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采用线性组合算符和变分方法研究了极性晶体膜中激子与表面光学(SO)声子强耦合、与体纵光学(LO)声子弱耦合体系的性质,推导出了激子诱生势的表达式,并以AgBr晶体为例进行了数值计算.结果表明:激子的诱生势不仅与电子-空穴间距离有关,而且温度与极性晶体膜厚度对激子诱生势的影响也十分显著. 相似文献
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在强耦合极化子模型基础上,采用Lee-Low-Pines(LLP)变分法研究了极性晶体膜中激子与表面光学(SO)声子强耦合、与体纵光学(LO)声子弱耦合体系的性质.讨论了极性晶体膜中激子的诱生势与膜厚度和温度的变化关系.结果表明:激子的诱生势不仅与电子-空穴间距离有关,而且与极性晶体膜厚度有关,同时温度对激子诱生势的影响十分显著. 相似文献
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极性晶体中表面极化子的温度效应 总被引:5,自引:3,他引:2
有不少的极性晶体,电子与体纵光学声子的耦合弱,但与表面光学声予的耦合强.本文讨论电子和体纵光学声子耦合弱,与表面光学声子耦合强时对表面极化子的温度特性的影响,用线性组合算符法研究表面极化子的振动频率、诱生势和有效质量的温度依赖性.对AgBr晶体进行了数值计算,结果表明极化子的振动频率,诱生势和有效质量随温度的升高而减小. 相似文献
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采用Huybrechts线性组合算符和Lee-Low-Pines变换法研究了温度和极化子效应对量子阱中激子与界面光学声子强耦合又与体纵光学声子弱耦合体系基态的影响,推导出激子基态的诱生势和基态能量的移动的表达式. 以AgCl/AgBr量子阱为例进行了数值计算,结果表明,由激子-界面光学声子强耦合所产生的激子基态的诱生势和基态能量的移动随温度的升高而增大,而由激子-体纵光学声子弱耦合所产生的激子基态的诱生势和基态能量的移动随温度的升高而减小. 相似文献
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采用Huybrechts线性组合算符和Lee-Low-Pines变换法研究了温度和极化子效应对量子阱中激子与界面光学声子强耦合又与体纵光学声子弱耦合体系基态的影响,推导出激子基态的诱生势和基态能量的移动的表达式. 以AgCl/AgBr量子阱为例进行了数值计算,结果表明,由激子-界面光学声子强耦合所产生的激子基态的诱生势和基态能量的移动随温度的升高而增大,而由激子-体纵光学声子弱耦合所产生的激子基态的诱生势和基态能量的移动随温度的升高而减小.
关键词:
量子阱
强耦合激子
极化子效应
温度依赖性 相似文献
7.
强耦合极化子的温度依赖性 总被引:7,自引:1,他引:6
本文研究极性晶体中强耦合光极化子的性质,采用Huybrechts线性组合算符法.得到了有限温度下强耦合光极化子的基态能量.文中对RbCl晶体进行数值计算.结果表明,极化子的振动频率、平均数和基态能量随温度的升高而增加. 相似文献
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采用Tokuda改变的线性组合算符法和改进的LLP变分法,研究了晶格热振动对无限势垒量子阱中电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合系统的影响,推导出作为阱宽和温度函数的极化子有效质量的表达式. 尤其得到了量子阱中极化子的振动频率及其随阱宽和温度变化的规律. 对KI/AgCl/KI量子阱进行了数值计算,结果表明,极化子的振动频率和有效质量随阱宽的增加而减小、随温度的升高而减小,但不同支声子与电子相互作用对极化子的振动频率和有效质量的贡献以及它们随阱宽和温度的变化情况大不相同.
关键词:
量子阱
强耦合极化子
振动频率
有效质量
温度依赖性 相似文献
13.
采用一维紧束缚近似的SSH模型,计算了不同强度的电场下高聚物中一个负电极化子和一个三重态激子的碰撞过程.结果表明,碰撞后体系仍保持为极化子和三重态激子状态的几率最大,束缚在极化子缺陷中的电子有较大的几率被激发到导带形成自由电子,另外,三重态激子有一定的几率被极化子湮灭形成极化子激发态.极化子和激子的碰撞对极化子的稳定性有影响,还会使能隙中出现新的能级.由于极化子激发态可以通过辐射跃迁回到基态,因此碰撞会对高聚物的电致发光效率产生一定影响.研究结果对于理解高聚物中极化子的输运性质和高聚物的发光性质具有一定的
关键词:
极化子
激子
高聚物 相似文献
14.
采用线性组合算符法和变分法,讨论了极性晶体膜中电子与SO声子耦合强,与LO声子耦合弱的电子-声子相互作用系统的有效质量.得出了束缚极化子的有效质量随膜厚的变化规律.对KCl材料进行数值计算的结果表明,不同支声子与电子相互作用对有效质量的贡献并不相同,而且由于束缚势的存在,使有效质量增大. 相似文献
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J. L. Tallon R. G. Buckley M. P. Staines G. Betteridge W. H. Robinson 《辐射效应与固体损伤》2013,168(1-4):299-305
Abstract Using the ultrasonic piezoelectric composite oscillator technique we have measured the temperature dependence of dislocation charge in bent KCl single crystals as a function of Ca impurity concentration. In each case the charge changes sign at an extrinsic isoelectric temperature, Te , and the shift in Te with impurity concentration allows the calculation of the individual thermodynamic vacancy formation parameters. We obtain h+ = 1.244±0.014 eV, s+ = 4.50±0.19 k, h- = 1.346? 0.014 eV and s- = 5.11?0.19K. 相似文献