BSO晶体空间光学双稳态

在理论上预言了一种新的参量空间光学双稳态，即以偏置电压为输入参量，Ｂｉ１２ＳｉＯ２０晶体输出的高斯光束远场光斑中心点的光强为输出参量和输入高斯光束功率为常量的一种光学双稳态。并且在实验中分别实现了正偏置和反偏置两种情况下的偏置双稳态。     

基于BSO晶体的振动测量系统

利用光折变晶体材料,可实现宽带、微小振动测量。测量系统采用零差干涉结构,使用硅酸铋(BSO)晶体记录信号光与参考光干涉所形成的动态全息,并实时衍射,再由光电探测器探测从BSO晶体出射的透射信号光与衍射参考光所形成的干涉信号,从而实现对振动的测量。通过对BSO晶体中全息记录条件,包括两光束夹角、光强比,与衍射效率关系的研究,确定了最佳记录条件。在参考光路中利用1/4波片改变光束偏振态,使干涉系统在BSO晶体不加外电场情况下,具有较高测量灵敏度。以一定频率驱动的压电陶瓷为被测物体,在0.5～90kHz的频率范围内所测量到的振动频率与预先加载的频率一致。     

Ce∶KNSBN晶体两波耦合中的光扇效应

采用两波耦合非同时读出实验装置 ,测量了掺铈钾钠铌酸锶钡 (Ce∶KNSBN)晶体两波耦合过程中的信号光和抽运光非同时打开条件下两波耦合增益的时间变化规律 ,讨论了光扇的入射光强阈值及光扇效应对两波耦合动态过程的影响。结果表明 :6 32 .8nmHe Ne激光在Ce∶KNSBN晶体中写入体光栅时 ,光扇效应存在明显的写入光强阈值特性 ,当入射光强大于 30mW /cm2 时 ,才存在强烈的光扇效应。利用修正耦合波方程对Ce∶KNSBN晶体中的两波耦合动态过程、增益随着信号光和抽运光打开时间间隔Δt的变化进行了模拟计算 ,理论模拟结果与实验测量结果基本一致     

Ce:KNSBN晶体两波耦合中的光扇效应

采用两波耦合非同时读出实验装置,测量了掺铈钾钠铌酸锶钡(Ce：KNSBN)晶体两波耦合过程中的信号光和抽运光非同时打开条件下两波耦合增益的时间变化规律,讨论了光扇的入射光强阈值及光扇效应对两波耦合动态过程的影响。结果表明：632.8 nm He-Ne激光在Ce：KNSBN晶体中写入体光栅时,光扇效应存在明显的写入光强阈值特性,当入射光强大于30mW／cm^2时才存在强烈的光扇效应。利用修正耦合波方程对Ce：KNSBN晶体中的两波耦合动态过程、增益随着信号光和抽运光打开时间间隔△t的变化进行了模拟计算,理论模拟结果与实验测量结果基本一致。     

BSO晶体的高温拉曼光谱与高温结构特征

阐述了BSO晶体在常温下的结构特征,通过测量晶体在常温下的拉曼光谱,对晶格主要振动模式进行了指认,测量晶体升温至熔化过程中不同温度下的拉曼光谱,分析研究了其微观结构在升温过程中的变化以及在高温状态下的结构特征。     

硅酸铋(BSO)晶体闪烁性能研究

报道对BSO晶体闪烁性能研究的若干结果. 包括晶体的激发光谱和荧光光谱、光产额、发光衰减时间和抗辐照能力等特性.     

砷化镓晶体中的四波混频

本文报道了以1.06μm调QNd:YAG激光脉冲,采用简并四波混频的方法,在未掺杂的GaAs单晶中产生红外位相共轭短脉冲。研究了该光脉冲的主要特性。用实验的方法探讨了影响共轭光强弱的主要因素。     

可饱和吸收染料中一种新型两波相互作用

本文报道我们在可饱和吸收染料——BDN和五甲川的二氯乙烷溶液中观察到的两束不共线、波长为1.06μm的激光束间产生的一种新型两波相互作用现象。它和已知的简并四波混频、自衍射效应等不一样。     

BSO晶体及生长固/液边界层的拉曼光谱分析

测量了 BSO晶体在常温和高温下宏观拉曼光谱 ,据此分析晶体结构在高温下的变化规律 ,详细实时地测量了晶体在熔化和生长过程中 ,固 /液边界层以及边界层两侧的晶体和熔体的显微拉曼光谱 ,分析得出该晶体生长边界层内的结构特征 ,以及生长基元结构从熔体结构经边界层过渡到晶体结构的变化过程     

BSO晶体旋光效应对空间光调制器性能的影响分析

对BSO晶体的旋光效应特性及BSO基光寻址空间光调制器的结构及工作原理的研究表明晶体旋光效应会影响空间光调制器的图像转换质量.根据不同波长和不同掺杂条件下BSO晶体的旋光效应发现,在630 nm波长附近,BSO晶体旋光率为21.2°.在实验中通过对检偏器的调节来避免其对空间光调制器的影响,然后对空间光调制器的结构和制作工艺进行研究,通过实验测量得到空间光调制器的完整输出图像.     

