ZnSe－CdZnSe多量子阱F－P腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳

ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳栗红玉，申德振，张吉英，范希武，杨宝均（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）近年来，半导体超晶格的光双稳器件由于...     

电场调制下单量子阱ZnCdSe／ZnSe的激射行为研究

近年来,随着宽禁带Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展［１］,对ＺｎＳｅ基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究［２,３］,同时对电场调制下的ＺｎＳｅ基超晶格的受激发射也有过报导［４］．但对于电场调制下的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ基单量子阱的激射行为研...     

ZnSe－ZnS量子阱的光学非线性

半导体量子阱及超晶格材料具有室温激子效应以及强的光学非线性从而得到人们广泛的重视。利用半导体量子阱和超晶格可以制备出高速度、低闭值、小尺寸及室温工作的半导体激光器、光双稳器件等一系列光电子器件.     

ZnSe－ZnTe多量子阱室温下的反射型皮秒激子光双稳

本文首次研究了ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的反射型皮秒激子光双稳，实验结果表明，ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的反射型皮秒光双稳的阈值光强和对比度分别为１．１ＭＷ／ｃｍ２和６：１．根据测量得到的ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的激子吸收光谱及激子的非线性吸收理论，归结ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱室温下的皮秒光双稳的主要非线性机理为ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱的激子饱和吸收引起的折射率变化．     

光电子学与光电子产业专题系列介绍 量子阱电光调制器和光开关

讨论了半导体量子阱中量子限制Ｓｔａｒｋ效应（ＱＣＳＥ）──垂直于量子阶层而的电场下吸收边的红移现象．由于这个效应，量子阱材料吸收边附近的光学常数受电场调制，其调制率比体村料大得多．利用吸收系数的变化可以制作光强度调制器和光开关，利用折射率的变化可以制作光相位调制器和光开关．这些器件因其工作电压低、调制率高、插入损耗小、功耗小，可以和其他光器件单片集成，在光通信和光信息处理技术中有实用价值．也讨论了半导体超晶格中Ｗａｎｎｉｅｒ－Ｓｔａｒｋ局域化效应，它引起超晶格吸收边的兰移，这一效应也可用于制作光调制器和光开关．     

半导体多量子阱结构的非线性光学

1982年以前,人们对半导体光学非线性的研究都局限于体材料.激子的非线性效应大都局限于低温.1982年以来,由于半导体材料生长技术,特别是分子束外延技术的发展,开始对多量子阱结构(也叫超晶格结构)材料的光学非线性及非线性效应进行研究. 研究结果表明,体材料的激子只在低温下才     

宽禁带II—VI族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究

介绍了宽禁带ＩＩ－ＶＩ族化合物半导体ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ和ＺｎＣｄＳｅ外延膜及它们的超晶格的分子束外延生长。用Ｘ射线衍射法（ＸＲＤ）和光致发光（ＰＬ）法分别对其结构特性和光学特性进行了研究。尤其是对超晶格样品所进行的温度变化的ＰＬ研究，得出了对于ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅ超晶格，其激子激活能（Ｅａｃｔ）仅为１７ｍｅＶ，我们用ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅ导带不连续较小来解释这个结果。而对于ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超     

Ⅱ—Ⅵ族稀磁半导体ZnSe／Zn1—xMnxSe超晶格中的应力效应

本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１￣３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ超晶格中的激子能量随ｘ值增加而发生红移。在相同组分下，不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化，从而影响超晶格中激子能量。实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度     

ZnSe—ZnS多量子阱光学吸收非线性时间特性及其机制

利用飞秒泵浦一探测技术，在７７Ｋ温度下测量了ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱材料的光学吸收非线性时间特性，其上升时间为１０ｐｓ，恢复时间为１４ｐｓ，讨论了其产生机制为带填充。     

一种合成量子点的新方法

由于在光计算、光学信息处理等方词的潜在应用前景,半导体材料的光学非线性性质始终受到广泛关注。量子尺寸效应对半导体性能的影响引起了人们极大的兴趣。除了量子阱和超晶格结构外,在半导体的超微粒方面也进行了大量的研究。有关超微粒材料的四波混频,吸收谱带兰移、载流子弛豫及光学双稳态的实验结果已有报道。     

Zn1—xMnx／ZnSe应变超晶格分子束外延生长及光学特性研究

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６），超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构，应变分布以及光学性能进行了研究，结果表明，２Ｋ温度下，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的光致发光中主发光峰对应于ＺｎＳｅ阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁，而且其峰位相对于ＺｎＳｅ薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中，当超晶     

