Ni~(2+):LiNbO_3的光学吸收谱和EPR的研究

应用三角晶场中d2 (d8)电子组态的包括静电相互作用和自旋 轨道耦合相互作用的强场能量矩阵 ,采用完全对角化方法 ,精确地计算了具有C3V 对称的Ni2 +:LiNbO3 的光学吸收谱和EPR谱。理论结果与实验值符合得很好     

Ni^2＋：CsMgCl3的光学吸收谱和EPR的研究

应用三角晶场中d^2(d^8)电子组态包括静电相互作用和自旋－轨道耦合作用的强场能量矩阵,采用完全对角化方法,精确地计算了具有D3d对称的Ni^2 :CsMgCl3的光学吸收谱和EPR谱,理论结果与实验值符合得很好。     

Ni^2＋：LiNbO3的光学吸收谱和EPR的研究

应用三角晶场中d^2(d^8)电子组态的包括静电相互作用和自旋－轨道耦合相综合利用物强场能量矩阵,采用完全对角化方法,精确地计算了具有C3V对称的Ni^2 :LiNbO3的光学吸收谱和EPR谱。理论结果与实验值符合得很好。     

Ni2+:RbMgF3的电子顺磁共振谱的研究

含有过渡金属离子的晶体的光学吸收谱、零场分裂D值和g因子与晶体结构有密切关系,应用Ni^2 的参量化d轨道和三角晶场中d^8电子组态的强场能量矩阵,通过建立完全对角化方法,精确地计算了具有C3ν和D3d两种对称的Ni^2 ：RbMgF3的电子顺磁共振谱,分析了Ni^2 ：RbMgF3的零场分裂D值和g因子与晶体结构参量R和θ的依赖关系。理论值与实验值符合得很好。     

三角对称晶场下d8电子组态的EPR参量的普遍公式及其应用

本文考虑到d⁸电子组态中所有自旋三重态和自旋单态对基态的影响,用高阶微扰法导出了d⁸电子组态在三角对称晶场下光谱和基态EPR普遍公式。发现在三角对称晶场下,d⁸电子组态离子的g_⊥ > g_‖或g_⊥ < g_‖和D > 0或D < 0是以立方对称晶场为界,晶体中顺磁离子的配体沿C₃轴伸长或压缩所致。利用所得公式计算了NiCl₂和NiSiF₆·6H₂O晶体的EPR参量,其结果与实验吻合较好。     

(ψ_4As)CuCl_3晶体中Cu~(2+)-Cu~(2+)离子对的EPR研究

本文在晶场理论的基础上,考虑了Cu~(2+)-Cu~(2+)离子间的交换作用后,得到了(φ_4As)CuCl_3晶体中Cu~(2-)-Cu~(2-)离子对的跃迁能级,g-因子和零场分裂,计算结果与实验符合较好。     

(φ4As) CuCl3晶体中Cu2+-Cu2+离子对的EPR研究

本文在晶场理论的基础上,考虑了Cu²⁺-Cu²⁺离子间的交换作用后,得到了(φ₄As) CuCl₃晶体中Cu^2--Cu^2-离子对的跃迁能级,g-因子和零场分裂,计算结果与实验符合较好。     

LiNbO_3:Ni~(2+)的常压能谱和g因子

采用强场方案,通过将d8完全能量矩阵对角化,统一计算了LiNbO3:Ni2+的常压能谱和g因子,计算结果与大量实验数据符合很好.给出了各个能级对不同参量的变化率.研究表明,利用对角化完全能量矩阵获得的波函数对g因子所作的计算为整个理论计算及波函数的归属提供了重要判据,充分体现了将能谱和g因子作统一计算的重要性和必要性. 关键词： 晶场 能谱 g因子     

掺入Ni~(2+)和V~(3+)对α-Al_2O_3晶体光谱精细结构、晶体局域结构和零场分裂参量的影响

应用晶体场理论和不可约张量算符方法构造了3d2/3d8态离子在C3v对称晶场中包含自旋-轨道相互作用、自旋-自旋相互作用、自旋-其它轨道相互作用和其它轨道-其它轨道相互作用四种微观磁效应的45阶可完全对角化的能量哈密顿矩阵.利用该矩阵,计算了V3+∶α-Al2O3和Ni2+∶α-Al2O3晶体的光谱精细结构、晶体局域结构和零场分裂参量,研究了掺入两种互补态离子Ni2+和V3+对同种晶体的光谱精细结构、晶体局域结构和零场分裂参量的影响,理论计算值和实验值相符.研究发现:掺杂没有改变晶体的光谱精细结构和能级分裂条数,但改变了能级间距;掺杂也没有改变晶体的对称性,但使晶体局域结构发生了一定程度的畸变;Ni2+∶α-Al2O3晶体局域结构的伸长畸变量大于V3+∶α-Al2O3晶体,键角的变化量小于V3+∶α-Al2O3晶体.     