暗怪波的相互作用

以耦合非线性薛定谔方程为理论模型,数值研究了两个一阶暗怪波在正常色散单模光纤中的相互作用.基于一阶暗怪波精确解,采用分步傅里叶数值模拟法,从间距、相位差和振幅系数比方面讨论相邻两个一阶暗怪波之间的相互作用.基于二阶暗怪波精确解,讨论了两个一阶暗怪波的非线性相互作用.研究结果表明:同相位情况下,间距参数T1为0、5、20时,相邻两个一阶暗怪波相互作用激发产生“扭结型”暗怪波.相比较于单个暗怪波发生能量的弥散,“扭结型”暗怪波分裂形成多个次暗怪波.反相位情况下,间距参数T1为2、7、12时,相邻两个一阶暗怪波相互作用也可以激发产生“扭结型”暗怪波.并且“扭结型”暗怪波初始激发的空间位置偏离原始单个暗怪波的位置5.振幅系数比越大,该空间位置越接近5.二阶暗怪波可以看作是两个一阶暗怪波的非线性叠加,复合型和三组分型二阶暗怪波与相邻两个一阶暗怪波的相互作用略有相似.     

Fe：BSO晶体的缺陷能级及光折变效应的研究

在硅酸铋（Ｂｉ１２ＳｉＯ２０，ＢＳＯ）晶体中掺入少量Ｆｅ２Ｏ３，生长出Ｆｅ：ＢＳＯ晶体，由于Ｆｅ杂质在ＢＳＯ晶体禁带中造成了一些缺陷能级，使得晶体的衍射效率和四波混频位于共轭反射率等光折变性能指标有较大提高，文中根据吸收光谱，初步确定了晶体中缺陷能级。     

Fe∶BSO晶体的缺陷能级及光折变效应的研究

在硅酸铋（Bi12SiO20，BSO）晶体中掺入少量Fe2O3，生长出Fe：BSO晶体，由于Fe杂质在BSO晶体禁带中造成了一些缺陷能级，使得晶体的衍射效率和四波混频位相共轭反射率等光折变性能指标有较大提高。文中根据吸收光谱，初步确定了晶体中缺陷能级。     

入射光调制对Ce∶KNSBN晶体两波耦合的影响

研究了入射光调制条件下Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程.结果表明,入射光调制抑制了光扇噪音对Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程的影响,提高了透射信号光强度.同时研究了入射光光强比Ip/Is及入射光总光强Io对最佳调制频率及增益改善Gm/Gf的影响.结果显示,同一Io下,Ip/Is为100时,Gm/Gf到达峰值1.52,对应的最佳调制频率为150 Hz;同一Ip/Is下,Io为57 mW/cm2时,Gm/Gf最大为1.53,对应的最佳调制频率为175 Hz.     

BSO晶体中光折变增益与入射面情况的依赖关系

用两波混频方法在514.5nm(氩离子激光器)对BSO晶体中光折变增益与入射面情况的依赖关系进行了研究,由于BSO晶体围绕<110>轴旋转时受主能级状态的影响,从而光折变增益将取决于衍射效率的改变。     

光折变晶体LiNbO3：Fe简并两波混频在干涉测量中的应用

本文从理论上深入地分析光折变晶体中简并两波混频的动态特性。通过有关公式的推导,阐明动态两波混频在实时干涉测量中应用的原理。文中还提出利用LiNbO_3:Fe晶体的测量光路,给出其实测结果。并对测量精度作出分析。     

硅酸铋晶体内电光、磁光相互作用的耦合波分析及其传感应用

通过建立并求解硅酸铋(BSO)晶体内电光、磁光相互作用的耦合波方程,得到了BSO晶体的偏振传递函数,由此分析了BSO晶体内偏振光的周期性变化规律,并给出直接描述外加电场、磁场对偏振光作用的琼斯矩阵和米勒矩阵.最后设计了一种基于BSO晶体的电压、电流同时传感系统.     

利用BSO晶体的电控自聚焦效应实现的一种新型电光调制

BSO(硅酸铋)晶体除了具有热自聚焦效应外¹,还具有电控自聚焦效应²,基于电控自聚焦效应,又进一步对高斯光束经BSO晶体自聚焦后的远场光斑中心处的光强与加在晶体通光方向上的电压和入射光功率的关系进行了理论和实验研究,提出一种新的电光调制方法。理论与实验相符,进一步验证了文献1、2的结论.     

Ce:Cu:BSO晶体的生长及其相位共轭效应的研究

本文报道了Ce:Cu:BSO晶体的生长。测试了晶体相位共轭反射率和响应时间。利用Ce:Cu:BSO晶体二波耦合相位变化,实现了畸变的波前相位的畸变消除。     

热效应对光折变晶体两波耦合的特性影响的理论分析

用一种模型对两波耦合进行了分析，导出了强度相位的解析式，对影响两波耦合的参数进行了理论分析。分析了对ＢａＴｉＯ３光折变晶体的两波耦合的测量结果。