶胶-凝胶自燃烧技术合成了Zn_0.95-xAl_xMn_0.05O(x=0、0.03、0.05和0.07)稀磁半导体材料. 并且研究了Al掺杂对Zn_0.95-xAl_xMn_0.05O结构、电学和磁学性质的效果. X射线衍射显示合成的组合物为单相六方晶系纤锌矿型晶体结构,类似于氧化锌.显微图像显示颗粒呈团簇状,但一些单个颗粒呈现六角形纹理. 观察到的电阻率随温度升高(达450 oC)而降低,显示为半导体行为特征.所有组合物具有室温铁磁行为. 饱和磁化强度的值随着Al(载流子)浓度的增加而增加.     

La0.67Ca0.33MnO3单晶中Fe的掺杂提高本征磁电阻率和激活能的研究

La_0.67Ca_0.33MnO₃ and La_0.67Ca_0.33Mn_0.96Fe0.04O₃单晶的磁性和磁电阻特性。由于缺少晶粒间界，磁场对于自旋涨落的抑制作用更加明显，所以单晶中的磁电阻率比多晶的提高了两个数量级。通过Fe的掺杂，在40×10⁵A/m的磁场下，磁电阻率从3400%进一步提高到了17600%。通过对居里温度以上电阻率的小极化子模型拟和的结果，我们看到随着Fe的掺杂，激活能被提高。磁极化子激活能的增大可以更加局域电子，这可能是在Fe掺杂单晶中本征磁电阻率进一步提高的主要原因。     

Hg1-xCdxTe的共振拉曼散射

当入射光的光子能量接近Hg_1-xCd_xTe的E₀+Δ₀时,发现了Hg_1-xCd_xTe的共振拉曼散射,观察到了“禁戒”共振增强拉曼散射,同时也观察到了二级共振拉曼散射.分析了非共振条件下能在样品的(100)面观察到微弱的“禁戒”TO₂模以及在共振条件下“禁戒”TO₂模大大增强的原因.通过分析,发现由双LO声子引起的二级共振拉曼散射主要     

LiFexMn1-xPO4固溶体的密度泛函理论与电化学研究

本文用DFT计算方法研究了LiFe_xMn_1-xPO₄的热力学稳定性和嵌/脱锂电位. 结果表明,LiFe_xMn_1-xPO₄固溶体的自由能比相分离的LiFePO₄/LiMnPO₄混合物略高,这两种形式可能在实际LiFe_xMn_1-xPO₄材料中共存. 计算表明,LiFe_xMn_1-xPO₄固溶体的嵌/脱锂电位随锰/铁比以及过渡金属离子的空间排列而变化,并用计算结果解释了放电曲线的形状. 采用固相反应法合成了LiFe_xMn_1-xPO₄材料并研究了其电化学性质,实验中观察到附加的放电平台,其出现可能与LiFe_xMn_1-xPO₄固溶体的存在有关.     

一级相变材料Mn1.2Fe0.8P0.4Si0.6的热磁发电性能

本文报道把热能直接转换电能的热磁发电技术所用一级相变新材料Mn_1.2Fe_0.8P_0.4Si_0.6的磁性和热磁发电性能.用高能球磨机械合金化技术和固相烧结合成方法制备了Mn_1.2Fe_0.8P_0.4Si_0.6化合物.磁性测量结果表明,该化合物呈现从铁磁状态变为顺磁状态的一级相变,居里温度为337K,并伴随巨大的磁化强度的变化.根据该材料的这一特性,设计制作了热磁发电演示装置,测定了热流引起材料的相变而产生的电流,并研究了固定磁场中热致磁转变产生的电流随热流温度和样品质量的变化.研究结果表明Mn_1.2Fe_0.8P_0.4Si_0.6化合物具有很好的热磁发电性能,可作为热磁发电材料.     

p-Hg1-xCdxTe材料中轻空穴的性质研究

通过变磁场霍尔测量方法,采用由迁移率谱和多载流子拟合过程相结合的混合电导法,在12-300K范围内,获得了两块分子束外延(MBE)生长的p-Hg_1-xCd_xTe(x=0224)样品中的轻、重空穴以及体电子、表面电子的浓度和迁移率.此外,在实验中,还直接观察到了轻空穴对电导张量分量的贡献.实验值不仅具有明确的物理意义,而且有助于红外探测器模型的建立. 关键词：     

Hg1-xMnxTe远红外反射光谱

本文报道不同组份Hg_1-xMn_xTe材料在4.2—300K温度范围内的远红外反射光谱。观察别由Mn诱发的高频局域模以外另一个与Mn相关的禁带模,它的频率为97cm^-1。在理论上分析计算了这一新振动模行为。 关键词：     

稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te磁化强度及磁化率的研究

利用MPMS-7(magnetic property measurement system)型超导量子磁强计对垂直布里奇曼法生长的Hg_0.89Mn_0.11Te晶片磁化强度变化规律进行了测量.试验采用了两种不同的外场和冷却条件.首先在5 K恒温下，-5200到5200 kA/m范围内改变磁场强度进行了测定.然后维持800 kA/m恒定磁场，分别在有场冷却和无场冷却条件下，从5到300 K范围内改变温度，研究了变温条件下的磁化特性.并采用分子场近似模型，用类布里渊函数，最小二乘法对磁化强度随磁场强度变化的实验结果进行拟合和分析，结果表明，Mn²⁺离子之间存在反铁磁相互作用.磁化率和温度关系分析表明：在测试范围内Hg_0.89Mn_0.11Te是单一的顺磁相，在高温区磁化率和温度服从居里-万斯定律，呈线性关系，低于40 K时，磁化率和温度的关系偏离居里-万斯定律，表现出顺磁增强现象. 关键词： 0.89Mn_0.11Te')" href="#">Hg_0.89Mn_0.11Te 磁化强度 磁化率 类布里渊函数     

n-Hg0.80Mg0.20Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究

通过变磁场霍耳测量研究了MBE生长的Hg_0.80Mg_0.20Te薄膜在15 —250K温度范围内的输运特性.采用迁移率谱(MS)和多载流子拟合过程(MCF)相结合的方法对 实验数据进行了分析,由该方法获得的结果和Shubnikov de Hass(SdH)振荡测量的结果都证 明材料中存在二维(2D)电子和三维(3D)电子.其中2D电子主要来自于Hg_1-xMgxTe-CdTe的界面积累层或Hg_1-x关键词： 变磁场霍耳测量 界面积累层 二维电子气 1-xMg_xTe')" href="#">Hg_1-xMg_xTe     

Identification of new absorption bands in Zn1-xMnxTe

We report optical absorption measurements on Zn_1-xMn_xTe at 300K, 77K, and LHe temperatures. In an x ～ 0.6 sample, new absorption bands are found at 2.605 eV and 2.745 eV, together with two lower energy bands seen also in an x ～ 0.1 sample. All bands are attributed to intra-ion transitions of Mn²⁺ in the 3d⁵ configuration.     

Sb掺杂Hg1-xCdxTe的光致发光

对不同Sb掺杂浓度Hg_1-xCd_xTe（x≈0.38）样品在3.9—115K的温度范围内进行了光致发光实验测量，观察到与局域激子、带到带和施主受主对有关的辐射复合过程．并用光致发光手段发现Sb掺杂在x≈0.38的Hg_1-xCd_xTe中引入的约30meV的受主能级 关键词：     

Zn1-xMnxSe的低温磁化率和自旋玻璃现象

用超导量子干涉器(SQUID)磁强计对稀释磁性半导体Zn_1-xMn_xSe(0.1≤x≤0.50)的低温低场直流磁化率作了测量,测量温度从4.2K到30K,测量磁场为15Oe。当x≥0.30时,从磁化率-温度曲线的浑圆峰值,观察到了自旋玻璃的转变。自旋玻璃的转变温度T_f,对x=0.30,0.40,0.50,分别为10.5K,16K,19.5K。给出了顺磁相和自旋玻璃相的相图。比较了Zn_1-xMn_xSe和Cd_1-xMn_xSe的自旋玻璃转变温度,发现对同样的Mn离子浓度,Zn_1-xMn_xSe的T_f高于Cd_1-xMn_xSe的T_f,用交换作用的理论作了讨论。 关键词：     

STRUCTURE STUDY OF MODULATION-DOPED Cd1-xMnxTe: In/CdTe STRAINED LAYER MULTIPLE QUANTUM WELLS

The photomodulated reflectivity (PR) spectroscopy of modulation-doped diluted mag-netic semiconductor Cd_1-xMn_xTe: In/CdTe multiple quantum wells has been measured at 20-300K. Several spectral features associated with intersubband transitions have been found. The band structure of Cd_1-xMn_xTe: In/CdTe has been calculated by the Hartree self-consistent method. The results show that the theory is in agreement with experiments. In addition, an abnormal transition intensity ratio of 22H (the second heavy hole subband to the second electroa subband) to 11H (the first heavy hole subband to the first electron subband) caused by electron filled effect has been reported. At low temperature, a feature associated with Fermi level is observed, which has not been reported before.     

Hg1-xCdxTe禁带以上的本征光吸收

讨论了HgCdTe三元半导体在能量大于禁带宽度范围内的本征吸收光谱。经过分析比较实验数据,Kane理论结果以及几种经验公式,指出Anderson从Kane模型获得的理论公式及褚君浩等从实验结果得出的经验公式,最符合HgCdTe禁带以上本征光吸收行为。文中还就外延薄膜样品的本征吸收进行了讨论。 关键词：     

Magnetische untersuchungen an mischkristallen der quasibinären legierungssysteme (Cd Te)1-x (Mn Te)x und (Sn Te)1-x (Mn Te)x

The magnetic susceptibility and magnetization are presented for polycrystalline samples of the alloy systems Cd_1-xMn_xTe 0 < x 0.1 and Sn_1-xMn_xTe 0 < 4 0.4. The magnetic measurements were performed between 2.3 K and 300 K in external magnetic fields up to 11 kOe. At sufficiently high temperatures the susceptibility can be described by a Curie-Weiss law. In the system Sn_1-xMn_xTe θ_p is positive. A linear dependence θ_p ∞ x was found with θ_p(0.4) = 49 K. In the series Cd_1-xMn_xTe θ_p changes sign. For θ < x < 0.04 θ_p is positive with a maximum θ_p ≈ 10 K at x = 0.02. In the region x #62; 0.04 θ_p becomes negative with θ_p = -35 K at x = 0.1. The effective spin value of manganese is S_eff #62; 5/2 for all the samples. The investigation was done to check the assumption that ferromagnetic coupling may exist in tellurides of manganese if the shortest distance d_MnMn is greater than 3.4 Å. This hypothesis has been stated. In the case θ_p #62; 0 the results are partly explained by the RKKY exchange coupling.