高性能汽车TrenchMOS MOSFET

飞利浦电子推出采用飞利浦无损耗封装(LFPAK)的高性能汽车(HPA)TrenchMOS MOSFET，设备结合了飞利浦在汽车领域的经验和TrenchMOS技术，     

以LFPAK为封装的汽车功率MOSFET系列

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）发布了以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOS．FET。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验,新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是高度可靠的功率SO—8封装。     

功率MOSFET的封装失效分析

在半导体器件的生产工艺过程中,MOSFET器件的芯片结构不同于普通晶体管,而且,MOSFET器件对后道装配的要求也较高,文中从生产实际出发,对功率MOSFET器件在测试中出现的不良品进行了分析,并对其失效机理和影响因素进行了探讨,最后提出了相应的改进措施。     

恩智浦发布了符合汽车工业标准的LFPAK封装功率MOSFET

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验,新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是世界上高度可靠的功率SO-8封装。     

MOSFET的损耗分析与工程近似计算

根据MOSFET的简化模型,分析了导通损耗和开关损耗,通过典型的修正系数,修正了简化模型的极间电容。通过开关磁铁电源的实例计算了工况下MOSFET的功率损耗,计算结果表明该电源中工况下的MOSFET功率损耗比较小,可以长时间可靠稳定的工作。     

恩智浦推出全球首款低于1Ω、采用Power SO8封装的MOSFET

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出全球首款N通道、1mΩ以下25VMOSFET产品,型号为PSMN1R2-25YL,它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装（无损耗封装：LFPAK）中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power—S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体．可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势．     

表面贴装功率MOSFET封装的演进

功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件,而且也代表着一个众所周知的事实--硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离.     

未来微处理器的封装技术—8新型无凸点叠层封装

无凸点叠层（BBUL）封装技术是Intel公司研制出的1种新型封装技术，用以满足未来微处理器封装技术的要求，这种BBUL封装技术具有巨大的优越性，它免除了大多数高性能的倒装芯片所用的大量焊料凸点互连，使环路电感量小，热机械应力小，不但减小芯片连接的寄生效应，而且提高了微处理器芯片的效率，此外，该封装的体积比传统封装更小，更轻，使多芯片之间的互连更为紧密，特别适合于高引出端的电子类及光电子产品，如逻辑单元，存储器，射频器件以及微型机电一体化系统。本主要从其发展背景，工艺及特性方面阐述这种新型BBUL封装技术，最后提出一些建议。     

采用芯片级封装的功率MOSFET

8VN沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB采用超小的0．8mm×0．8ram芯片级封装,占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36％,而导通电阻则与之相当甚至更低。     

采用CSP封装的P沟道MOSFET

采用1mm×1．5min×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P,能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1．5V额定电压PowerTrench工艺设计,结合先进的WL—CSP封装,将导通电阻和所需的PCB空间减至最小。这款P沟道MOSFET器件的侧高比标准P沟道MOSFET降低40％,可满足下一代手机、MP3播放器和其他便携应用的要求。该器件具有低RDS（ON）（典型值74mΩ＠-4．5V VGS）,能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能（1．9W）。     

创新的MOSFET封装大大简化电源的设计

目前,电源工程师面临的一个主要难题是,随着商用电子产品的功能日益增多,其尺寸不断缩小,留给电源电路的空间越来越少。解决该难题的办法之一就是充分利用MOSFET技术和封装的进步。     

探讨采用绿色和非绿色模塑料封装的功率MOSFET器件之性能

绿色指令推动半导体厂家在其微电子产品封装中摒弃氧化锑、阻燃剂及卤代化合物之类的环境有害物质,然而人们可能担心,绿色封装中的新化学材料有可能影响半导体器件的性能.本文中通过热压应力测试对采用绿色和非绿色环氧模塑料(EMC)封装的功率晶体管的性能进行了评测.实验表明,绿色器件的电气和物理性能都优于非绿色器件.     

Vishay推出采用业内最小芯片级MICRO FOOT封装的新款Vishay Siliconix功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc．宣布．推出采用业内最小0．8×0．8×0．4mm MICROFOOT@封装的CSP规格尺寸,具有业内最低导通电阻的新款12V和20V的N沟道和P沟道TrenchFET功率MOSFET。     

采用绝缘型封装的沟道型功率MOSFET在低压车用驱动电路中的应用

本文介绍了功率半导体器件的一个新家族，即绝缘型封装的低压沟道型MOSFET：对MOSFET和封装技术做了一个简单介绍。由此可以衍生出几种器件和功率等级和特性。另外对这些新器件的典型运用作了一个介绍：如用在作为汽车辅助驱动电路的变换器中及用电池供电的运输工具中。     

方形扁平无引线QFN封装的研究及展望

方形扁平无引线(QFN)封装是方形扁平封装(QFP)和球栅阵列(BGA)封装相结合发展起来的先进封装形式,是SMT技术中产品体积进一步小型化的换代产品.讨论了QFN技术的改进及工艺自动化发展进程,指出其必将成为半导体器件高端主流封装形式之一.     

SiC MOSFET模块化直流固态断路器的集成化封装

直流断路器是关断直流输配电网中短路电流的关键设备。与机械断路器相比,使用半导体器件关断短路电流的固态断路器(SSCB)和混合断路器在响应时间方面表现出很大的优势。多个半导体器件串联有助于直流SSCB承受直流母线的高压,但会导致高成本和大体积。提出了一种基于SiC MOSFET模块化主从驱动的直流SSCB,所有串联器件仅需一个驱动器,简化了栅极驱动电路。对模块进行单面散热封装,可以减小寄生电感并优化散热,使器件的性能得到更好的发挥。实验结果表明,该直流SSCB可以承受700X V的直流母线电压(X为模块数),可在20μs内关断70 A短路电流。模块化设计具有更高的灵活性和更低的成本。     

IR推出采用新型WideLead封装的车用MOSFET系列

可减少50%引线电阻,同时提高30%电流 国际整流器公司（IR）推出采用新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET系列,与传统的TO-262封装相比,可减少50%引线电阻,并提高30%电流。