晶体Zn(antipyrine)2(NO3)2:VO2+的EPR谱及光吸收谱的理论研究

由于硝酸钒锌二安替比林晶体[Zn(antipyrine)2(NO3)2:VO2 ]中配体O2-的自旋-轨道耦合参量ζ0p≈150 cm-1与中心过渡族3d1离子V4 的ζ0d≈248 cm-1相差不太大,故配体的自旋-轨道耦合参量ζ0p对电子顺磁共振(EPR)谱和光吸收谱的贡献必须考虑.采用双自旋-轨道耦合参量模型和相关的晶体场能级公式,计算了Zn(antipyrine)2(NO3)2:VO2 晶体的EPR谱和光吸收谱,所得理论结果与实验发现很好符合;确定了该晶体的局域对称结构沿C4轴的四角畸变约为0.45 nm;计算发现,较大的κ值说明VO2 中未配对的s电子对超精细结构常数有较大的贡献.并对上述这些结果的合理性进行了讨论.     

ZnO:V3+晶体光谱和电子顺磁共振谱的理论研究

采用强场耦合图像,建立了3d2电子组态在三角对称中的45×45能量矩阵,通过对角化完全能量矩阵的方法,计算出了ZnO:V3 晶体的45条光谱能级和5个电子顺磁共振谱参量(零场分裂D,g因子g//,g⊥和超精细结构常数A//,A⊥),计算结果与实验数值能很好地符合.计算中还发现V3 杂质中心的局部结构与基质晶体的结构不一致,即V3 在ZnO中并不占据准确的Zn2 位置,而是沿c3轴方向位移一段距离△Z≈0.003 nm.作者对上述这些结果的合理性进行了讨论.     

计算晶体CdCl2:Ni2+的电子顺磁共振谱的完全对角化和高阶微扰方法

采用半自洽场自由Ni²⁺的d轨道波函数和点电荷-偶极子模型,建立局部结构、光谱与电子顺磁共振(EPR)谱(零场分裂D和顺磁g因子)之间的定量关系.利用完全对角化方法(CDP)和高阶微扰方法,统一解释CdCl₂:Ni²⁺晶体的局部结构、光谱和电子顺磁共振谱(EPR),并比较两种计算方法得到的结果.     

晶体NiF2的吸收光谱和电子顺磁共振谱的一种完全对角化计算

采用半自洽场(semi-SCF)自由Ni²⁺的d轨道波函数、点电荷-偶极子模型和Ni²⁺-6X^-(X=F,Cl,Br,I)络合物的μ-κ-α模型,建立结构参数与光谱、电子顺磁共振(EPR)谱(零场分裂D,E和顺磁g因子)之间的定量关系.利用能量矩阵完全对角化方法(CDP)和高阶微扰方法,统一解释NiF₂晶体的局部结构、吸收光谱和电子顺磁共振谱(EPR).比较两种方法计算得到的零场分裂D,E和顺磁g因子.结果表明:①高阶微扰方法算出的D,E值误差大;②能量矩阵完全对角化方法(CDP)算出的D,E值、光谱、顺磁g因子的值都与实验符合很好.     

晶体PZCST:VO2+的EPR谱及光吸收谱的理论研究

采用双旋-轨耦合参量模型和3d¹电子组态在四角对称下的能级公式,计算了KZnClSO₄·3H₂O(PZCST): VO²⁺的EPR谱和光吸收谱,所得EPR谱和光吸收谱的理论结果与实验发现符合得很好. 研究发现,该晶体沿C₄轴局域对称结构呈压缩的四角畸变,其大小为0.47 nm;大的κ值表明VO²⁺的未配对电子的自旋极化对超精细结构常数有着较大的贡献.     

镱掺杂钼酸铅的光谱和EPR谱的理论研究

该文表达了一个研究Yb³⁺掺杂PbMoO₄晶体的光谱和电子顺磁共振谱(EPR)的理论方法. 采用晶体场理论,推导了有关光谱和电子顺磁共振谱的公式. 基于这些理论公式,构建了4f¹³电子组态在D_2d晶体对称下包括Zeeman磁相互作用的14阶能量矩阵. 通过对角化这一能量矩阵,研究了Yb³⁺掺杂PbMoO₄晶体的光谱和电子顺磁共振谱. 所得的理论结果与实验值很好符合. 而且,相关的晶体场参量也在研究中确定.     

CuAlS2∶Ni+晶体光谱和电子顺磁共振谱研究

Ni 离子在三元化合物CuAlS2半导体中替代离子Cu .应用晶体场理论,结合CuAlS2中Cu 位置的结构数据,计算了CuAlS2∶Ni 晶体的光谱和电子顺磁共振谱(g因子和超精细结构常数),计算结果与实验值符合得很好.     

三角晶场中4A2(3d3)态离子全组态EPR理论研究

在中间场耦合图像中,建立了＾４Ａ２（３ｄ＾３）态离子全组态ＥＰＲ理论;研究了ＥＰＲ参量随三角晶参量Ｖ、Ｖ＇及立方晶场参量Ｄｑ变化关系;用完全对角化方法验证了Ｍａｃｆａ５ｌａｎｅ ＥＰＲ的三阶微扰公式,结果表明,在较大的晶场范围内微扰公式的收敛性很好;研究了ＥＰＲ参量的微观起源及自放二重态对ＥＰＲ参量的贡献,指出自旋二重 对零场分裂参量的贡献不可忽略,二重态对ｇ因子的贡献甚微。