ZnSe—ZnS应变超晶格光学振动模的研究

本文给出了ＣａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格的室温Ｒａｍａｎ分析，观测了该超晶格中ＺｎＳｅ子层和ＺｎＳ子层的纵光学振动模（ＬＯ），首次发现在一些样品中ＺｎＳｅ子层的纵光学声子模ＬＯＺｎＳ出现蓝移，而ＺｎＳ子层的ＬＯＺｎＳ总是向低波数方向移动，并利用限制效应和应变效应给出了解释。     

半导体微结构物理效应及其应用讲座 第2讲 量子阱、超晶格物理及其在光电子领域中的应用

文章介绍了半导体量子阱、超晶格的基本物理，以及它在光电子领域中的应用，包括量子阱、量子线、量子点、激光器、光调制器、自电光效应器件、量子点器件等．     

ZnSe/ZnCdSe超晶格的共振拉曼散射特性

ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ超晶格的共振拉曼散射特性李文深池元斌＊李岩梅＊范希武申德振杨宝均王敬伯（中国科学院长春物理研究所，激发态物理开放实验室长春１３００２１）＊（吉林大学超硬材料国家重点实验室，长春１３００２３）ＲｅｓｏｎａｎｔＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒ...     

ZnSe－ZnS应变超晶格光学振动模的研究

本文给出了ＣａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格的室温Ｒａｍａｎ分析，观测了该超晶格中ＺｎＳｅ子层和ＺｎＳ子层的纵光学振动模（ＬＯ），首次发现在一些样品中ＺｎＳｅ子层的纵光学声子模ＬＯＺｎＳ出现红移，另一些样品中ＬＯＺｎＳｅ出现蓝移，而ＺｎＳ子层的ＬＯＺｎＳ总是向低波数方向移动，并利用限制效应和应变效应给出了解释。     

半导体低维体系简介

介绍了量子阱、量子线、量子点、半导体超晶格、二维电子气等典型的低维半导体结构及其性质和分析方法。     

利用拉曼散射、共振拉曼散射及瑞利散射对ZnSe-ZnS多量子阱材料光谱的判定

利用拉曼散射、共振拉曼散射及瑞利散射对ＺｎＳｅ┐ＺｎＳ多量子阱材料光谱的判定赵福潭王淑梅苏锡安刘行仁（中国科学院激发态物理开放研究实验室长春１３００２１）ＤｉｓｔｉｎｇｕｉｓｈｉｎｇｏｆＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅＳｐｅｃｔｒａｉｎＺｎＳｅ┐ＺｎＳＭＱＷ...     

双量子阱中的子带光吸收

由于微制造技术的不断发展,如液相外延(LPE),气相外延(VPE),金属有机化学气相沉积(MOCVD)以及分子束外延技术(MBE)等先进的材料生长技术方法也日趋完善,从而使得各种低维半导体量子器件(如半导体、超晶格、量子阱、量子线和量子点等)制造日趋成熟。由于这些低维半导体量子器件具有很强的非线性光效应,而且随着材料、外形、尺寸等的不同,非线性光效应也有很大的差别,更由于其可能存在的广泛的应用前景,所以近年来,一直是人们研究的重点。近来,由于人们相信,利用GaAs／AlGaAs量子阱有可能制造出一些新型的光学仪器,如光开关、光限幅器、光调制器等,所以,对不同势形的GaAs／AlGaAs量子阱的非线性光学特性一直吸引着人们进行理论和实验的研究。而在最近几年,对双量子阱的研究也成为了人们的研究重点。通过密度矩阵和迭代的方法,得到双量子阱中的第一、第三阶子带光吸收表达式,我们将用一个典型的GaAs／AlGaAs双量子阱代入其中进行数值计算,并进行讨论。我们的计算结果显示,阱的光吸收峰不但与中间的势垒宽度有关,更与入射光强有关。     

ZnSe－CdZnse多量子阱光双稳器件的研制

本文采用电化学选择性腐蚀工艺对ＧａＡｓ衬底蚀孔，在其上获得了大面积具有光滑表面的Ⅱ－Ⅵ族半导体多量子阱外延膜．通过在其表面蒸镀反射膜，制成了高质量的Ｆ－Ｐ腔，制备出ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件．     

量子阱中激子吸收的二维性

一、半导体超晶格和量子阱 最近十几年来,在半导体材料、物理、器件研究的领域中半导体超晶格和量子阱的研究十分活跃。可以这样说,这方面的研究是整个半导体领域中最大、最有前途、内容最丰富的一个生长点。 什么是超晶格?众所周知,晶态固体内的原子是周期性排列的。如果用人工控制的办法能够使材料的结构以原周期的若干倍周期性地变化,这样得到的材料就叫做超晶格。目前研究得最多的超晶格材料是交替生长两种半导体薄层多次而形成的.如在一块衬底材料上生长。个原子层的A半导体(例如 GaAs),再生长 n个原子层的B半导体(例如 Gal.xAI人s,…